Пироэлектрическое приемное устройство

)5 Ь 01 1 5/10 ИСАН ИДЕТЕЛ ЬСТВУ К АВТОРСКО ГОСУДАРСТВЕННЪЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР(71) Институт физики АН УССР(57) Изобретениедля измерения хар относится к устройствам актеристик интенсивного Изобретение относится к измерительной технике, в частности к устройствам для измерения характеристик интенсивного лазерного излучения.Цель изобретения - повышение точности и расширение динамического диапазона в сторону верхней границы.На чертеже изображено пироэлектрическое приемное устройство.На боковой поверхности чувствительного элемента 1 расположены электроды 2, подключенные к согласующему усилителю 3.Пироэлектрическое приемное устройство работает следующим образом,Поток излучения попадает в центральную область чувствительного элемента 1 из монокристалла, прозрачного в заданной области спектра, и вызывает в нем неоднородный осесимметричный нагрев и связанные с ним механические напряжения, Третичный пироэффект, вызванный этими напряжениями, приводит к появлению в объеме лазерного излученич. Цель изобретения - повышение точности и верхней границы динамического диапазона - достигается путем выполнения в пирозлектрическом приемном устройстве чувствительного элемента из монокристалла в виде диска с электродами на тех участках боковой поверхности, в которых отличны ат нуля функции, определяющие угловую зависимость электростатического потенциала для срезов ряда кристаллов в соответствии с расчетными формулами, приведенными в формуле изобретения, В этом устройстве используются более температурностабильные срезы монокристалла, а форма диска уменьшает величины поперечных градиентов температуры, 1 ил. чувствительного элемента 1 поляризации, направление которой в определенных кристаллографических классах может лежать в плоскости диска, При атом в одних секторах диска вектор поляризации может иметь направление от центра к боковой поверхности, а в других секторах - наоборот, от боковой поверхности к центру диска, Это приводит к тому, что различные части боковои поверхности заряжаются связанными зарядами различных знаков. В силу этого при нанесении электродов 2 на боковые поверхности, заряженные одним знаком, с последующим соединением электрически одноименных электродов 2, .получают два электрода, разность потенциалов между которыми и представляет выходной сигнал чувствительного элемента 1, который усиливается согласующим усилителем 3,Поведение электростатического потенциала Чи на боковой поверхности всецело определяется кристаллографическим клас 1542 ОЗсом используемого материала и типом егосреза. Анализ всех этих классов и их срезовна наличие поперечного третичного пиразффекта, возникающего при облучении приемника излучением, приводящим к 5появлению осесимметричных напряжений,приводит к следующим функциям, определяющим угловую. зависимость электростатического потенциала для различныхкристаллографических классов и соответст Ооующих срезов:Чц = сЬр.эмап р(4 соэ- 1)для сеза г кристалла класса Зв,Ч - бц,соэ р(4 зи р)Ч = й залпу содр 15, для срезов г и у соответственно кристаллакласса,32Чу = бган созе эЬ уЧ" =дц эп совудля срезов х и у соответственно кристалла 20класса б,где 0йг - и ьезомодули кристалла;р- полярный угол в плоскости срезакристалла,Повышение точности и верхней границы динамического диапазона обусловлено, использованием в устройстве более емпературостабильных срезов кристалла, а также выполнением чувствительного элементаг виде диска, что уменьшает величины попе- ЗОречных градиентов температуры.Оормула изобретенияПироэлектрическое приемное устройство, содержащее чувствительный элемент изманок ристалла, на боковую поверхность которого нанесены электроды, подключенные к согласующему усилителю, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повышенияточности и расширения динамического диапазона в сторону верхней границы, чувствительный элемент выполнен в виде диска сэлектродами на тех участках боковой поверхности, в которых функция, определяющаяугловую зависимость электростатическогопотенциала и имеющая видЧ =. б 22 Мп р(4 соз р - 1)для среза г кристалла, принадлежащего ккристаллографическому классу Згп, отличнаот нуля, или функции, определяющие угловую зависимость электростатического потенциала и имеющие виуЧ 4 = д з 1 соз р 4 эп р),= 011 8 и ф сов фдля срезов г и у соответственно кристалла,принадлежащего к кристаллографическомуклассу 32. отличны от нуля, или функции,определяющие угловую зависимость электростатического потенциала и имеющие видЧу = д 22 созе эи фЧ" =дц э 1 пэ соэ рдля срезов х и у соответственно криасталла.принадлежащего к кристаллографическомуклассу б, отличны от нуля,где б 11, ба - пьезом .дули кр сталла;р- поляргный угол вплоскости срезакристалла,при этом электроды, покрывающие областис одним и тем же знаком функции, определяющей угловую зависимость электростатического потенциала, электрически соединенымежду собой и подключены к входам согласующего усилителя.1542203 Составитель Г,ПлешкоТехред М.Моргентал едактор Б.Федот ектор Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина,акаэ 4645 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5