Матричный накопитель для электроннооптических запоминающих устройств

Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ополнительное к авт. свид-ву 6.08.76 (21) 2398474/18-24 22) Заявле М. Кл,- 6 11 С 11/42 1 соединенисм заявкиГосударственный комитет СССР(43) Опубликовано 30.08,79. лстснь32 елам нзобретени и открыти анця 30.08,7 5) Да ублцкования оп 72) Авторы изобретения И, Осадчий и А, Я. Паринский литехнический институт(71) Заявитель льс КОПИТЕЛЪХ ЗАПОМИНАЮЩИХ(54) МАТРИЧ НЪЙ ЛЯ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕС УСТРОЙ Счев Изобретение от я к автоматике ивычислительной е и предназначенодля использования в цифровых вычислительных машинах с визуальным отображением информации на большом экране.Известны электронно-оптические запоминающие устройства с электронно-лучевойзаписью, чтением и стиранием информации Ц. В этих устройствах запоминаниеинформации происходит за счет нанесенияна диэлектрический экран электронно-луой трубки электрических зарядов с помощью управляемого электронного луча,причем заряды могут вызывать деформацию экрана, если он выполнен из термопластика или тонкой пленки.Наиболее близким к изобретению техническим решением является матричный накопитель для электронно-оптических запоминающих устройств, содержащий диэлектрическую прозрачную подложку, на которой расположена матрица запоминающихэлементов. Подложка нанесена на внутреннюю поверхность лицевой панели баллона,поверх нее установлен сплошной деформирующийся под действием электростатического поля элемент, а на деформирующийся элемент нанесен фоторекативный слой,который деформируется вместе с этим элементом 2,Недостаток такого накопителя состоит вотносительно низкой информационной емкости, которая обусловлена нагревом ц измененцем физцческцх свойств носителя информации (разложение) под действием облучения элсктронамц; растеканием зарядов; влиянием внешних электрических полей; отсутствием возможности элекгрического считывания.10 Цель изобретения - повышение информационной емкости накопителя.Это достигается тем, что каждый запоминающий элемент матрицы содержит слой магнитотвердого материала ц элемент счц тывания, размещенные в углублениях, выполненных в диэлектрической прозрачной подложке, на поверхности которой расположена гибкая пленка, например, из полимера с нанесенными на нее над углубле ниями слоямп цз магнитного материала спрямоугольной петлей гцстерезиса а элементы считывания запоминающих элементов соединены последовательно.На фцг, 1 изображен предложенный на копцтель, общий вцд; на фцг. 2,а,б - сечение одного запоминающего элемента матрицы для двух состояний содержания информации в запоминающем элементе, соответствснно нулевого состояния ц состоя ния единццы; на фиг. 3 - в плане соединение элементов считывания запоминак- щих элементов.Матричный накопитель помещен в колбу 1, внутри которой расположены пушки 2, 3, 4 записи, стирания и считывания соотвстсВено с "чзлам правлси 5 Элокро- ным лучами. Оси пушек 2, 3, 4 лежат в одной плоскости, параллельной дну колбы и на расстоянии нескольких микрометров от него. Дно колбы представляет собой 10 диэлектрическую прозрачную подложку 5, на которой расположена матрица запоминающих элементов, Каждый запомнающий элемент (фпг. 2) содеркп" слой 6 магнитотвердого материала, например ал нико, и элемент 7 считывания, размещенные в углублениях 8, выполненьх в подложке 5, па поверхности которой расположена гибкая пленка 9, например, из полимера с нанесенными на нее над углублс ниями 8 слоями 10 из магнитного материала с прямоугольной петлей гистсрсзиса, например никеля, и высокой отраваощсй способностью. Элементы 7 считывания соединены последовательно с нагрузкой 25 (фиг. 3).На внутреннюю поверхность колбы нанесен аквадаг 11. Передняя поверхность колбы покрыта антиотражающим покрытием 12. Дно колбы со стороны запоминаю щих элемснтов освещено когерснтным поляризованным световым пучком 13. Отраженный пучок 14, несущий изображение в виде фазового распределения фронта пучка, может после корреляционной (гологра фической) обработки проецироваться на экран. В комплект устройства может входить магнитное перо 15.Устройство работает следующим образом. 40В исходном положении за счет начал,- ного намагничивания слоев 6 и 10 пленка 9 вогнута внутрь элемента, что соотвстствует в двоичной системе нулевому состоянию элемента (фиг, 2,а). 45 В режиме записи виртуальная рамка, образованная электронными лучами пушек 2, 3, 4, сканирует параллельно плоскости матрицы запоминающих элементов и ло кально псремагничивает пленку. За счет магнитных сил отталкивания между слоями 6 и 10 пленка 9 занимает выпуклое положение над элементом, что соответствует в двоичной системе единичному состоянию 55 запоминающего элемента (фиг, 2,б). Материал слоя 6 выбран таким, чтобы его коэрцитивная сила была много больше коэрцитивной силы материала слоя 1 О. В соответствии с заданным кодом адреса па 60 матрице формируется пространственны рельеф записанной инфорвации, Одновременно записанную информацио опсратор наблюдает в отраженном световом пучке 14 за счет фазовой модуляции локальных лу чей, отраженных от запоминающих элементов.В режиме считывания виртуальная рамка, образованная электронными лучами пушек 2 3, 4, сканирует параллельно плоскости матрицы запоминающих элементов и локально перемагничивает слой 10. Прп этом предварительно проводят коммутацию электронных лучей в пространстве, тем самым измсняюг направление магнитного поля рамки. За счет магнитных сил притягивания между слоями 6 и 10 пленка 9 переходит в нижнее нулевое полоксние, если прсдыдугцее состояние было единичным, и нс меняет своего состояния, если оно было нулевым. Прп переходе в нпкнсс состояние в элементенаводится ЭДС, которая вызывает ток в нагрузке. Наличие или отсутствие сигнала в нагрузке соответствует условной единице или нулю информации. Время сохранения изображения нс ограничено. Однако считывапие происходит с разрушением информации. По истечении цикла считывания запоминающие элементы подготовлены к записи.Для оперативного изменения информации запоминающего элемента может быть применено магнитное перо 15, представляющее собой дроссель с разомкнутым сердечником. Выполненис накопителя в виде матрицы запоминающих элементов, каждый из которых содержит слой магнитотвердого материала и элемент считывания, размещенные в углублениях, выполненных в диэлектрической прозрачной подложке, на поверхности которой расположена гибкая пленка с нанесенными на нее пад углублениями слоями из магнитного материала с прямоугольной петлей гистерсзиса, а также последовательное соединение элементов считывания позволяет использовать для записи и считывания носитель информации большой площади. Это повышает информационную емкость накопителя, обеспечивает высокоскоростное стирание и считывание информации виртуальной рамкой с током, образованной пересекающимися электронными лучами пушек, оси которых параллельны плоскости матрицы, при отсутствии контакта с носителем информации, что исключает его нагрев. Освещение матрицы запоминающих элементов когерентным поляризованным светом позволяет обеспечить визуальное отображение записанной информации на большом экране с использованием фазовой модуляции при высоком уровне яркости. Кроме того, время сохранения изображения принципиально не ограничено, в то время как в известных устройствах оно ограничено из-за несовершенства электрической изоляции.Наличис магнитного пера (элемента обменной связи оператора с вычислительной682948 а рог, г Составитель И. ЗагинайкоИ. Грузова Техред А. Камышникова Корректор Е. Хмелева Подписное ний и открытийЗаказ 1787/14 Изд, Хз 493 Тираж 681НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобр113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 пография, пр. Сапунова, 2 машиной) расширяет область примененияпредлагаемого устройства. Формула изобретенияМатричный накопитель для электронно- оптических запоминающих устройств, содержащий диэлектрическую прозрачную подложку, на которой расположена матрица запоминающих элементов, отличающи й с я тем, что, с целью повышения информационной емкости накопителя, каждый запоминающий элемент содержит слой магнитотвердого материала и элемент считывания, расположенные в углублениях, выполненных в диэлектрической прозрачной подложке, на поверхности которой расположена гибкая пленка, например, из полимера с нанесенными на нее над углублениями слоями из магнитного материала с5 прямоугольной петлей гистерезиса, а элементы считывания запоминающих элементов соединены последовательно.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе10 1. Денбновецкий С. В., Семенов Г, Ф.Запоминающие трубки в устройствах обработки информации. Сов. радио, 1973,с. 278.2. Патент США ЛЪ 3858080, кл. Н 04 3/1 б,15 опублик, 1972, (прототип).