Элемент оптической памяти

(51)5 С 11 С 11/42 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЭОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИкПРИ ГКНТ СССР К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Дрогобычский государственныйпедагогический институт им,И.Я,Франко(56) Патент США 1 3660818, кл, 3401723, опублик. 1972,Авторское свидетельство СССРВ 69956/, кл. С 11 С 11/42, 1979,(54) ЭЛЕМЕНТ ОПТИЧЕСКОЙ ПАЮТИ(57) Изобретение относится к вычисли.,8016 7459 А 1 тельной технике, в частности к оптоэлектронным системам хранения и обработки информации, Целью изобретенияявляется расширение спектральногодиапазона оптической чувствительностиэлемента оптической памяти, Элементоптической памяти содержит прозрачнуюдиэлектрическую подложку 2; полупрозрачные электроды 3 и 4, раэме нныймежду ними слой 5 органическо 1 о Фотополупроводника, обладаюаего фото лентретным и пироэлектрицескнм эффектоми отсутствии впевиего электрическогополя, Слой 5 выполнен из 4-пнтроаминодифенила, 1 ил,Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к оптоэлектронным системам хранения и обработки информации.Цель изобретения - расширениеспектрального диапазона оптическойчувствительности элемента оптическойпамяти.На чертеже изображен элемент оптической памяти.На чертеже показаны пучок 1 света,несущий информацию, прозрачная ди".электрическая подложка 2, полупрозрачные электроды 3 и 4, полученныетермическим испарением, слой 5 органического фотополупроводника, обладающегс фотоэлектретным и пироэлекттрическим эффектом при отсутствиивнешнего электрического поля, и считыванхций пучок 6 света.Элемент оптической памяти работает следующим образом.При прохождении пучка света, несущего инФормацию.1, через диэлектрическую подложку 2 и полупрозрачныйэлектрод 3 в активном слое 5 создается фотоэлектретное состояние (оптическая память), характер распределения которого воспроизводит Форму пучка света, несущего информацию. Считынающий ИК-свет (пучок Ь света ), вызываетпироэффект в активном слое 5, сигналкоторого в кажпой точке органическогофотопироэлектрика определяется величи 35ной фотоэлектретного состочния и пироэффекта.1Запись и считывание оптической информации можно производить также через один из прозрачных электродов 3 40или 4,Активный слой из Фотопироэлектрикапозволяет многократное считывание оптической информации в широком диапазоне длин волн считывающего пучка 45света при однократной записи информации, Одновременно такой активный слойустраняет необходимость во внешнемисточнике электрического поля в связис тем, что в органических Фоточувствительных пироэлектриках спектральноераспределение пироэлектрическоьо эффекта частично перекрывается о длинноволновой примесной фотопроводимостьюв видимой области спектра, Этот фактдает возможность при импульсном облучении из области спектров перекрытияфотопроводимэсти и лироэффекта создавать нераннонесные носители, которые под действием возникшего пироэлектрического поля смещаются, а эахватываясь локальными центрами создают неод"нородное распределение носителей,вследствие чего образуется фотоэлектретное состояние, т.е. оптическаяпамять в фотопироэлектрике, неличинакоторого в каждой точке будет определяться экспозицией пространственнораспределенного света и величиной пироэлектрического поля, Время действиясвета при .записи информации не должнопревышать тепловой постоянной пироэффекта. В противном случае эа времяпревышающее тепловую постоянную будетразрушаться оптическая память, Прииспользовании в качестве активногослоя 4-нитро-аминодифенила толщиной 0,3-1 мкм тепловая постоянная из-бменяется от 10 с до 10 с н зависимости от толщины пленки, вида диэлектрика и его толщины, который исьольэуется в качестве подложки.При считывании оптической информации инфракрасным светом (ИК) длинойволны в диапазоне 1- 14 мкм, вызывающим только пироэффект, неличина пироэлектрического сигнала определяетсяистинным пироэффектом и потенциальнымрельефом фотоэлектретного состояния,отображающего записанную оптическуюинформацию. Время считывания оптической памяти также определяется теплоной постоянной пироэффекта,Время существования фотоэлектретного состояния определяется температурой фотопироэлектрика, глубиной залегания локальных центров и сечением захвата ими носителей, Так фотоэлектретное состояние н 4-нитро 4-аминодифениле существует н темнотепри комнатной температуре на протяжении 2-3 сут и более, а при понижениитемпературы, до 220 К, что легко достигается с помощью микрохолодильников, неограничено долго. Стираниезаписанной информации можно произвести светом, вызывающим фотопронодимость, повышением температуры, атакже светом, освобождающим носителис локальных центров,Формула и э о б р е т е н и я 1. Элемент оптической памяти, содержащий прозрачную диэлектрическую подложку, иа поверхности которой последовательно размещены первый прозрачный электрод, светочувствительныйСоставитель С,СамуцевичРедактор А.Ренин Техред Й.Олийнык Корректор С.Черни Заказ 4120 Тиран 487 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Иосква, Ж"35, Рауюская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,уагород, ул . Гагарина, 101 161 запоминающий слой и второй прозрачный электрод, о т л и ч а ю щ и й " с я тем, что, с целью расюирения спектрального диапазона оптической чувствительности элемента, светочувствительный запоминающий слой выполнен из фотополупроводникового органического материала, обладающего фотоэлектретным н пироэлектрическим свой 1459ествами в отсутствии внешнего электрического поля.2. Элемент по п.1, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что в качестве фотополупроводникового органическогоматериала, обладающего фотоэлектретным и пироэлектрнческим свойствамив отсутствии внешнего электрическогополя, применен 4-нитро-аминодифенил.