Дешифратор строк для запоминающего устройства

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 85531 09) 111 р 4 С 11 С 8/00 САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ 4-24 Бюл иник 66 (О е свиС 1 В 25 /25,В 3и Ю.Н.Ер888)детельст1 С 8/0034736,опублик. емин СССР 983,197 РОК ДЛЯ ЗАПОИНА(.54) ДЕШИФРАТОР С ЮЩЕГО УСТРОЙСТВА (57) Изобретение вычислительной те использовано при льных микросхем п сится к области ники и может бытьостроении интеграмяти, Целью изобре М ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ССС ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС(21) 3868539/ (22) 19.03.85 (46) 23.01.87 (72) М.О.Ботв (53) 681.327. (56) Авторско У 117 1849, клПатент ФРГ кл. Н 03 К 13 тения является расширение областиприменения дешифратора за счет возможности использования его при изменении питающего напряжения. Для достижения этой цели в дешифратор введен формирователь уровня выбраннойстроки, а в каждый элемент И дешифратора - ограничительный резистор идва диода смещения, При этом изменения напряжения питания, связанныес выборкой микросхем памяти,не будутвлиять на значение напряжения на выходах дешифратора и не могут бытьпричиной ненадежной работы микросхемы памяти. 1 ил.1285531 Изобретение относится к Вычислительной технике и может быть исполь. -зована при построении интегральныхмикросхем памяти,1 ель изобретения - расширениеобласти применения дешифратора засчет обеспечения возможности использования при изменении питающего напряжения,На чертеже изображена схема дешифратора.Дешифратор содержит первую 1 ивторую 2 группы элементов И-НЕ, элементы И 3, формирователь 4 уровнявыбранной строки. Каждый элемент Исостоит из ключевого многоэмиттерного транзистора 5, усилительного транзистора 6, первого 7 и второго 8 ограничительных резисторов, первого9 и второго 10 диодов смещения. Насхеме показаны также входы 11 и выходы 12 дешифратора, шина 13 питания, управляющий вход 14, шины 15дешифрации25Дешифратор строк для запоминающего устройства работает следующимобразом.Если на входе 14 уровень напряжения равен уровню логического нуля,то элементы И-НЕ 1 и 2 выключены,выключен также формирователь 4 уров-,ня выбранной строки, и напряжениена всех шинах 15 дешифрации соответ ствует уровню выходного напряжениялогической единицы элементов И-НЕ 1 З 5и 2. При этом напряжение на базетранзистора 6 равно Б, а напряжение на выходах 12 равно Б -Б,тгде Б В - падение напряжения на пеЭ ТТ;40реходе эмихтер - база транзистора 6.Если на вход 14 подан уровень логической единицы, то в соответствиис уровнями напряжения на адресныхвходах 11 происходит установка элементов И-НЕ 1 и 2 в закрытое или от 45крытое состояние, причем если первый инвертор открыт, то второй закрыт, и наоборотСледовательно, наодних шинах 15 дешифрации будет низкий уровень напряжений, на других -высокий, Формирователь 4 обеспечивает на подключенных к нему эмиттерах транзисторов 5 некоторое постоянное напряжение П относительношины нулевого потенциала. При этомвозможны два режима работы; 1. "Строка выбрана". В этом режиме на всех эмиттерах транзистора 5 2высокий уровень напряжения (напряжение на них выше напряжения на выходе формирователя 4). При этом напряжение на базе транзистора 6 в ус" тановившемся режиме равно8 тб 9 Я эВт 5 . 59где Б- напряжение на выходеформирователя 4,11 эо 15 падение напряжения напереходе база - эмиттер транзистора 5;БЭ 9- падение напряжения надиоде 9.Напряжение на выходе 12 при этом равно2, "Строка не выбрана". В этом режиме хотя бы в одном из эмиттеров транзистора 5 низкий уровень напряжения (ниже выходного напряжения формирователя 4) за счет протекания тока по цепи: +Б резистор 7, диод 9, резистор 8, коллектор - эмиттер транзистора 5, открытые выходы . элементов И-НЕ, шина нулевого потенциала. Установившееся значение напряжения на базе транзистора 6 равноПБть =П +Пэть-+П фбэ 9 1где Б - уровень напряжения на выходе элемента И-НЕ во включенном состоянии,1Напряжение на выходе 12 при этом равно) о2 Втб эЬтб ЙИз рассмотрения работы дешифратора строки для запоминающего уст. - ройства вытекает, что кратковремен-, ные и быстрые изменения напряжения питания в режиме "Строка выбрана" равныи не могут оказать влияния на напряжение на выходе 12 и поэтому не могут быть причиной ненадежной работы микросхемы памяти. Формула изобретения Дешифратор строк длязапоминающего устройства, содержащий первую и вторую группы элементов И-НЕ, элементы И, каждый из которых состоит из ключевого многоэмиттерного транзистора, усилительного транзистора и первого ограничительного резистора, один вывод которого подключен к базе, а другой - к коллектору уси1285531 оставитель А,Дерюгин ехредЛ.Олейник Корректор М.Самборска Редактор А.Шишкин Подписноета СССРкрытий Заказ 7532/ Тираж 589 Государственного к о делам изобретений 5, Москва, Ж"35, Ра ВНИИПИ и наб., д. 4/ 13 с нно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная,роизво лительного транзистора и к шине питания, эмиттер усилительного транзистора является выходом дешифраторастрок, первый вход каждого элеМента И-НЕ второй группы соединен с выходом соответствующего элемента И-НЕпервой группы, вход которого является входом дешифратора строк, выходыэлементов И-НЕ соединены с эмиттерами ключевых многоэмиттерных транзисторон элементов И, о т л и ч а ю - .щ и й с я тем, что, с целью расширения области применення за счетобеспечения возможности использования при изменении питающего напряжения, в него введен формирователь уровня выбранной строки, вход которого соединен с вторыми входами элементов И-НЕ и является управляющимвходом дешифратора строк, выход соединен с дополнительным эмиттеромключевого многоэмиттерного транзистора, а в каждый элемент И введеныпервый и второй диоды смещения, аноды которых соединены соответственнос базой и эмиттером усилительноготранзистора, а катоды - соответственно с базой и коллектором ключевого многоэмиттерного транзистора, ивторой ограничительный резистор, вы",воды которого соединены с катодамидиодов смещения,