Фазоимпульсный многоустойчивый элемент

"р ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскин Социапистицесиин РеспубликТОР СКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1) ополнительн т, свпд-ву 1931748/26-2 22) Заявлено 08.06.7 с присоединением заявки (23) Приоритет- (43) Опубликовано 25.11.75 Бюллетеиь 43(45) Дата опубликования описания 13,04.76 ооударотоенный комнтетСовета Инннстроо СССРпо делам нэооретоннйн открытнй 62 1.317(71) Заявител Московский орден лектротехнически рудового Красного Знамениинститут связи ИМПУПЬСНЫИ МНОГОУСТОЙЧИВЫЙ ЭЛЕМЕНТ И эобретен не ной техники.эвестен На чертеже изображена принципиа хема оптоэлектронного фИМЭ.В его состав входят световой анод 1 вухполюсник 2 с многослойной структуой - металл-диэлектрик-полупроводникиэлектрик-металл (МДПДМ), диоды 3 ирезисторы 5 и 6 и транзистор 7.фазоимпульсный многоустойчивый элемент работает следующим образом. На3 и 4 поступают последовательноульсы И, и И ( 1 ), С резистора 5 им пульсы поступают на световой диод 1.дний при этом излучает световуюю, направленную на двухполюсник льная 1осится к области импу ойчинеройствтойдиодьимп Для атого в предлагаемом фаэоимпульфсном многоустойчивом элементе (фИМЭ) накопитель выполнен в виде оптоэлектрон,ной пары светодиод-двухполюснаи структура: металл-диалектрик-полупроводник- диэлектрик-металл (МДПДМ), причем анод светодиода подсоединен к выходу схемы объединения, катод через разгрузочный резистор - к общей шине, один полюс двухполюсной структуры МДПДМ подсоединен .через резисторы к обшей шине, ко входу ,компаратора и выходной шине элемента, а другой полюс - через резистор к источнику питания и через конденсатор к выходу комПослеэнерги2 (М ДПДМ).Если на вход схемы поступают только импульсы И;, то световой импульс, вызванный каждым импульсом этой последователь ности, вызывает появление соответствующего количества алектронно-дырочных пар в объеме полупроводника, что, в свою очередь, обеспечивает приращение абсолютной величины поля в диэлектрике диода. По поступлении 3 в-эй порции световой энергии поле в диэлектрике достигает такой величиО парато И фазоимпульсный многоуствый элемент, содержащий схему объедния, накопитель, компаратор, разрядкуцепь и источник питания,Бель изобретения - упрощение уст, и увеличение числа устойчивых сосний. 51) М. Кл. Н 031 25/00Н 031 3/42Яны, что вызывают лавинообразный пробой МДПДМ. Через двухполюсник 2 начинает протекать ток, образуя при этом падение напряжения на резисторе 6. При появлении, напряжения на резисторе 6 открывается ранее закрытый ключ на транзисторе 7.На коллекторе транзистора 7 возникает перепад напряжения, примерно равный по величине непряжению источника питания Е 1. Через конденсатор 8 этот перепад посту-" 1 р пает на МДПДМ, нейтрализуя питающее напряжение Е За счет этого пробой двухполюсника 2 прекращается, поле в диэлектрике падает, притянутые ранее дейс-; твием поля к границам дяэлектрик-полупро Водник носители рассасываются, вновь равномерно распределяясь в объеме полупроводника. В результате этого МДПДМ вновь готов повторить процесс накаплнва-, ния энергии, получаемой от светового ди ода 1. В то же времч напряжение светово- го диода 1 упало до нуля, транзистор 7 закрывается. Следовательно, на коллекторетранзистора 7 от каждого И -го импульса, Ит формируется последовательность отри дательных импульсов, следующих с периодом,Г= ВТЭту последовательность импульсов прн, ннмаем за опорную последовательность И,О о,Если на вход схемы поступают только импульсы И ( ), то выходная последова гтельность импульсов будет сдвинута отно,сительно И по фазе на время;о,(сдвигом Й ) выходных импульсов относительно опорнои последовательности импельсов Ио. Считываемые импульсы И (Й )могут появляться только в моменты вре-мени, сдвинутые относительно импульсовпоследовательности Ит на 0,5 Т,Формула изобретенияфазоимпульсный многоустойчивый элемент, содержащий схему. объединения, какофпитель, компаратор, разрядную цепь, источник питания, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью упрощения устройстваи увеличения числа устойчивых состояний,накопитель выполнен в виде оптоэлектрон-ной пары светодиоддвухполюсная структу-.,ра: металл-диэлектрик-полупроводник-ди-,электрик-металл (МДПДМ), причем анодсветодиода подсоединен к выходу схемыобъединения,катод-через нагрузочный резистор к общей шине, один полюс двухполюсной структуры МДПДМ подсоединенчерез резисторы к общей шине, ко входукомнаратора н выходной шине элемента,1 а другой полюс- через резистор к источнику питания н через конденсатор к вьио+ду компаратора.,493034 Техред Камьпинюкова рр " Л.5 рахнинаКорректо РедакторАндрее Заказ Ж 92 Рздннсвое сср"Патент, г, УжГОрой ейтнаф,илиад Изд, М ПИ Государ тве по дед Москваного коиитетаизобретений113035, Раушск о вета Министров открытнй к наб., 4