Волноводный измерительный преобразователь

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(61) Дополнительно (22) Заявлено 2601т, свил-ву2444701/18 рисоеЛинеииева заявки 23) Приоритет 3) Опубликовано 2501785 юллетень Мй 35) Дата опубликования описания 1301.78 Гоо 1 ларетввнный кометеСовета Мнннотров СССРно делам нвабрвтвннйн открытей) Заявител изико-энергетический инсти Н Латвийской СС 154) ВОЛНОВОДНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ зав вел ме- леватекихструнец 0 уст вол вар вые исп зов преоберения 2 зкоом" Изобретение относится к контрольн 1 зизмерительной технике и может испольт.зоваться для контроля параметров сло 1.ев полупроводниковых структур.Известны сверхвысокочастотныетоды измерения удельного сопротивния полупроводниковых пластин, прикоторых образец помещается в волновоаи, кроме тогоприжат к концу волно 1 в ода 111,Однако в известном преобразователе точность измерения недостаточна,особенно при контроле тонких слоевматериалов двух или более слойныхструктур с малым удельным сопротив)лением.Наиболее близким техническим реюнием к изобретению является волновоный преобразователь для контролялектрических параметров полупроводниковых структур, содержащий переходной фланец и отрезок волноводноготракта 21.Однако у этого волноводногораэователя чувствительность иэмтолщины высокоомных слоев на ниных структурах недостаточна.Цель изобретения - увеличениечувотвительности измерения толщинывысокоомных слоев на ниэкоомных стру х и параметров низкоомных струкс линеаризацией функциональнойсимости при низких значениях этихчин,Для этого в волноводном преобразоле для контроля электрофиэичеспараметров полупроводниковыхктур, содержащем переходный флаи отрезок волноводного тракта,онце отрезка волноводного трактановлена отражающая поверхность.а фиг. 1 показан предлагаемыйсводный преобразователь, воэможнщант конструкции; на фиг.2 - крихарактеризующие эффективностьльзования предлагаемого преобрателя. Волноводный преобразователь для контроля электрических параметров полупроводниковых структур содержит переходный фланец 1, отрезок волноводного тракта 2, на конце которого установлена отражающая поверхность 3При наложении на отражающую повер ность 3 испытуемого образца возникае поперечное распространение сверхвысо кочастотной мощности в высокоомном поверхностномслое 4 вследствие мнс- гократного отражения потока междуо тражающей поверхнос гью 3 и низкоомной структурой 5.Кривые (см. фиг.2) характеризуют ,возможность достижения значительного прироста чувствительности измерений на примере контроля толщины Д диэлектрических слоев, нанесенных на ниэкоомных полупроводниковых пластинках сЯ0,001, 0,03, 0,1 и 0,5 Ом см по показан(ям разности тока измерительного устройства, например по разнице оказаний тока индикатора 1 и 1 в мио нимуме стоячей волны измерительной инии при контроле структуры со слоем основы, 5Кривые 1 определяют изменение разности тока для преобразователя без отражающей поверхности, а кривые Г) .характеризуют изменение разности тока в измерительном приборе для тех же контрольных образцов при использовании предлагаемого измерительного пре образователя.При использовании предлагаемого реобразователя чувствительность иэме-, ения контролируемых параметров образцов, т.е. толщины слоев д или удельйого сопротивления э( а также поверх(ностного сопротивления Я В,на порядок 1ыще, чем для преобразователей не Р.З(меющих отражающей поверхности, причем такая чувствительность сохраняет ся не только при контроле толщины диэлектрических и высокоомных полупрбводниковых слоев, а также при контро-. ле параметров подложки при определенной толщине верхнего слоя. Такой при рост чувствительности возможен вслед" 1ствие возникновения в приповерхностндм слое контролируемой структуры многократных отражений потока электромагнитной энергии.Формула изобретенияВолноводный измерительный преобра-зователь для контроля электрофизических параметров полупроводниковыхструктур, содержащий переходный фланец и отрезок волноводного тракта,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью увеличения чувствительностиизмерения толщины высокоомных слоевна низкоомных структурах и параметровнизкоомных структур с линеариэациейфункциональной зависимости при низкихзначениях этих величин, на конце отрезка волноводного тракта установленаотражающая поверхность,Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе:1. Давыдов А Арапов Ю, ПТЭ,1967, 9 6, с, 113.2, Авторское свидетельство СССР9 166763, М.Мл . 0(01 3 31/26, 1962.589571 м фиг ставитель А.Меньшиковахред Н.Андрейчук Корректор М.Демч Зубкова Ре каз 386/33 ЦНИИПИиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Тираж /Ю осударственного комитета ло делам изобретений 13035, Москва, Ж, РаушПодписноесвета Министров СССи открытийкая наб., д. 4/5