Стробируемый формирователь с парафазными ттл-выходами

,)758502 ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИ Е ТЕ ЛЬСТВУпо делам изобретений и открытийИзобретение относится к импульсной технике и может использоваться в быстродействующих компараторах напряжений.Известен стробируемый формирователь с парафазными ТТЛ-выходами, содержащий дифференциальный усилитель на транзисторах с нагрузочными резисторами в коллекторных цепях, ТТЛ-вентили, шины Строб А и Строб Б 1.Целью изобретения является уменьшение потребляемой стробируемым формирователем мощности. 1 ОДостигается это тем, что в стробируемый формирователь с парафазными ТТЛ-выходами, содержащий дифференциальный усилитель на транзисторах с нагрузочными резисторами в коллекторных цепях, ТТЛ-вентили, шины Строб А и Строб Б введены генератор опорных напряжений, первый, второй, третий и четвертый разделительные диоды, первый и второй дополнительные резисторы, первый и второй дополнительные транзисторы, дополнительный диф- о ференциальный каскад на транзисторах и дополнительный источник тока, причем соединенные эмиттеры транзисторов дополнительного дифференциального каскада подключены к дополнительному источнику тока, базы - к соответствующим базам транзисторов дифференциального усилителя, а коллекторы - к эмиттерам дополнительных транзисторов, к которым также подключены нагрузочные резисторы дифференциального усилителя, к коллекторам транзисторов которого подключены базы инверторов ТТЛ- вентилей, коллекторы дополнительных транзисторов подключены к шине питания, а базы через первый и второй разделительные диоды - к выходу генератора опорных напряжений и через третий и четвертый разделительные диоды соответственно к шинам Строб А и Строб Б. В указанном стробируемом формирователе с парафазными ТТЛ-выходами генератор опорных напряжений выполнен на двухэмиттерном транзисторе, коллектор которого подключен к шине питания, эмиттеры - к коллекторам транзисторов дифференциального усилителя, а база через первый и второй последовательно соединенные диоды смещения подключена к общей шине, и через третий дио смещения - к выходу генератора опорных напряжений, который черезограничивактщий резистор подключен к шинепитания.На чертеже приведена принципиальнаяэлектрическая схема стробируемого формирователя с парафазными выходами.Устройство содержит дифференциальныйусилитель на транзисторах 1 и 2 с нагрузочными резисторами 3 и 4 в коллекторныхцепях, транзисторы 5 и 6 инверторов ТТЛвентилей, шины Строб А и Строб Б 7и 8, генератор опорных напряжений, выполненный на двухэмиттерном транзисторе 9,ограничивающем резисторе0 и последовательно включенных прямо смещенных диодах 11, 12 и 13, разделительные диоды 14 -17, дополнительные резисторы 18 и 19, дополнительные транзисторы 20 и 21, дополинительныи дифференциальный каскад натранзисторах 22 и 23,генераторы тока 24и 25.Формирователь работает следующим образом.Пусть в исходном состоянии 1) эх = ЬД ит. е. выполняется условие баланса тогда,не учитывая напряжение разбаланса 1 приравняем его к нулю),1 к, =- 1 кэ = 1/21 гэПотенциалы без управляемых логическими импульсами транзисторов 20 и 21 с помощью генератора опорных напряжений зафиксированы на уровне 41)вэ, т. е. + 2,8 В,вследствие чего на эмиттерах транзисторов20 и 21 устанавливается потенциал 1)эо, , == ЗБвэ. При условии К э= К и1 ), = 1 ), = 31 )у - 1 к, К эВеличина К э и ток генератора 24 выбранытакими, чтобы К 4 1 э, = 1, К= 0,7 В, тогда 1 и, = 1.)к = 211 ьэ = 1:4 В.Таким образом формируется потенциальный уровень, равный примерно середине помехозащищающего корридора ТТЛ, при установлении которого оба инвертора на транзисторах 5 и 6 и остальные элементы ТТЛвентилей работают в активном режиме, пропуская значительные токи источника питания.40Всякий дифференциальнь;й сигнал (в томчисле напряжение смешения), прикладываемый ко входам А и В вызывает изменениеколлекторных токов 1 к, и 1, в результатечего коллекторные потенциалы изменяются 4противофазно, управляя таким образом базовыми токами инверторов на транзисторах5 и 6. которые в свою очередь управляютключевыми транзисторами, формирующимилогические уровни соответственно нуля иединицы.Пусть 1, = 1 гд что одновременно означает 1 х = О.Тогда 1.), = 1)5 = 31.)бэ -- 1 г К э, транзистор инвертора отсекается,формируя таким образом на выходе А уровень логической единицы, В то же время при и1 к, = О, 1-)к, = 21-1 ьэ, причем в базу транзистора 6 инвертора втекает ток 1 = 1/1(31-)Бэ - 2 ЬБэ, ---- , насыщая этот ийУбЭ вертор, что в свою очередь обеспечивает формирование на выходе В уровня логического нуля. Двухэмиттерный транзистор 9 фиксирует уровень Ьэ = 1)к 1,а = 1.)ьэ, ограничивая тем самым глубину отсечки транзисторов 5 и 6 и предохраняя транзисторы 1 и 2 от насыщения, что способствует повышению быстродействия.При подаче на вход Строб А низкого логического ТТЛ потенциала 1.)э снижается, повторяя этот приложенный уровень.Пусть ь" = 0,5 В - 1) -- 1,2 В; 1.)эдо -- = 0,5 Б, независимо от 1 к,. Тогда транзистор 5 отсекается, формируя на выходе А логическую единицу. При этом 1 1 э = = 1.)к )1.)эо, через ризистор 3 протекает ток 1 я -- (Ц - 1), ), перезаряжая паеэразитные емкости эмиттерного узла транзистора 20 прогизоположным по знаку зарядом. Это приводит к тому, что при снятии низкого логического потенциала с входа Строб А задний фронт стробирующего импульса па выходе А искажается тем больше, чем оольше 1)к, - 1)э,. Как показано выше Их -21)вэ, т. е. транзистор 1 отсечен. Для нейтрализации отрицательного влияпия эффекта перезаряда паразитных емкостей управляемых логическими импульсами транзисторов 20 и 21 в рассматриваемое устройство введен управляемый аналоговым сигналом транзисторный дифференциальный токовый каскад, собранный на транзисторах 22 и 23 и генераторе тока 25, причем базы его подключены к базам парафазного транзисторного дифференциального усилителя таким образом, чтобы при 1 к 1 = =- 0-1 = 1 гэ, т. е, противофазно. Тогда открытый транзистор 22 осуществит перехват тока перезаряда паразитных емкостей эмиттерного узла транзистора 20 и поддержит его работу в активном режиме.При 1= 1 гр ч подаче на вход Строб А импульса низкого ТТЛ-потенциала транзистор 20 не отсекается, и за счет этого перезаряда его емкостей не происходит.Положительный эффект использования предлагаемого изобретения заключается в том, что при оптимально выбранном токе генератора 25 суммарный ток, потребляемый стробируемым формирователем с парафазными ТТЛ-выходами составляет примерно половину тока, потребляемого устройством-прототипом при одних и тех же быстродействии и коэффициентах разветвления логических входов и выходов.Формула изобретения1. Стробируемый формирователь с парафазными ТТЛ-выходами, содержащий дифференциальный усилитель на транзисторах с нагрузочными резисторами в коллекторных цепях, ТТЛ-вентили, шины Строб А758502 д Б СоставительТхред К. ШуфТираж 995Государственного к лам изобретений н ква, Ж - 35, Раушс Патент г. Ужгоро В. Бугроврич КорректорПолпнсноеомнтета СССРоткрытийкая наб., д. 4/5д, ул. Проектная, 4 Шарошн Редактор Е. ГончарЗаказ 5697/56 ЦНИИПИпо113035, Млнал ППП и Строб Б, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, в него введены генератор опорных напряжений, первый, второй, третий и четвертый разделительные диоды, первый и второй дополнительные резисторы, первый и второй дополнительные транзисторы, дополнительный дифференциальный каскад на транзисторах и дополнительный источник тока, причем соединенные эмиттеры транзисторов дополнительного дифференциального каскада подключены к дополнительному источнику тока, базы - к соответствующим базам транзисторов дифференциального усилителя, а коллекторы - к эмиттерам дополнительных транзисторов, к которым также подключены нагрузочные резисторы дифференциального усилителя, к коллекторам транзисторов которого подключены базы инверторов ТТЛ- вентилей, коллекторы дополнительных транзисторов подключены к шине питания, а базы через первый и второй разделительные диоды - к выходу генератора опорных напряжений и через третий и четзертый разделительные диоды соответственно к шинам Строб А и Строб Б. 2. Стробируемый формирователь по п. 1,отличающийся тем, что в нем генератор опорных напряжений выполнен на двухэмиттерном транзисторе, коллектор которого подключен к шине питания, эмиттеры - к коллекторам транзисторов дифференциальногоусилителя, а база через первый и второйпоследовательно соединенные диоды смещения подключена к общей шине, и черезтретий диод смещения - к выходу генератора опорных напряжений, который черезограничивающий резистор подключен к шинепитания.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Ядле 11 ев с 11 р 1 а 11 пеаг МОЯ Ва 1 аВоок, 1974, р. 6 - 23 (прототип).