Микроэлектронная схема управления

(5 )М. Кл, Н 01 1. 27/06 с присоединением заявки,% Государственный комитет СССР по делам изобретений н открытий(72) Авторы изобретения Таганрогский радиотехнический институт им. В. Д. Калмыкова(54) МИКРОЭЛЕКТРОННАЯ СХЕМА УПРАВЛЕНИЯ Изобретение относится к импульсной техни- ке и может быть использовано в различных устройствах вычислительной техники и дискретной автоматики.Известна микроэлектронная схема управления регистром сдвига, содержащая транзисторы разного типа проводимости, источник управ. ляющих сигналов и триггер регистра сдвига,Недостатком известного устройства является малое быстродействие, обусловленное временемо разряда суммарной межэлектродной емкости транзисторов 11.Известен цифровой инвертор, содержащий входной транзистор первого типа проводимости и выходной транзистор второго типа проводи 5 мости 2) .Недостатком инвертора является малое быстродействие, обусловленное временем разряда емкости, равной сумме емкости коллектор.база входного транзистора и база-эмиттер выходного транзистора.Цель изобретенияповышение быстродействия.Для достижения поставленной цели в.микроэлектронную схему управления, содержащую 2входной транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого подключен,к шине первого такта управляющего двухтактного сигнала, база - к общей шине, а коллектор - к базе выходного транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор - к .выходной шине, введены разрядный и ключевой транзисторы второго типа проводимости и токозадающий транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с шиной второго такта управляющего двухтактного сигнала, коллектор - с коллектором разрядного транзистора, база которого подключена к эмиттеру входного транзистора, и с базой ключевого транзистора, коллектор которого подключен к базе выходного транзистора, а эмиттер - к сбщейшине, к которой подсоединены база токозадающего трацзистора и змиттер разрядного транзистора.На чертеже представлена принципиальная Она садержит входной транзистор 1 первого типа проводимости, эмиттер которого подключен к цпще 2 первого такта управляктщего3 7362двухтакт:ого сигнала, база - к общей шине,а коллектор - к базе выходного транзистора 3второго типа проводимости, эмиттер которогоподключен к общей шине, а коллектор - квыходной шине, введены разрядный 4 и ключевой 5 транзисторы второго типа проводимостии токозадающий транзистор б первого типапроводимости, эмиттер которого соединен сшиной 7 второго такта управляющего двухтактного сигнала, коллектор - с коллектором 10разрядного транзистора 4, база которого подключена к эмиттеру входного транзистора 1,и с базой ключевого транзистора 5, коллекторкоторого подключен к базе выходного транзистора 3, а эмиттер - к общей шине, к которой подсоединены база токозадающего транзистора 6 и змиттер разрядного транзистора 4.Устройство работает следующим образом.При подаче первого тактового импульса ТИ 1)транзистор 1 входит в режим насыщения и 20включает выходной транзистор 3, заряжает паразитную емкость база-эмиттер 8. Одновременно с этим коллекторная цепь открытого импульсом ТИ 1 транзистора 4 разряжает заряженную ранее тактом ТИ 2 емкость 9 р-и-переходаэмиттер.база транзистор 5, закрывает его. В.момент окончания импульса ТИ 1 емкость 8заряжена, транзисторы 1, 3, 4 открыты, 5, б -закрыты,После включения тактового импульса ТИ 2транзистор 6 насыщается и включает транзистор 5, что способствует быстрому разряду емкости 8, После разряда этой емкости схемаготова к приходу следующего тактирующегоимпульса ТИ 1. 35Преимуществом предлагаемой схемы управ.ления по сравнению с известной является повышенное быстродействие, обусловленное уменьшением длительности цикла разряда емкости 22 4р.п.перехода эмиттер-база выходного транзиспра,Эксперимент показал, что предлагаемая схема уменьшаег длигельност фронта разряда емкости на 5(Ж.Формула изобретенияМикроэлектронная схема управления, содержащая входной транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине первого такта управляющего двухтактного сигнала, база - к обшей шине, а коллектор к базе выходного транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор - к выходной шине, о т л и ч а ю гц а я с я тем, что, с целью увеличения быстродействия, в нее введены разрядный и ключевой транзисторы второго типа проводимости и токозадающий транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с шиной второго такта управляющего двухтактного сигнала, коллектор - с коллектором разрядного транзистора, база которого подключена к эмиттеру входного транзистора, и с базой ключевого транзистора, коллектор которого подключен к базе выходного транзис.тора, а эмиттер - к обшей шине, к которой подсоединены база токозадающего транзистора и эмиттер разрядного транзистора.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Заявка Франции У 2131960, кл. 6 11 С 19/00.22.12,72.2. Заявка ФРГ Р 2643941, кл. Н О 1 1. 27/06,07.04.77.