Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах

ОП ИСАЙИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветснмхСоциалистическихРеспублнн и 1 8 7615во делен нзабретенн 11 н отхритн 11Опубликовано 3010. 81Бюллетень,Рв 40 Дата опубликования описаний 30. 1081(54) ЗАПОМИНАИЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦИД,1,Известны запоминающие устройст 5 ва для записи и считыванияинформации на ЦМД, содержащие кристалл с нанесенным рисунком токопроводящих и магнитных аппликаций, помещенный в источник магнитного поля продвижения 11 и Г 21Для записи и считывания информации накопитель подключен к формирователю тока управления и продвижения магнитных доменов Г 31.Недостатком этих устройств является неудовлетворительное быстродействие при считывании информацииНаиболее близким по технической сущности к настоящему изобретению является запоминающее устройство, которое содержит накопители на ЦМД, источники магнитного поля продвижения, каждый из которых соединен с группой из четырех формирователей тока продвижений, и шины управле" ния Г 43.К недостаткам этого устройства следует отнести значительное время выборки информации, обусловленное тем, что данные передаются и принимаются в каждый накопитель только в последовательной форме, Большая часть блоков, кроме относящихся к выбранному накопителю не работает.Цель изобретения - повышение информационной емкости и быстродействия устройства.Поставленная цель достигается тем, что в запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах., содержащее два накопителя, два источника магнитного поля продвижения, каждый из которьм связан с соответствующим накопителем, две группы формирователей тока продвижения по четыре формирователя в каждой и две группы шин управления по четыре ши 87761ны в каждой, причем выходы формирователей тока продвижения первойгруппы соединены соответствующимивходами первого источника магнитного поля продвижения, выходы формирователей тока продвижения второйгруппы - с соответствующими входамивторого источника магнитного поляпродвижения, а входы первых двухформирователей тока продвижения каж- Одой группы - с соответствующими шинами управления первой и второй групп,введены дополнительный накопительинформации и связанный с ним дополнительный источник магнитного поля зпродвижения, две группы элементов Ипо четыре элемента в каждой и дополнительная группа четырех шин управления,причем входы вторых двух формирователей тока продвижения каждой группыподключены к выходам соответствующихэлементов И, первые входы элементовИ первой группы подключены к соответствующим шинам управления первойгруппы, вторые входы элементов И первой группы и первые входы элементовИ второй группы подключены к соответствующим шинам управления дополнительной группы, вторые входы элементов И второй группы подключены к соответствунзцим шинам управлениявторойгруппы, первый и треюий входы дополнительного источника магнитногополя продвижения подключены соответственно к второму и четвертому входампервого источника магнитного поля35продвижения, второй и четвертый входы - соответственно к первому и третьему входам второго источника магнитного поля продвижения.40Кроме того, каждый формирователь1тока продвижения состоит из двух последовательно соединенных ключей,шунтированиых выпрямительными элемен"тами.На фиг. 1 показано запоминающееустройство, на фиг. 2 - конструкцияформирователя тока продвижения.Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах содержитнакопители 1, источники магнитного Ополя продвижения с катушками 2 и 3,Одноименные входы источников магнитного поля всех накопителей включеныпоследовательно друг другу. Точкисоединения двух соседних катушек в 55источниках магнитного поля связаныс выходами формирователей 4 и 5 токапродвижения, Входы всех формирова 54телей тока продвижения кроме первого б и 7 и последнего 8 и 9 вкаждой группе, связаны с выходамиэлементов И 10 и 11, Входы первыхформирователей б и 7 тока продвижения соединены с первыми входами элементов И 1 О и 11 вторых формирователей 4 и 5 тока продвижения. Вторыевходы элементов И 1 О и 11 второйгруппы соединены с первыми входамиэлементов И последнего формирователя и т.д. Вторые входы элементовИ 10 и 11 предпоследнего формирователя связаны со входами последнегоформирователя 8 и 9. Точки соединения входов первого, последнего фор"мирователей и элементов И каждой группы связаны с выходами блока 12 шинуправления,Формирователь тока продвижения(фиг. 2) содержит ключи втекающего13 и вытекающего 14 тока, включенные последовательно. Параллельно каждому ключу включены диоды 15 и 16для рекуперации энергии. Входы формирователей 17 и 18 связаны со входами ключей 13 и 14, а выход 9 сосредней точкой 20 соединения ключей 13 и 14,Сигнал с блока 12 шин управлейияпоступает по шинам управления 21-32одновременно на входы формирователейб и 7, 4 и 5, 8 и 9. Сигналы управле"ния на вторых входах источников 3магнитного поля накопителей смещены по фазе относительно сигналовуправления на первых входах источников 2 магнитного поля накопителейна угол 90 . Для уменьшения потребляоемой мощности фазовые сигналы управления подаются со скважностью 114.Эо позволяет в одну четверть периода заряжать одну иэ катушек источника магнитного поля через открытыйключ, а во вторую четверть разряжатьчерез диод,Для сокращения времени доступа к накопителям сигнал фазового управления одновременно подается на несколько входов формирователей тока, подключающих соответствующие источни" ки магнитного поля продвижения. Так по сигналу управления с первой фазой, приходящему, например, по шинам 21, 25, 29, подключаются катушки 2 источников магнитного поля накопителей и через них протекает ток в направлении от вывода, обозначенного точкой.25 Формула изобретения Запоминающее устройство на45 цилиндрических магнитных доменах, содержащее два накопителя, два источника магнитного поля продвижения, каждый из которых связан с соответствующим накопителем, две группы фор 50 мирователей тока. продвижения по четыре формирователя в каждой и две группы шин управления по четыре шины в каждой, причем выходы формирователей тока продвижения первой группы соединены с соответствующими входами нервого источника магнитного поля проПо сигналу управления со второйФазой, поступающему по шинам 23, 27,31, включаются, катушки 3 источниковмагнитного поля во всех накопителяхи одновременно отключаются катушки 2источников магнитного поля. Запасенная магнитная энергия в катушках 2источников магнитного поля спадает.По сигналу управления с третьейфазой, поступающему по шинам 22, о26, 30, включаются вновь катушки 2источников магнитного поля. Ток, протекающий через укаэанные элементв,имеет направление, противоположноетоку протекающему при воздействии 15сигнала с первой фазой сигнала.По сигналу управления с четвертойфазой, поступающему по шинам 24,28, 32, вторично включаются катушки3 источника магнитного поля и отключаются катушки 2 источника магнитного поля. Направление тока через катушки 3 источника магнитного поляреверснруется на противоположноенаправление.Начиная со следующей фазы сигналауправления процессы в накопителях -нарастание и спаданне энергии магнитного потока - повторяются. Векторымагнитного поля в каждом накопителеописывают окружность, что и необходимо для продвижения доменов.Источники магнитного поля соседнихнакопителей подключаются одновременно, поэтому продвижение доменов осуществляется одновременно. Одновременное продвижение доменов позволяет надежно выводить информацию в параллельном коде с экономией времени,необходимого для получения нужнойинформации. движения, выходы формирователей токапродвижения второй группы - с соот"ветствующими входами второго источника магнитного поля продвижения, авходы первых двух формирователей тока продвижения каждой группы - с соответствующими шинами управления пер-.вой н второй групп, о т л и ч а ю -щ е е с я тем, что, с целью повышения информационной емкости и быстродействия устройства, в него введены дополнительный накопитель информации и связанный с ним дополнительный источник магнитного поля продвижения, две группы элементов И почетыре элемента в каждой и дополнительная группа четырех шин управлений,причем входы вторых двух формирователей тока продвижения каждой группы подключены к выходам соответствующих элементов И, первые входы элементов И первой группы подключены ксоответствующим шинам управленияпервой группы, вторые входы элементов И первой группы и первые входыэлементов И второй группы подключенык соответствующим шинам управлениядополнительной группы, вторые входыэлементов И второй группы подключенык соответствующим шинам управлениявторой группы, первый и третий входыдополнительного источника магнитногополя продвижения подключены соответственно к второму и четвертому входам первого источника магнитного по"ля продвижения, второй и четвертыйвходы - соответственно к первому итретьему входам второго источникамагнитного поля продвижения.2, Устройство по п. 1, о т.л ич а ю щ е е с я тем, что каждый формирователь тока продвижения состоитиз двух последовательно соединенныхключей, шунтированных выпрямительными элементами.Источники информации,принятые во внимание при экспертизеПатент США У 3952292,кл. 340-174 ТГ, опублик. 1975.2. Патент США У 3946373кл, 340,174 ТГ, опублик, 976.3. Авторское свидетельство СССРУ 478427, кл. Н 03 К 4/60, 1978.4, Мэвити Уильям К. ПрименениеЦМД ЗУ в массовой памяти. - "Электроника", 1979, В 7, с. 36-43 (прототип).877615 Составитель В.КостинРедактор Е.Папп Техред С. Мигунова Корректо енц цтиал ППП Патент , г. Ужгород, ул. Проекгная,18 Я 1 3 625 7 Тираж 648 ВНИИПИ. Государственн по делам иаобретен 313035, Москва, ЖПодписноео комитета СССРи открытийРаушская наб., д.