ZIP архив

Текст

Мо 157158 Класс С 061; 42 п, 36г С 1 э ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Л 0 174Э. И. Голованевский и В. И. Говардовский СПОСОБ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИХСИСТЕМЗаявлено 28 цевраля 1962 г. за М 767317;26.24в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Чинпстров СССР Опубликовано в Боллетене изобретений и товарных знаков,м . за 196 ф г.Известны способы моделирования электронно-оптических систем с применением токовводяцих элементов методом последовательных приближений.Предлагаемый способ моделирования электронно-оптических систем отличается от известных тем. что для непосредственного определения формы электродов системы, создаюцих поток электронов с наперед заданными криволнейными траекториями, вычисляот по заданной картине электронных траекторий плошадь поперечных сеченй элементарных трчбок тока у каждого токоввод 51 цего электрода и 1 г катода и объем, обслуживаемый каждым токовводяцим электродом. Полученные параметры вводят в решающий блок, измеряют системой зондируюцих электродов параметры электролитической ванны, по которым с помоцью решаюшего блока непрерывно вычисляют и устанавл;вают величины токов, вводимых в электролит. Форму фокусирующих электродов подбирают так, чтобы на заданной границе пучка в ванне выполнялось в2 Г г 7 Егг каждой точке условие о =, где о, й и - соответственно рагПпп диус кривизны траектории электрона, потенциал и его нормальная производная в данной точкеНа чертеже дана блок-схема установки для осуществления предложенного способа.157158Согласно теории формирования электронных пучков, ток, подаваемый на токовводяший электрод, моделирующий объемный заряд, может быть вычислен по формуле.1= - а49где о - проводимость электролита;з,- - потенциал близкой к катоду эквипотенциали;Х - - ее расстояние от катода;э - потенциал над данным токовводящим электродом,5- площадь поперечного сечения элементарной трубки тока уданного токовводящего электрода;5 - площадь поперечного сечения той же трубки тока у катода;О - объем, обслуживаемый данным токовводящим электродом.Предложенный способ заключается в следующем.Напряжение з с зонда 1, расположенного на фиксированном рассояии Х от катода 2, подают на олок 1, дающий на выходе напряжезо 2ние, пропорциональное величине, что эквивалентно вычислениюХ,плотности тока с катода 2,Напряжение с выхода блока 1 поступает на блок П, осуществляющий умножение на и, и затем на ряде идентичных ячеек, к выходам которых подключены токовводящие электроды 3. Каждая ячейка состоит8из блока П 1, осуществляющего умножение на -О, и из блока 11,осуществляющего деление на 1 о, Потенциалы зснимаются с поверхности электролита системой зондов 4, расположенных над соответствующими токовводящими электродами. Перед работой в установку5вводят относительные величины - О, рассчитанные по заданномуПходу траекторий. На выходе блока У получается ток, равный 1.Предложенный способ моделирования электронно-оптических систем позволяет автоматизировать расчет токов и уменьшить по сравнению с известными методами последовательных приближений число необходимых опытов.Предмет изобретенияСпособ моделирования электронно-оптических систем, создающих поток электро 11 ов, в электролитической ванне с токовводящими электродами, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью непосредственного определения формы электродов системы, создающих поток электронов с наперед заданными криволинейными траекториями, вычисляют по заданной картине электронных траекторий площадь поперечных сечений элементарных трубок тока у каждого токовводящего электрода и у катода и обьем, обслуживаемый каждым токовводящим электродом, вводят получеппь.с параметры в решающий блок, измеряют системой зондирующих электродов параметры электролитической ванны (потенциалы "ъ и э) по которым с помощью решающего блока непрерывно вычисляют и устанавливают величины токов, вводимых в электролит, подбирают формуЯ 157158 фокусирующих электродов так, чтобы на заданной границе пучка в ван 2 УГне выполнялось в каждой точке условие р =,1 ц, где р, У ипийи соответственно радиус кривизны траектории эчектрона. потенциал и егонормальная производная в данной точке. Составитель ико. А, Камышникова Корректор В. П, Фомин Тек афина Редакт 08/1 изобретешшва, д. 4. ография, пр. Сапунова, 2 1 одп. к печ. 2611 Х - 63 г. ФорматЗак. 2353/16 ТиЦНИИПИ Государственного комитетаМосква, Центр бум 70 раж 725 по делам пр. Сер г -иГ ф 1

Смотреть

Заявка

767317

МПК / Метки

МПК: G06G 7/42, G06G 7/48

Метки: 157158

Опубликовано: 01.01.1963

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-157158-157158.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">157158</a>

Похожие патенты