ZIP архив

Текст

Концентрация носителей, инжектированных в узкозонный полупроводник, уменьшается с расстоянием от р- И -перехода. Для того чтобы весь слой х одб был активА 0г гным, его толщина должна быть меньше пятикратного значения эффективной длины диффузионного смещения неосновных носителей тока.В гетеролазере отсутствует необходимость легирования активной области до вырождения,1 О поэтому могут быть выбраны тип легируюшей примеси и концентрация, обеспечивающие получение максимального внутреннего квантового выхода. Такими легируюшими примесями являются цинк, германий, крем 15 ний и теллур, а их концентрация 10 10 г см.Оптимальные параметры структуры:Разрывы ширин запрещенных зон ь . И:ос в пределах 0,2-0,4 эв, толщийа2активной области 0,1-3,0 мкм, концентрация носителей тока: в слое Аба АВ 10 см; в слое 415 а ДВ 10 см,Данная структура может быть изготовлена на подложке из арсенида галлия последовательным выращиванием эпитаксиальных слоев твердых растворов М, ба АВ из растворов мышьяка в расплаве галлия с алюминием. зоПри приложении к структуре достаточно большого прямого смешения за счет инжекции из И и р - широкозонных эмиттеров в слое АИ Са А 5 создается инверсная насеруЗленность носителей тока. Наличие "разрыва" зоны проводимости в гетеропереходах в системе с Я Д-С цДвфобеспечивает эффективную инжекцию носителей из широкозонных эмиттеров в активную область и возможность искусственного ограничения области рекомбинации. Полное совпадение активной области с областью рекомбинации, атакже локализация световой волны в активном слое гетеролазера обусловливают сушественное снижение пороговых токов и увеличение внешнего квантового выхода при повышенных рабочих температурах,В гетеролазерэ на основе предложеннойоструктуры при 300 К получены следующие характеристики; пороговая плотностьтока = 0,9 - 1 ка/см и внешнийьквантовый выход= 40%,формула изобретения1 Инжекционный лазер на основе п-и(р)- -р-гетероструктуры с узкозонным полупроьодником, заключенным между двумя широкозонными, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения пороговой плотности тока и увеличения внешнего квантового выхода, он выполнен на основе твердых растворов А 1 СгаДэ с материалами эмиттеров, имеющими большее значение параметра х , чем материал активной области.2. Лазер по и. 1, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что разница значений параметра х материалов эмиттеров и активной области больше 0,01, толщина активной области не превышает пятикратного значения эффективной длины диффузионного смешения неосновных носителей, а концентрация легируюших5 19 -Ъпоимесей в ней 10 - 10 см.300126 Рс ЕСоставитель Г. Корнилова Редактор Т. Ларина Техред А. Демьянова Корректор С. Болдижар Заказ 818/78 Тираж 1002 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5филиал ППП "Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Смотреть

Заявка

1333240, 05.05.1969

ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Ф. ИОФФЕ

АЛФЕРОВ Ж. И, АНДРЕЕВ В. М, КОРОЛЬКОВ В. И, ПОРТНОЙ Е. Л, ТРЕТЬЯКОВ Д. Н

МПК / Метки

МПК: H01S 5/32

Метки: инжекционный, лазер

Опубликовано: 05.01.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-300126-inzhekcionnyjj-lazer.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Инжекционный лазер</a>

Похожие патенты