Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
/40 1)4 6 11 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ВИДЕТЕЛЬСТВ АВТОРСК ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(71) Львовскйй политехиическйй институт им. Ленинского комсомола(57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в нрограммируемых постоянныхзапоминающих устройствах. Цель изобретения - повышение надежности элемейта памяти. Поставленная цель достигается тем, что второй проводящий слойвыполнен из материала, не смачивающего поверхность подложки. 3 ил,656 Формула изобретения25 1339Изобретение относится к вычислительной технике и может быть испольэовано при изготовлении программируе-.мых постоянных запоминающих устройств,5Целью изобретения является повышение надежности элемента памяти засчет устранения возможного самопроизвольного стирания записанной информации. 10На фиг,1 представлен элемент памя"ти; на фиг.2 - элемент . памяти с записанной информацией; на фиг.3электрическая схема накопителя дляпостоянного запоминающего устройства, 15Злемент памяти содержит подложку1, выполненную, например, из кремния,первую и вторую, проводящие области2, образующие контактные площадки,третью проводящую область 3, которая 20образует перемычку, Третья проводящаяобласть 3 (перемычка). выполнена ввиде пленки иэ несмачивающего поверхность кремниевой подложки 1 материала, например легкоплавких припоев,индиевого припоя, а также других материалов, несмачивавающих кремниевуюподложку 1, нанесенных вакуумнымнапылением на поверхность кремниевойподложки 1. Область 3 электрически 30связана с Областями 2, которые изолированы друг от друга,Программирование осуществляетсяследующим образом,При подаче импульса тока плавкаяперемычка - область 3 переходит в жидкое состояние и за счет несмачиваемости поверхности кремниевой подложки 1 собирается на контактныхплощадках - областях 2, которые планкая перемычка (область 3) смачивает,Контактные площадки могут быть выполнены из меди, никеля, золота с адгезионным подлоем хрома, нихрома, ванадия, а также других материалов,имеющих высокую адгезию к подложке 1.При этом происходит нарушение электрического соединения между контактнымиплощадками, что соответствует записилогического нуля.В предлагаемом элементе памятипрограммирование осуществляется благодаря плавлению перемычки, материалкоторой за счет несмачиваемости поверхности подложки собирается на контактных площадках, прерывая электрическую связь между ними,Злемент памяти, содержащий подложку, первую и вторую проводящие области, расположенные на поверхности подложки третью проводящую область, расположенную на поверхностях подложки первой и второй проводящих областей, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, третья проводящая область выполнена из материала, несмачивающего поверхность подложк",.1339656 Составитель Б,ВенковТехред М,Дидык Корректор М,Пожо Редактор Н.Лазаренко Заказ 4232/44 Тираж 589 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5
СмотретьЗаявка
3997893, 30.12.1985
ЛЬВОВСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. ЛЕНИНСКОГО КОМСОМОЛА
МАТВИЙКИВ МИХАИЛ ДМИТРИЕВИЧ, ЮЗЕВИЧ ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, ДОРОШ ОЛЕГ ИОСИПОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Опубликовано: 23.09.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1339656-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Предыдущий патент: Корпус для доменосодержащего кристалла
Следующий патент: Универсальный сдвиговый регистр
Случайный патент: Ротор кустореза