Усилитель тока

(57) Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения - снижение мощности потребления, Цель достигается путем снижения токов токозадающих элементов, выполненных на отражателях тока, ВР раз, Для повышения перегрузочной способности входного каскада в усилитель тока введены два транзистора и резистор смещения, 1 ил,ии инстит ко, Е.М. А ССР 07.8 Обэ 11, Обэ 5, Обэб, Обэ 12 - напряжение база-эмиттер транзисторов 11, 5, б и 12 соответственно; Изобрет ной технике, ваться в уст тока,элемента 19, го и второго торах 11 и 12, протекает ба- соответственние резистора ик тока перво ков на транзис схеме диода, зисторов 5 и 6 Цель из сти потребле/)5 фб КОЭффиц 3 транзисторов 5 и 6 ент усиления по токуоответственно,мо аботаетслед емент мещеии питания чер 5 и 6 протекает ель тока необходим ах транзисторов, вь ом исполнении. Э нт отражения всех ически сделать раен льно, с первого, втор первого и второго Кавт ТОК )см/ф 5 Исм 11 + Обэ 5) - Обэб Обэ 12) где22 и ОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Авторское свидетельствоМ 1631703, кл. Н 03 Р 3/26, 2 ение относится к измеритель- автоматике и может использоройствах линейного усиления ретения - снижение мощния,На чертеже представлена электрическая принципиальная схема усилителя тока,Усилитель тока содержит первый - десятый транзисторы 1 - 10, первый и второй отражатели тока на транзисторах 11-18. на токозадающем элементе 19, резистор 20 смещения, шины 21 и 22 питания и общую шину 23. Усилитель тразом.При включе19 и транзисторния Осм, равныйсм=, Опит - напряжение на шинах 2чников питания соответственно; 819 - значе Через датч отражателей то включенных по зовый ток тран но, т,е,Усилитвать на паринтегральнкоэффициетока практСледоватеГО ВЫХОДОВтока протественно,о реализовыполненных в то позволяет отражателей ым единице.ого и третье- отражателей /фб соотВетЧерез транзисторы.7 и 8, являющиеся датчиками отражателей тока, реализованных на транзисторах 1 и 2 входного каскада будет протекать ток 2 1 см и 18= - у -Через входные транзисторы 1 и 2 будетпротекать усредненный ток транзисторов 7и 8, т.е,11,2= = см ( + ) 17+18 1 1 2 Д 5 Д 6 Базовый ток транзисторов 3 и 4 равеналгебраической сумме токов транзисторов15, 1 и 18, 2 соответственно, т.е. 1 см1 1 1 см1 бз=15 11,2= у 1 см (+) =-р 1 см 1 1 1 см. 1 б 4=11,2 118= р 1 см ( +) = у где 1 бз, 164 - базовый ток транзисторов 3 и 4 соответственно;11,2 - усредненный ток через транзисторы 1 и 2;115, 118 - ток первых выходов первого и второго отражателей токов.Тогда токи через транзисторы 3 и 4 будут соответственно равны 1 смЮЗ, 1 см /413 = 1 бзРз = - р-, 14=фб 13=с м, 14=1 см Учитывая, что схема симметрична относительно общей шины 23 нулевого потенциала, рассмотрим работу только одной половины схемы, например нижней. при втекающем входном токе 1 вх=О, В данном случае входной каскад на транзисторе 2, включенный по схеме с общей базой, создает усиление по току, равное а 2 . Усилительный каскад на транзисторе 4, включенный по схеме с общим эмиттером, создает усиление по току, равное Я 4Работа второй половины устройства аналогична рассмотренной, только с противоположными по знаку приращениями.Коэффициент усиления по току устройства равен Учитывая, что рз =фб, а ф 5 =Р 4, как транзисторы одной проводимости в интегральном исполнении. получаем Я 4 + Й 1 ДЗ ф 2 2 где а 1, а 2 - коэффициенты усиления по то ку схем с общей базой соответствующихтранзисторов;Рз, Р 4 - коэффициенты усиления по току транзисторов 3 и 4 соответственно;асср - среднее арифметическое значение коэффициентов р-и-р- и и-р-и-транзисторов.Таким образом, усилитель тока можетработать в режиме усилителя постоянного тока за счет уменьшения влияния разброса по Р транзисторов 3 и 4.Формула изобретения Усилитель тока, содержащий первый ивторой транзисторы, имеющие разную структуру, эмиттеры которых соединены и являются входом усилителя тока, третий и четвертый транзисторы, включенные по схеме с общим эмиттером, коллекторы которых являются выходом усилителя тока, базы подключены к коллекторам соответственно первого и второго транзисторов и выходам соответственно первого и второго отражателей тока, входы которых подключены к базам соответственно пятого и шестого транзисторов, коллекторы которых соединены с соответствующими шинами питания, седьмой и восьмой транзисторы, эмиттеры которых соединены с общей шиной, а базы подключены к базам соответственно первого и второго транзисторов. а также токозадающий элемент, при этом структура четвертого, пятого и седьмого транзисторов соответствует структуре первого транзистора. а структура третьего, шестого, восьмого транзисторов соответствует структуре вто О роготранзистора, отличающийся тем,что. с целью снижения мощности потребления. первый и второй отражатели тока каждый выполнен с первым и вторым дополнительными выходами, а также введе ны резистор смещения, девятый и десятыйтранзисторы, имеющие структуру соответственно первого и второго транзисторов и эмиттеры которых соединены с базами соответственно седьмого и восьмого транзисторов и выводами резистора смещения, при этом база девятого транзистора подключена к коллектору седьмого транзистора и первому и второму дополнительным выходам первого отража 1 еля тока, а база десятого транзистора погключена к коллектору восьмого транзистора и первому и второму дополнительным выходам второго отражателя тока, коллек"оры девятого и десятого транзисторов подключены к эмиттерам со1739476 между эмиттерами пятого и шестого транзисторов. Ьип авитель И.Водяхинаед М.Моргентал Редактор Н.Лазаре ектор О,Ципле Заказ 2009 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 1 ответственно третьего и четвертого транзисторов, а токозадающий элемент включен 214 Виол