Полевой транзисторный ключ

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБ ЛИН ЯО 163348 Н 03 К 17/О ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК А ВТОРСКОМУ СБИДЕТЕГ)ЬГГВУ 21) 4704289 22) 14,06,8 шуцтиру;шсгл т,зистога 2 твром и ис;и слючсвого знстора 1: .ведения коцден Пр. .апр.н:; свого МПП рач рез кон,еис втор 9 пр по ышени. 1 аряжения на баз сщегоа стора ."., что ув с гепень егспсыщения и про свыпенис насряжен на зат ч" вогс МП- сран : с тсра 1, В те ключс вс,и /И-тр,стор ванно закрывается. , евой ный .люч с оде 1 ж:т 1 кс отк амежд ДП-транатора 9. анзис о е шунтиру,.тор 3, гс чач транзисдополнительного типа, диод 5 .истора 6-8, дополнительный 5, 1 и,г,рано ор 4 ри р быстр рассе ром ае сти ОСУДАРСТ 8 ЕКНЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(57) Изобрет ной технике но в силовой ре. Цель изо одейств088.8)СРА 11 4500801,7/04, 19.02.85.,цА У 44814347/04, 06,11,84,ТРАНЗИС ТОР НЬ 1 Й КЛ.Чение относится к имгупьси может быть использовакомм; таиспно ап" зратубретения - повышеис.ия и уменьшения м .,сти,ключевым МДП-тран.;:стоается путем включеия еличивает . ятствует воре клю- результа- Форсиротранзистор рывающий10 питания.Между эмиттером и коллекгором включающего транзистора 4 дополнительного Изобретение относится к импульснойтехнике и может быть использовано всиловой коммутационной аппаратуре,устройствах автоматики и источникахвторичного электропитания.Целью изобретения является повышение быстродействия и уменьшениемощности, рассеиваемой ключевым МДПтранзистором.Цель достигается эа счет увеличения скорости запирания ключевогоМДП-транзистора путем подключения между его затвором и истоком шунтирующего транзистора, база которого черезвведенный конденсатор соединена цепью обратной связи с выходом ключа,При этом обеспечиваются насыщение шунтирующего транзистора, снижение отрицательного влияния емкости затвор Оисток и тем самым быстрое запираниеключевого МДП-транзистора.На чертеже приведена принципиальная схема полевого транзисторногоключ а, 25Устройство содержит ключевой МД 1 транзистор 1, например, п-типа, шунтирующий 2 и открывающий 3 транэисторы также п-р-п-типа, включающий транзистор 4 дополнительного типа, ди Оод 5, три резистора 6-8 и конденсатор 9.Ключевой МДП-транзистор 1 включенмежду силовым 1 О и общим 11 выводамиключа.35Конденсатор 9 и первый резистор 6включены параллельно между силовымвыводом 10 ключа и первым выводом второго резистора 7, второй вывод которого подключен к базе шунтирующего 2, 4 Околлектору открывающего 3 транзистораи катоду диода 5,Затвор ключевого МДП-транзистора 1соединен с коллектором шунтируюшеготранзистора 2 и с базой включающего 45транзистора 4 дополнительного типа,эмиттер которого подключен к управляющему выводу 12 ключа, а коллектор через третий резистор 8 - к базе открывающего транзистора 3,Эмиттеры шунтируюшего 2 и открывающего 3 транзисторов и анод дновда 5 подключены к общему нынолу 11ключа,Силовой вывод 1 О ключа череч на 15грузку 13 подключается к клемме 14 типа в обратном включении может бытьсоединен дополнительный диод 15,Устройство функционирует следующим образом,При поступлении положительного импульса на управляющий вывод 12 ключаоткрывается транзистор 4 и далеетранзистор 3. Вследствие этого шунтирующий транзистор 2 запирается, ачерез прямосмещенный змиттерно-базовый пере. од транзистора 4 на затворключевого МДП-транзистора 1 подаетсяположительное напряжение. Транзистороткрывается, и через нагрузку 13 протекает ток.При поступлении управляющего импульса отрицательной полярности включающий транзистор 4 закрывается и прекращается подача положительного на. пряжения иа затвор ключевого МДП- транзистора 1. При этом открывающий транзистор 3 самоэапирается за счет отсутствия базового тока, чему способствует также дополнительный диод 15. После этого током через резисторы 6 и 7 открывается шунтирующий транзистор 2, обу.лавливая быстрый разряд емкости затвор-исток ключевого МДП-транзистора 1, в результате чего ток через него начинает уменьшаться, а напряжение на силовом выводе 10 увеличивается. Конденсатор 9 при этом начинает заряжаться, что приводит к увеличению тока базы шунтирующего транзистора 2 и росту степени его насыщения Параэитная емкость затвор-сток МДП-транзистора 1препятствует запиранию этого транзистора, так как напряжение на его загворе также увеличивается, Для устранения этого эффекта и служит дополнительная цепь положительной обратной связи через конденсатор 9 и резистор 7 к базе шунтирующего транзистора 2, коллекторный ток которого препятствует увеличению напряжения на затворе МДП-транзистора 1. Тем самым уменьшается длительность спада тока стока и, следовательно, уменьшается мощность, рассеиваемая транзистором 1 на этапе его выключения. Конденсатор 9 разряжается во время открытого состояния транзистора а защитный диод 5 снимает отрицательное напряжение с база-эмиттерного перехода транзистора 3,Составитель В.ЛементуевТехред Л,Олийнык Корректор С.Черни Редактор Н,Лазаренко Заказ 622 Тираж 467 ПодписноеВН 1 ЯПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113 ПЗ 5, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", 1.ужгород, ул, Гагарина,10 5 16 Формула изобретенияПолевой транзисторный ключ, содержащий ключевой МДП-транзисгор, включенный между силовым и общим выводами ключа, шунтирующий и открывающий транзисторы, включающий транзистор дополнительного типа, диод и три резистора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия уменьшения мощности, рассеиваемой ключевым МДП-транзистором, в него введен конденсатор, включенный параллельно с первым резистором между силовым выводом и первым выводом вто 33486 6рого резистора, второй вывод которого соединен с базой шунтирующеготранзистора, коллектором открывающеготранзистора и катода диода, причемзатвор ключевого МДП-транэистора соединен с коллектором шунтирующего транзистора и базой включающего транзистора дополнительного типа, эмиттер которого подключен к управляющему выводу ключа, а коллектор через третийрезистор - к базе открывающего транзистора, эмиттер которого соединенэмиттером шунтирующего транзистора,анодом диодаи общим выводом ключа.