Способ контактного копирования изображений

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 181077 (21) 2537845/28-12 с присоединением заявки Йо .(5)М. Кл. 6 03 6 13/00 Государственный комитет СССР по дедам изобретений и открытий(53) УДК 772. 93 (088.8) Дата опубликования описания 070780(54) СПОСОБ КОНТАКТНОГОКОПИРОВАНИЯ ИЗОБРА)ХЕНИЙ Изобретение относится к электрографии и может быть использовано для размножения микрофиш, микрофильмов и т. и., выполненных на электрографических фотополупроводниковых носителях (ЭФН),Известен способ контактного копирования с прозрачного оригинала на электрофотографический материал 1 О с проводящим подслоем. По этому способу между оригиналом и ЭФН во время экспонирования введена прозрачная диэлектрическая пленка 1 .При контактном экспонирований 15 ЭФН и оригинал должны быть прижаты друг к другу с целью получения минимального зазора. При этом случайные пылинки и др. загрязнения, попадаю" щие в зазор, вдавливаются в ЭФН, диэлектрическую пленку и оригинал. На вводимой в зазор пленке возникающие углубления, риски, царапины довольно быстро накапливаются и приводят к появлению дефектов на копии, Повы шенная дефектность особенно заметна при копировании микроизображений с высотой символов 50-150 мкм.Это приводит к необходимости частой замены пленки и установке соответст вующего механизма смены пленки в аппаратах копирования, что усложняет и удорожает аппараты и их техническое обслуживание.Другой недостаток введения пленки заключается в уменьшении разрешающей способности из-за наличия зазора между ЭФН и оригиналом.Цель изобретения - повышение качества копируемого изображения и удешевление процесса контактного копирования.Указанная цель достигается тем, что во время. экспонирования осуществляют непосредственный контакт между оригиналом и фотополупроводниковым слоем носителя.Сущность изобретения заключается в исключении нерегулярного переноса электрического заряда между оригиналом и ЭФН путем введения диэлектрической пленки в места контакта оригинала с токопроводящими участками носителя.Способ включает зарядку ЭФН, введение диэлектрической пленки в места контакта оригинала с токопроводящими участками носителя, прижим . ЭФН и оригинала, экспонирование,разъединение ЭФН и оригинала, проявление ЭФН ипри необходимости закрепление проявленного изображения.ЭФН состоит из пленочной основы, на которую нанесен токопроводящий годслой, Поверх находится Фотополупроводник, который не полностью пере 5 крывает токопроводящий подслой.Обычно пленочную основу ваполняют из лавсана толщиной 75-300 мкм, а токопроводящий подслой наносят напылением в вакууме никеля или пла О тины слоем в несколько ангстрем:. В качестве фотополупроводника используют поливинилкарбазол, полиэпоксипропилкарбазол и др. с сенсибилизирующими и пластифицирующими добавка ми, Толщина фотополупроводника 2-Ямкм.Зарядка ЭФН производится обычным скоротроном с коронирующими проволочками, на которые подается напряжение в несколько киловольт. При этом 2 О проводящая основа ЭФН зазЕмляется,Заряженный ЭФН прижимается к оригиналу. Прижим осуществляется механически вакуумным присосом и т. п. Перед прижимом вводят в зазор или предварительно наносят на оригинал ,циэлектрическую пленку, которая перекрывает токопроводящие участки носителя. За счет деформации пленочной основы ЭФН в рабочем поле воздушный зазор минимален и Фотополупроводниковый носитель и оригинал прилегают друг к другу. Плотное контактирование поверхностей требуется для получения максимальной разрешающей способности.35 Исключение диэлектрической пленки во время контактного экспонирования,невозможно, так как без нее про-. водящие основы ЭФН и оригинала замыкаются друг с другом. В результате образуются плоский конденсатор с двумя замкнутыми обкладками, между которыми расположен заряд на поверхности ЭФН. Этот заряд индуцирует в обкладках соответствующие наведен- ные заряды. Суммарное поле всехзарядов оказывается весьма значительным, особенно в малом воздушном зазоре между оригиналом и ЭФН, Воздуш-о ный промежуток в отдельных местах пробивается электрическим полем и происходит нерегулярный перенос зарядов. Это приводит к неравномерности скрытого электростатического иэображения и, как следствие, к пятнам, дефектам, размытию и т. п. на проявленной копии. В тоже время отказаться от проводящих дорожек невозможно, так как они нужна для надежного заземления токопроводящего подслоя ЭФН при за-. бО рядке.По предлагаемому способу основы ЭФН и оригинала не соединены и электрическое поле поверхностного заряда сосредоточено в Фотополупроводни- б 5 ке ЭФН и не перераспределяется ввоздушный промежуток,Экспонирование производят направленным потоком света со стороны оригиналаНепрозрачные элементы изображения не пропускают к фотополупроводнику ЭФН и поэтому в этих местах сохраняется начальный заряд,В остальных местах за счет фотопроводимости заряды стекают на токопроводящий подслой. Таким образомна ЭФН формируется скрытое электростатическое изображение. Далее светвыключают и производят разъединение.Диэлектрическую пленку оставляют наоригинале или убирают.Заготовку со скрытым электростатическим изображением проявляют обычным методом, смачивая ее поверхностьжидким электрографическим проявителем. Затем этот проявитель сливают,остатки высушивают и получают готовую копию.Для надежности диэлектрическуюпленку устанавливают несколько больших размеров,чем токопроводящие дорожки, Диэлектрические прокладки изготавливают из прозрачного материалалавсана толщиной 5-100 мкм.Для введения диэлектрическойпленки между оригиналом и токопроводящими участками носителя используют прозрачную лавсановую пленку толщиной 5-100 мкм. Более тонкий лавсанне удобен практически,а более толстыйпривбдит к слишком большим деформациям подложки ЭФН.Диэлектрическую пленку предварительно наносят на оригинал,например с помощью лакового раствора.В качестве пленкообразующего вещества используют поливинилбутираль, создающий на оригинале прозрачную достаточно твердую диэлектрическую пленку.,. По предлагаемому способу требуется меньшее количество диэлектрическойпленки и более редкая ее замена, чтоудешевляет процесс копирования.Экспериментальную проверку способа проводят на электрофотографических микрофишах стандартного размера 105 х х 148 мм. Оригиналмикрофиши получают микрофильмированием бумажных оригиналов с 21" уменьшением.Электрофотографическая микрофиша вдоль своих длинных сторон имеет то= копроводящиеучастки шириной 1-1,5 мм.Заготовку заряжают до потенциала 200-250 В и затем зажимают совместно с оригиналом между двумя плоскими стеклянными поверхностями. Перед этим на оригинал микрофиши накладывают лавсановые полоски толщиной 5- 100 мкм и перекрывают края микрофиши- оригинала вдоль токопроводящих участков. В другом варианте на микрофишу-оригинал наносят из раствора пленку поливинилбутираля толщиной = 3 мкм.Экспонирование производят лампой КГИ 27-100 в течение 3-5 с. Затем заго746388 Составитель Э. МоцкусРедактор Н. Кравцова Техред И.Асталош Корректор М. Коста Подписное аж 526иного комитеений и открыаушская наб. Тир Государстве лам изобрет ва, Ж, РСССйд.,4 илиал ППП "Патент", г, Ужг ул. Проектна товку отделяют от оригинала. Проявление производят перемещением заготовки относительно менискового устройства проявления, Используют жидкий сажевый проявитель на основе фреона- -113,концентрация тонера 5-8 г/дцПолученные копии имеют пдотность до 2-2,5 (оптимальная плотность 1,4+ +0,3), разрешающую способность 250 лин/мм,плотность фона менее 0,05. Никаких паразитных эффектов и ухудшения качества из-за нерегулярного переноса зарядов между ЭФН оригинала и заготовки не наблюдают.Формула изобретенияСпособ контактного копирования изображений на фотополупроводниковый 6носитель" с токопроводящей основой, включающий зарядку носителя, введение диэлектрической пленки в места контакта оригинала с токопроводя-щими участками носителя, экспонирование и проявление, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения качества и удешевления процесса, во время экспонирования осуществляют непосредственный контакт между оригиналом и фотополупроводниковым слоем носителя. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Патент США 9 2689179,кл. 355-12, 1954,