Способ регистрации уровня амплитуды одиночного импульса тока

Союз Советск ниСоциалистичесиииРеспублик АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ 61) Дополнительное к авт, свид-ву22) Заявлено 03.0478 (21) 2598633/с присоединением заявки Лю -(54) СПОСОБ. РЕГИСТРАЦИИ УРОВНЯ АМПЛИТУДЫ ОДИНОЧНОГО ИИПУЛЬСА ТОКАетс нен теп нде и пиков ток Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для проведения испытаний различных технических систем, где требуется измерение и регистрация амплитуды одиночного импульса тока значительной величины, например наведенного импульса или импульса перенапряжений при коммутационных операциях.Известен способ измерения амплитуды импульсного тока или напряжения, ос 1 О нованный на использовании конденсатора, включаемого в контролируемую цепь, в котором амплитуду импульса тока или напряжения определяют по на 15 копленной величине заряда на конденсаторе 13Недостатком данного способа являя невозможность длительного храия измеренной величины из-за пос 20енного разряда ко нсатора.Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ измерения и регистраци а,/согласно которому об амплитуде тока судят по величине остаточного магнитного потока ферромагнитного сердечника, намагничиваеиого измеряемым током 21.Цель изобретения - увеличение дли тельности сохранения информации, повышение точности и расширение диапазона измерений. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, основан" ному на измерении измененного под влиянием прошедшего импульса тока параметра чувствительного элемента регистрируемый импульс тока пропускают через полупроводниковый элемент вызывая его тепловой или лавинно- тепловой пробой, измеряют остаточное сопротивление пробитого полупроводникового элемента и по заранее полученной экспериментальной зависимости между амплитудами импульсов тока и остаточными сопротивлениями полу892323 5 1 о го ний. 325 эо 35 40 45 50 55 проводникоеого элемента определяют регистрируемый импульс тока.Кроме того, полупроводниковый элемент предварительно необратимо пробивают импульсом тока, амплитуда которого заведомо меньше амплитуды регистрируемого импульса.Действие предлагаемого способа основано на экспериментально установленном свойстве полупроводниковых элементов, которое состоит е том, что между остаточным сопротивлением необратимо пробитых полупроводниковых элементов и амплитудой тока, протекающей через полупроводниковый элемент при пробое (при длительности импульса ,более единиц миллисекунд), существует стабильная однозначная зависимость.На фиг. 1 приведена экспериментальная зависимость величины остаточного сопротивления пробитых транзисторов ИП 15 А (Рост) от амплитуд и импульсов тока (с ), протекающих через эти приборы при пробое (для каждой экспериментальной точки зависимости испытывалось 10 приборов), пунктирной линией показан доверительный интервал велицины Р с надежностью 0,9; на фиг. 2 - статистически усредненная зависимость Р = т(а) для транзисторов ИП 15 А, построенная в координатах (Р1/)Аналогицные зависимости (с другими диапазонами вели ци ни Рос ) получены при испытаниях диодов Д 220, 1 Д 507 Р, 2 Д 104, Д 503 и др.,а также транзисторов П 210, ИП 16, 1 Т 806,А,Б,В, 1 Т 403 и др.Способ осуществляют следующим образом.Через полупроводниковый элемент пропускают импульс тока, вызывающий его необратимый тепловой или лавинно- тепловой пробой, измеряют остаточное сопротивление полупроводникового элемента и по величине данного сопротивления по экспериментально полученной зависимости между амплитудами импуль, сов тока 1 и остаточными сопротивлениями данного полупроводникового элемента определяют регистрируемый импульс тока.Уменьшение доверительного интервала (или повышение надежности результата испытаний) и соответствующее повышение точности способа может быть достигнуто при использовании для снятия зависимости Р = 1( ) полупроводниковых приборов с малым разбросом 4толщин базовой области, отбор которых может быть произведен известными методами нераэрушающего контроля.Исследования влияния амплитуд импульсов тока на величину остаточного сопротивления пробитых полупроводниковых приборов показали, что для большого числа групп и типоразмеров приборов зависимость Рост= "(11) хорошо апроксимируется функцией Рос= Г, где А - постоянная величина, котораяй может быть определена теоретически или экспериментально. Данный факт позволяет упростить процедуру предварительной градуировки и уменьшить число приборов, используемых для построения зависимости Роост Г(а)Использование предлагаемого способа регистрации уровня амплитуды одиночного импульса тока позволяет значительно упростить измерительную аппаратуру и повысить надежность измереформула изобретения1. Способ регистрации уровня амплитуды одиночного импульса тока, основанный на измерении измененного подвлиянием прошедшего импульса токапараметра чувствительного элемента,о т л и ч а ю щ и Й е я тем, что,с целью увеличения длительности сохранения информации, регистрируемый импульс тока пропускают через полупроводниковый элемент, вызывая его необ"ратимый тепловой или лавинно-тепловойпробой, измеряют остаточное сопротивление пробитого полупроводниковогоэлемента и по заранее полученной экс"периментальной зависимости между амплитудами импульсов тока и остаточ"ными сопротивлениями данного полупроводникового элемента определяют ре"гистрируемый импульс тока.2. Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью овызения точности и расширения диапазонаизмерений, полупроводниковый элементпредварительно необратимо пробиваютимпульсом тока, амплитуде которогозаведомо меньше амплитуды регистрируемого импульса.Источники информации,принятые во енимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРМ 14994, кл. 6 01 Р 19/04, 30.04.30.2. Авторское свидетельство СССРй 93801, кл. О 01 Р 19/30, 31.01,51892323 Составитель Б. Веремейедактор Н. Пушненкова Техред С. Иигунова ректор Зака ППП "Патент , г. Ужгород ил Проектна Хамдю 243/66 Тираж 735 ВНИИПИ Государственного к по делам изобретений и о 113035, Иосква, Ж, Раушс