Галишникова

Номер патента: 325482

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Биленко, Галишникова, Научно, При, Пылаев, Смирнов, Физики, Чернышевского

МПК: G01B 11/06

Метки: образования, пленок, скорости, толщины

...затем облучают указанную решетку внешним когерентным источником излучения и регистрируют из 3был бы порядка 10 - 100 Х, где Х - длина волны лазерного излучения. Кроме того, четкоеразделение максимумов и минимумов интенсивности в дифракционной картине зависит отчисла периодов решетки. Решетка, состоящаятолько из одной полоски окисла, окруженнойосновной подложкой кремния, дает достаточно четкую дифракционную картину распределения интенсивности.В процессе селективного эпитаксиальногонаращивания, когда пленка растет только наоткрытых участках кремниевой подложки и нерастет на окисле, будет происходить изменение фазы луча, отраженного от подложки. Фаза же луча, отраженного от окисленного участка, изменяться не будет. Таким...