Способ обработки электронно-лучевой трубки

Номер патента: 1443820

Авторы: Джодат, Франк

ZIP архив

Текст

, М,: Энер(54СПОдСЛУЧЕЗОЙ Т (57) Изоб вакуумной пользован Б ОБРАБО УБКИ етение о КИ ЭЛЕКТРОННОсится к элек ожет быть ис ехнике и и технол гии производстварубок (ЭЛТ)меньшение коли-лучевыхетения электроБель из ГОСУДАРС" ТЗЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОТ ЕТЕНИй И ОтКРЫтИй(72) джодат Ибрагим Нубании франк Станлей Савики (П(56) Патент США У 2917357кл, 316-27. 1959.Производство цветных кПод.рад. В,И.Барановскогогия, 1978, с, 252-272,чества темных точек, окруженныхореолом на люминесцентном экране, -достигается за счет придания электрической проводимости заряженнымдиэлектрическим частицам, прилипшимк маске ЭЛТ, путем нанесения на нихпленки металлического бария приповторном распылении газопоглотителя,Согласно способу после сборки, откачки и герметизации размещенный внутрколбы ЭЛТ держатель газопоглотителянагревают с помощью индукционной катушки. Смесь никеля и бариево-алюминиевого сплава, находящаяся в держателе, после нагревания реагируетэкзотермически, испаряет.металлический барий и остаток этого сплава иметаллического бария остается в дер -жателе, Описанный способможет применяться для обработки ЭЛТ, имеющихмаску с апертурными отверстиями, идругих ЭЛТ, имеющих различные типымасок с отверстияпд.2 20 14438 1Изобретение относится к электровакуумной технике и может использоваться в технологии производстваэлектронно-лучевых трубок (ЭЛТ),Цель изобретения - уменьшение количества темных точек, окруженныхореолом на люминесцентном экране, засчет придания электрической проводимости заряженным диэлектрическимчастицам, прилипшим к маске ЭЛТ, чтодостигается нанесением на них пленкиметаллического бария при повторномраспылении газопоглотителя,Способ осуществляют следующимобразом.При изготовлении ЗЛТ осуществляютоперации сборки, откачки и герметизации. Размещенный внутри колбы ЭЛТдержатель газопоглотителя нагревают 20с помощью индукционной катушки. На: ходящаяся в.держателе смесь никеляи бариево-алюминиевого сплава посленагревания реагирует экзотермически,испаряет металлический барий и остаток,из алюминиево-никелевого сплава и металлического бария остаетсяв держателе, Пары бария осаждаютсяв виде газопоглощающего слоя металлического бария в основном на внут- ЗОренней поверхности маски ЭЛТ, а такжена части покрытия конуса ЗЛТ. Общее количество используемого метал. -лического бария, заключенного в держателе, обычно составляет 265 мг.Однако экзотермическая реакция выделяет в среднем примерно 180 мгбария. Для того, чтобы обеспечитьколичество бария, достаточное длягазопоглощения, необходимо, чтобы 40во время распыления выделялось,примерно 50-70% имеющихся 265 мг бария, Общее количество выделяемого бария регулируется изменением временииндукционного нагрева после начала 45экзотермической реакции.Во время последующих операцийобработки и испытаний ЭЛТ, включающих высоковольтный прожиг разрядногопромежутка, начальную стадию активировки, прокалку катода при повышенном напряжении накала, первуюнизковольтную тренировку, первоначальные испытания, проверку на взрывобезопасность, контроль наружногопокрытия, контроль прочности швасклейки оболочки ЭЛТ, высокочастотный высоковольтный прожиг, окончательную низковольтную тренировку и заключительные испытания, ЭЛТ переворачивается и подвергается воздействию высоких напряжений, В это время механически или под действием электрических сил различные частицы могут перемещаться к маске ЗЛТ, Попавшие на маску электропроводные частицы могут быть удаленымеханической вибрацией, нагревом маски переменным магнитным полем и механическим перемещением под действием управляемого внешнего магнита. Однако укаэанные методы являются малоэф- Фективными в смещении диэлектрических частиц, например стеклянных. Стеклянные частицы могут крепко прилипнуть к маске или благодаря взаимодействию электростатических зарядов, или за счет адгезии между диэлектрическими частицами и маской, обусловленной взаимной диФФузией атомов у границы раздела между стеклом и металлом под действием приложенного электрического поля, Поскольку результирующая сила адгеэии стекла с металлом может увеличиваться при поверхностной обработке компонентов, пленка металлического бария, покрывающая маску после первичного распыления газопоглотителя, способствует прилипанию стеклянных частиц за счет создания гладкой, чистой проводящей металлической поверхности.Диэлектрические частицы, прилипающие к маске ЗЛТ, становятся отрицательно заряженными под действием электронных лучей и отклоняют эти лучи от соответствующих апертурных отверстий маски, вызывая появление блокированных апертурных отверстий маски и, как следствие, появление черных пятен, окруженных ореолом блокированные ореолом апертурные отверстия) на экране ЭЛТ.Эксперименты показали, что ЭЛТ, в которые были исскуственно введены стеклянные частицы, демонстрировали сотни блокированных ореолом апертурных отверстий.В связи с невозможностью удаления стеклянных и других диэлектрических частиц из ЭЛТ без нарушения вакуумной монолитности оболочки способ включает дополнительную операцию обработки, направленную на создание на диэлектрических частицах, прилипших к теневой маске, электропроводного покрытия, позволяющего исключить1463820 ВНИИПИ Заказ 6404/59 Тираж 7 чб Подписное Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 отклонение электронных лучей отрицательно заряженными частицами.Количество блокированных ореолом апертурных отверстий уменьшается за счет повторного распыления газопоглотителя в последней стадии образования частиц в производственном ,процессе. Поскольку в держателе газопоглотителя содержится металлический барий, оставшийся после первоначального экзотермического распыления, барий может эндотермически освобождаться из держателя и осаждаться в качестве вторичной пленки газопоглотителя на внутренней поверхности маски и на части покрытия конуса ЭЛТ, а также на заряженных частицах, прилипших к маске. Это осуществляется за счет индуктивного нагрева держателя газопоглотителя в течение времени, достаточного для испаренияоставшегося металлического бария,Это небольшое количество металлического бария является достаточным для 25того, чтобы сделать электропроводны- фми диэлектрические частицы, прилипшие к маске ЭЛТ, После первоначального управляемого распыления газопоглотителя в держателе остается 25- 30 507 металлического бария,для повторного распыления.Стадию повторного распыления осуществляют непосредственно после высокочастотного высоковольтного прожига и перед окончательной низковольтной тренировкой, При этом держатель газопоглотителя индуктивно нагревают в течение 30-60 с. В течение этого времени металлический барий осаждается 40 в качестве вторичной пленки газопоглотителя на первичной пленке, ранее нанесенной на внутреннюю поверхность маски и на часть покрытия конуса ЭЛТ. Вторичная пленка газопоглотителя 45 осаждается также на любые диэлектрические частицы, прилипшие к первичной пленке газопоглотителя, обеспечивая электропроводность этих частиц, Вторичная пленка газопоглотителя 50 может содержать до 60 мг бария, Обший выход бария при повторном распылении газопоглотителя может менятьсяот ЭЛТ к ЭЛТ и зависит от того, какосуществлено соединение между индукционной катушкой и держателем газопоглотителя, от количества оставшегося бария в держателе газопоглотителя, доступного для повторного распыления газопоглотителя, и от временинагрева при повторном распылении га:.зопоглотителя. Предлагаемый способ может применяться к ЭЛТ, имеющей теневую маску с апертурными отверстиями, и другим ЭЛТ, имеющим различные типы масок с отверстиями. Формула изобретения Способ обработки электронно-лучевой трубки с герметичной вакуумированной оболочкой, маской с апертурными отверстиями, расположенной вблизи люминесцентного экрана, средствами для создания по крайней мере одного электронного луча для облучения люминесцентного экрана и средствами для нанесения пленки газопоглотителя на внутреннюю поверхность маски, включающий индуктивный нагрев газопоглотителя, напыление пленки газопоглотителя на внутреннюю поверхность маски, испытание прочности шв.1 склейки оболочки, высокочастотный высоковольтный прожиг и окончательную низковольтиую тренировку, о т л и ч а ю щ и Й с я тем, что, с целью уменьшения количества темных точек, окруженных ореолом на люминесцентном экране, за счет придания электрической проводимости заряженным диэлектрическим частицам, прилипшим к маске, первоначально напыляют пленку газопоглотителя, содержащую 50-75 Х материала газопогло-, тителя, а после высокочастотного высоковольтного прожига и перед окончательной низковольтной тренировкой осуществляют распыление оставшегося материала газопоглотителя.

Смотреть

Заявка

3466698, 27.07.1982

ДЖОДАТ ИБРАГИМ НУБАНИ, ФРАНК СТАНЛЕЙ САВИКИ

МПК / Метки

МПК: H01J 29/88, H01J 9/20

Метки: трубки, электронно-лучевой

Опубликовано: 07.12.1988

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1443820-sposob-obrabotki-ehlektronno-luchevojj-trubki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обработки электронно-лучевой трубки</a>

Похожие патенты