Способ измерения напряженности стартового поля магнитной пленки

Номер патента: 554513

Опубликовано: 15.04.1977

Автор: Васильев

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, напряженности, поля

...по всей длине провода контура. Для определения магнитного потенциала в определенной точке пространства, окружающего источник магнитного поля, необходимо количество электричества разделить на длину проводника 1,Я С;,яу Ом Ь(3) В потенциальном магнитном поле напряженность магнитного поля Н равна градиенту магнитного потенциалаЙ=- дгас 1 , (4)Если измерять изменение магнитного потенциала в одном направлении, например направлении х, то уравнение (4) можно записать в следующией формеО 1 м (5)дх где х - единичный вектор в направлении измерения.На основании уравнения (5) величина напряженности определяется приблизительно следующим равенствомО-Ь =С ф (6)Ьх 1. Ьх где 9 м = 9 м, 9 м,Лх - расстояние между точками измерения величины магнитного...

Номер патента: 282521

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Изобретени, Клюкин, Фабри

МПК: G01R 33/05

Метки: магнитного, напряженности, поля

...10. Катушки электромагнита питаются от стабильного источника 11 литания. С помощью системы термостабилизации катушки и датчик поддерживаются при посто янной температуре в объеме 12. Датчик 1 иэлектромагнит 7 расположены на Вращающемся основании.Работа устройства основана на подсчетеизменения количества доменов на базе датчн ка при нарастании магнитного поля от нуля доизмеряемого значения, Высокая точность измерения обеспечивается тем, что сравнительно малому изменению поля соответствует значительное изменение числа доменов на единице 25 длины пленки. Регистрация изменения числадоменов основана на воздействии поля рассеяния домена на измерительную нить 3, прп этом могут быть использованы различные механизмы этого...

Номер патента: 568915

Опубликовано: 15.08.1977

Авторы: Ключников, Петров, Филиппов

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, напряженности, поля

...(Н,), онп исчезают. Величина Н, для данной пленки изменяется с изменением температуры, Изменяя температуру датчика. добиваются исчезновения доменов в исследуемой точке прос транства, По известной температуре датчика и зависимости Н; от температуры определяют величину Н;, Домены исчезают в области полей рассеяния (Н ), граница которой определяется соотношением Н= Н,На фиг. 1 приведена схема устройства для измерения напряженности магнитного поля попредлагаемому способу; на фиг. 2 - зависимость Н; от температуры (Т) для магнитной монокристаллической пленки составаЪ 2 л В 10,Заев,вша ь 20,. выращенной на немагнитной подложке из гадолиний-галиевого граната.Выращивание производилось на поверхности (Ш) подложки.Датчик 1 (фиг. 1) состоит из...

Номер патента: 711507

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Лисовский, Мансветова

МПК: G01R 33/02

Метки: датчик, магнитного, магнитооптический, напряженности, поля

...в магнитооптическом активном элементе 1 существуют две намагниченныев противоположных направлениях областис четкой границей между ними.При помещении датчика в измеряемое .магнитное поле граница между этимиобластями фуширяется", причем ширинаграницы однозначно связана с напряженностью магнитного поля Н, Отсчет напряженности магнитного поля производитсяс помощью предварительно отградуированной прозрачной шкалы 5, Роль указателейпрозрачной шкалы 5 выполняют два края"уширенной" границы, которая видна (напросвет) благодаря использованию оптического поляризатора 3 и оптическогоанализатора 4 при освещении искуственным или дневным светом,В обоих слоях магнитооптического активного элемента 1 непосредственно впроцессе выращивания или с...

Номер патента: 1128206

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Мокроусов, Суйков, Тихонов

МПК: G01R 33/032

Метки: магнитного, напряженности, поля

...формы, на широкую стенку которого нанесена изотропная ферромагнитная пленка, обладающая экваториальным эффектом Керра имеющая оптический контакт со световодом и выполнен- . ная в форме круга, диаметр которого численно равен величине пространственной разрешающей способности.На фиг. 1 изображена блок-схема устройства для измерения напряженности магнитного поля; на фиг. 2 - график зависимости ь 1 =1(Н)Устройство содержит источник 1 оп". тического излучения, отрезок прямоугольного световода 2, изотропную ферромагнитную пленку 3, обладающую экваториальным эффектом Керра, имеющую форму круга, фотоприемник 4, лежащие на одной оси, устройство располагается таким образом, чтобы ферромагнитная, обладающая экваториальным эффектом Керра,...