Элемент памяти

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЙЛЬСТВУ Союз Советскик Социалистических Республик(51)М. Кл. С 11 С 11/40 С 11 С 15/00 Государственный комитет СССР по делам изобретений н открытий(54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Изобретение относится к вычисли.тельной технике, в частности к технике запоминающих устройств,Известен ассоциативный запоминающий элемент, содержащий три МДПтранзистора (11.Наиболее близким к предлагаемомупо технической сущности являетсядвухтранзисторный запоминающий элемент (2 .ООднако данный элемент не является ассоциативным и обеспечивает только запись и считывание информации,не позволяя производить операции ассоциативного поиска. 15Цель изобретения - расширение области применения элемента за счетосуществления ассоциативного поиска.Поставленная цель достигается тем,что в элемент памяти, содержащий адресный транзистор, исток которогосоединен с информационной шиной, затвор адресного транзистора подключен к адресной шине, транзистор опроса, затвор которого соединен со 25стоком адресного транзистора и однойиз обкладок первого запоминающегоконденсатора, сток транзистора опросасоединен с шиной сравнения, а истокс шиной опроса, другая обкладка пер вого запоминающего конденсаторасоединена с шиной управления, подложки адресного транзистора и транзистора опроса подключены к шине нулевого потенциала, введен второй запоминающий конденсатор, одна из обкладок которого соединена со стоком транзистора опроса, другая обкладка второго запоминающего конденсатора подключена к шине нулевого потенциала.На фиг, 1 изображена электрическая схема предлагаемого запоминающего элемента; на фиг. 2 - временная диаграмма работы запоминающего элемента в режиме ассоциативного поиска.Элемент памяти (фиг. 1), содержит адресный транзистор 1, транзистор 2 опроса первый и второй запоминающие конденсаторы 3 и 4, адресную шину 5, информационную шину 6, шину 7 опроса, шину 8 управления, шину 9 сравнения, шину 10 нулевого потенциала.Элемент памяти работает следующим образом.В режиме записи адресный транзистор 1 открывается импульсом на адресной шине 5, и запоминающий конденсатор 3 заряжается или разряжается в соответствии с состоянием информационной шины 6. Считывание может бытьразрушаемым (на информационную шину 6), или неразрушаемым (на шину 9сравнения),При разрушаемом считывании адресный транзистор 1 открывается напряжением на адресной шине 5, на шине 8 уйравления должен быть логический "О",заряд с запоминающего конденсатора 3переходит на информационную шину б,При неразрушаемом считывании адресный транзистор 1 должен быть закрыт сигналом логического "0" на ад- Оресной шине 5. Если на запоминающемконденсаторе 3 хранится "1", то приподаче на шину 7 импульса опроса нашине сравнения 9 считывается "1". а во втором - собственно опрос состояния запоминающегоконденсатора 3.В режиме поиска "1" на шины 7 и 8 подаются импульсные сигналы, которые обеспечивают предварительный заряд запоминающего конденсатора 4, связанного с шиной 9 сравнения, через открытый транзистор 9 опроса. Транзистор 2 опроса открывается импульсами на шине 9 управления, проходящими на затвор транзистора 2 опроса через запоминающий конденсатор 3. Величина сигнала на затворе транзистора 2 опроса определяется амплитуЗО дой сигнала на шине 8 управления, отношением величины паразитных емкостей затвора транзистора 2 и емкости конденсатора 3, состоянием конденсатора 3 и может быть достаточно большим для надежного открывания тран" эистора 2 опроса как при хранении сигнала логической "1"., так и логи 40 ческого "0". После окончания импульс-. 45ного сигнала на шине 8 проводимость транзистора 2 опроса определяется хранящейся на запоминающем конденсаторе3 информацией. 50 В случае хранения "1" транзистор 2 опроса открыт, что приводит к разряду конденсатора 4 после окончания импульса на шине 7 опроса через тИанзистор 2 опроса и формированию сйгнала логического ф 0" на шине 9 сравнения, соответствующего сигналу совпадения при поиске,В случае хранения "0" транзистор 2 опроса закрыт, что обеспечиваетсохранение заряда конденсатора 4 после окончания импульса на шине 7 опроса и формирование сигнала логической "1" на шине 9 сравнения, соответствующего сигналу несовпадения при поиске. 15При хранении "0" на шине 9 сравнения считывается "0",Работа элемента в режиме поиска"1" или "0" происходит в два такта.В первом такте производится предварительный заряд или разряд (соответственно режиму поиска "1" или "0") конденсатора 4, включенного между стоком транзистора 2 опроса и шиной 10,В режиме поиска "О" в первом такте шина 9 сравнения предварительноразряжается через транзистор 2, открытый импульсом на шине 8 подготовки.Во втором такте производится опрос состЬяния запоминающего конденсатора 3, определяющего проводимостьтранзистора 2 импульсом на шине 7опроса.При хранении "1" транзистор 2 открыт и на шине 9 сравнения формируется сигнал логической "1", соответствующий несовпадению при поиске,.Прихранении "1" транзистор 2 закрыт ишина 9 сравнения не изменяет своегосостояния логического "О", соответствующего совпадения при поиске.Режим маскирования отличается отрежима поиска "О" тем, что зо второмтакте импульс на шину 7 опроса неподается, обеспечивая состояние логического "О" шины 9 сравнения независимо от хранящейся в запоминающемэлементе информации, а это соответствует сигналу совпадения при поиске,Таким образом, предлагаемое техническое решение позволяет получить ассоциативный запоминающий элемент сминимальным количеством МДП-транзисторов,что дает возможность сократитьплощадь ассоциативного накопителя приреализации ассоциативного запоминающего устройства на МДП БИС,Формула изобретенияЭлемент памяти, содержащий адресный транзистор, исток которогосоединен с информационной шиной, затвор адресного транзистора подключенк адресной шине, транзистор опроса,затвор которого соединен со стокомадресного транзистора и одной из обкладок первого запоминающего конденсатора, сток транзистора опроса соединен с шиной сравнения, а истокс шиной опроса, другая обкладка запоминающего конденсатора соединенас.шиной управления, подложки адресного транзистора и транзистора опроса подключены к шине нулевого потенциала, от л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью расширения области применения элемента. за счет осуществления ассоциативного поиска, в неговведен второй запоминающий конденсатор, одна иэ обкладок которого соединена со стоком транзистора опроса,другая обкладка второго запоминающегоконденсатора подключена к шине нулевого потенциала.Источннки информации,принятые во внимание при экспертизе1. Заявка ФРР М 2442131,кл. С 11 С 11/40, 1976.2. Авторское свидетельство СССРР 395900, кл. О 11 С 11/40, 1971оставитель Л. Чороехред Е,Гаврилешко Нанкина дак орректо одписно ака ственобрет- 35,4 Филиал ППП "Патент ород, ул, Проект з 8361/6 О ВНИНПИ Госуд по делам 13035, Москва, 662го комий иушска тета СССРкрытийнаб., д, 4/5 Кос