Радиатор

Номер патента: 1734137

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Горохов, Русакович, Якунин

МПК: H01L 23/14

Метки: основание, полупроводникового, прибора

...2 в форме катушки, кото рый имеет одно основание 3 для размещения полупроводникового кристалла, и другое основание 4, которое размещено в кольцевой проточке 5. Кольцевая проточка 5 выполнена в отверстии фланца 30 1.При работе прибора выделяющееся тепло с использованием "катушки" отводится через большую площадь соприкосновения с фланцем, так как увеличен диаметр 35 рабочей части кристаллодержателя.Основание полупроводникового прибора выполнено из стального фланца 1 с ТКР 11,8 10 1/ОС (например, КПО 8), толщина которого Ьг =1,5 - 2 мм, а кристаллодержатель 40 2 изготовлен из меди с ТКР 19,7 10 1/ОС. Глубина кольцевой проточки Ь 1 = 0,25 - 0,3 мм. При этом получаем соотношение размеров 61/12 = 0,125 - 0,15, Диаметр кольцевой...

Номер патента: 876340

Опубликовано: 30.10.1981

Авторы: Герман, Иваш, Лепетило

МПК: B23K 3/00

Метки: группового, кристаллов, основаниям, полупроводниковых, приборов, присоединения

...под губками 16 многопоэиционного ориентатора 17. Механизм 8 загрузки кристаллов в накопитель б выполнен в виде кронштейна 18 с присоской 19 на его конце, который имеет возможность поворота и спускания на каждую площадку 11 накопителя б. В качестве привода поворота применен четырехзвенный кривошипно-короьнсловый механизм, Механизм 7 присоединения кристаллов содержит несколько независиьих друг от друга инструментов 20, число и взаимное расположен ние которых соответствует числу и взаимному расположению площадок 11 накопителя 6. Инструменты 20 закреплены в держателях 21, которые прикреплены к кареткам 22, установ- у ленным с воэможностью вертикальногоперемещения на каретке 23,Установка работает следующимобразом.Механизм 2 подачи...

Номер патента: 1038984

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Иваш, Лепетило, Мурашко, Черкасов

МПК: H01L 21/50

Метки: кристаллов, основаниям, полупроводниковых, приборов, присоединения

...10 кристаллов расположен под нагревателем 3 механизма 2 подачи основний, поэтому для защиты адгезионного носителя 1 О кристаллов от воздействия температуры нагревателя 3 на тракте механизма 2 подачи оснований между нагоевателем 3 и держателем 9 адгезионного носителя 10 кристаллов закреплен узел30 16 охлаждения адгезионного носителя10 кристаллов, выполненный в виде полого экрана 17 (фиг. 3 ) с прикрепленной к нему коышкой 18 с отверсти" яйи 19 и штуцером 20 для отбора теплого воздуха от адгезионного носителя 1 О (фиг.1 и 2 ) кристаллов 21,Для компенсации возможной температурной и усталостной деформации адгезионного носителя 10 кристаллов держатель 9 адгезионного носителя 40 содержит механизм компенсации деформации адгеэионного носителя...

Номер патента: 1226693

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Тарс, Узарс, Феоктистов, Чаусов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводникового, прибора, силового

...снабжен металлическимитрубками, а в боковых поверхностяхребер, обращенных одна к другой, выполнены симметричные цилиндрическиевыемки, в которых установлены металлические трубки с обеспечением плотного контакта со смежными ребрами.На чертеже изображен охладительдля силового полупроводникового прибора.Корпус 1 охладителя имеет площадку 2 для крепления полупроводникового прибора 3 и ребра 4, в которых выполнены выемки 5 с плотно установленными в них трубками 6 из металла,причем длина трубок 6 соответствуетдлине охладителя.Устройство работает следующимобразом.Тепло, выделяющееся в силовомполупроводниковом приборе 3, передается через площадку 2 к ребрам 4,поверхности которых охлаждаются потоком воздуха, продуваемым в...

Номер патента: 1492493

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Зейков, Зусмановский

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиатор

...в ниде по крайней мере одного отверстия цилиндрической формы, ориентированного перпендикулярно геометрической оси соответствующего теплоотводящего ребра 2. Сквозные изогнутые каналы теплоотводящих ребер 2 ориентированы одинаково относительно их геометрических осей, Выходные сечения 5 сквозных каналов расположены со стороны вершин теплоотводящих ребер 2 вих центральных зонах, д их выходныесечения 6 - со стороны основанийтеплоотводящих ребер 2 на их конических поверхностях 7, При этом отверстия цилиндрической формы частей 4сквозных каналов могут быть выполне1492493 6 формула изобретения 2. Радиатор по п.1, о т л и ч а ю 40 ш и й с я тем, что отверстия цилиндрической формы сквозных каналоввыполнены глухими и ориентированыоткрытыми...