Номер патента: 826256

Авторы: Грибников, Гуга, Малозовский, Малютенко

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е , 826256ИЗОБЬЕТЕ Н ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ С еюз СоеетскмкСоц 1 малкстическниРесттубюе(23) Приоритет Вауаерстееиимй комитет СССР йо деием изебретеиий и открытий(72) Авторы изобретения раинской СР Институт полупроводников А 7 Заявитель 54) ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПО првктческ зменяет сопротивления встт- неосн)ОСН СН НООС где и я основных-концентранлей тока; Изобретение относится к магнитнымизмерениям, а более конкретно к гвльввномвгниторекомбинвционным (ГМР)датчикам магнитного поля, и может быть использовано в технике и научных исследованиях для измерения постоянных и пере-.менных магнитных полей,Известны полупроводниковые датчикив форме диска с контактами в центре ипо периметру. Такие датчики обладают .относительно высокой магниточувствительностью 1,Недостаток датчиков низкое сопротивление, что затрудняет практическое ихиспользование. Этот недостаток удаетсяустранить последовательным соединениемнескольких датчиКов, однако это загромождает конструкцию приборов и усложняетих применение и производство.Кроме того, применение известных дат,чиков ограничено в области низких темпе-,.ратур, твк квк в этих условиях концентрация электронно-лырочных пар становится ниже концентрации примеси, и изменее числа этих пар в магнитном по чика.Цепь изобретения - повышение чувительности датчика,Поставленная цель достигается тем,что в датчике магнитного поня, содержащем полупроводниковую пластину с омическими контактами нв торцах, две противоположные грани которой имеют разнуюскорость поверхностной рекомбинации, полуроводниковая пластина выполнена изпримесного лолупроводникв, подвижностьнеосновных носителей тока в которомбольше подвижности основных носителей,при этом для примесного полупроводникавыполняется следующее соотношение между концентрациями и подвижностями носителей тока5повышения чувствительности, полупровониковая пластина выполнена из примесиго полупроводника, подвижность неосноных носителей тока в кстором большевнжности основных носителей, при этомдля примесного полупроводника выполняется следующее соотношение между концентрациями и подвижностями носителейтокаосн неоснМ Р оснгде ЙОсн- концентрация основных носителей тока; 826266 .6д- ННЕзсн - концентрация неосновных носителей тока;в- - подвижность основных носитеоснпод- телей тока;5 днеосн подвижность неосновных носитею пей тока.4 В Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Викулин И. М. и Стафеев В. И16 .Полупроводниковые датчики. М., Советскоерадио, 1975, с. 74-75.2. Патент США М 2736858,кл, 324-45, 1956.Составитель В. НовожиловРедактор Е. Оичинская Техред Т.Маточка .Корректор М, ДемчикЗаказ 2372/34 Тираж 732 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная; 4

Смотреть

Заявка

2809165, 16.08.1979

ГРИБНИКОВ ЗИНОВИЙ САМОЙЛОВИЧ, ГУГА КОНСТАНТИН ЮРЬЕВИЧ, МАЛОЗОВСКИЙ ЮРИЙ МОИСЕЕВИЧ, МАЛЮТЕНКО ВЛАДИМИР КОНСТАНТИНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01R 33/00

Метки: датчик, магнитного, поля

Опубликовано: 30.04.1981

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-826256-datchik-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик магнитного поля</a>

Похожие патенты