Способ эрозионных испытаний

Номер патента: 398910

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Сороко, Суетин

МПК: G02B 27/46

Метки: изображения, образ, преобразования, пространственно-частотный, структуры

...1 преп линзы б обратого приооосвещения,клцматиснабжено Фурье, ус- акционной получения тецев направлению ния и внешнимм устройство реобразования экраном и диф 4, центральныерасстояние, рав г ди ракционно п - целое число ( в пространственно-ч аце 5 отображаются р акции - изображе рядке - его Гильбе образец имеет фазов цой части поля зре тмость этого контр схематиче ство и т зования онохрома и трапсп я решет несены и Кроме того, дляра, некритичного кдлине волны излучеческим воздействилинзой обратноготановленной междурешеткой.На фиг. 1 и 2описываемое устройЛинзу 1 преобраколлимированцый нисточника 2. Позадлена дифракционнаштрихи которой раз ки изображены невой прибор. Фурье освещает ический пучок от ранта 3 устацова 4, центральные...

Номер патента: 664583

Опубликовано: 25.05.1979

Автор: Петрус

МПК: G03C 1/74

Метки: жидкости, листовой, нанесения, слоя, фотоматериал

...5 из металлического сердечника 6 со слоем гладкой резины 7, каналов 8делает положение валов 11 и 12 менее критическим, так как пластины могут смещаться в направлении, перпендикулярном к дизирующему ролику, и располагать-ся на этом ролике,формула изобретения 16Устройство для нанесения слоя жидкости на листовой фотоматериал, содержащее корпус, контактирующие между собой наносящий и доэирующий ролики, пластины, установленные вблизи краев цилидри ческой поверхности дозирующего ролика,лентопротяжный роликовый механизм со шлицованным прижимным ролйком и разбрызгиватель в виде перфорированной трубки, отличающееся тем, ЗО что, с целью снижения смачивания противоположной стороны листового фотоматериала, в нем пластийы собраны в блоки, каждый...

Номер патента: 1045313

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Шабанов, Шенгуров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, проводимости, слоев, структур, типа

...цншии компоцецтцв, мсГ.(Г:П.)явиковая к 31 слОтс 2,0-;Вода Остальцое а тип проводимости ццредслякт из соотццшеия линейных размеров образовавшихся ямок, причем меньшие размеры ямок соотвлствуют слоям р-типы, ы большие п-типа.На фиг. 1 приведена диаграммы, цокызыБаюшд 51 ОГряничеци 51 15)смени т")ЯБ 1 ец 3)я. П,101 НОСТИ ТЦКЯ И КЦЦЦ(сЦТРЯЦИИ 1)пасЗИКОВЦИ кислоты цри рса,тизации изобрстеция; цы фи 2 х 3 крсс)цтц рафия ск(кы эпитыксиалыкй л руктуры р-и-п тица Ны фи. 3 м и к р О ф ц т 0 Г 1) я ф и и я м ц к т р а Б, ) с ц и я д Г 1 я п,1 ы стин с рызг)ичный т)Г 1 цм прцвц,ихО(ти рызц удсльцым сспрц)3 Гзг)сиисм.На фиг. 1 осизцачсно: область 1 фцрми- Г)овация коричневой пленки цы ццвсрхцост; скоса, которая це позволяет цаблкдать ях)к 1,...

Номер патента: 1181413

Опубликовано: 27.10.1999

Авторы: Баженов, Либенсон, Макин

МПК: G02B 5/18

Метки: периодических, поверхностных, структур, формирования

Способ формирования периодических поверхностных структур, включающий воздействие на полированную поверхность двух интерферирующих пучков лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью снижения энергозатрат на обработку при одновременном повышении ее качества, указанное воздействие осуществляют Р-поляризованными пучками при длине когерентности излучения, превышающей длину зоны обработки, и при углах падения пучков, определяемых из соотношения2sin( /2) cos =

Номер патента: 940608

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/477

Метки: поверхностных, полупроводник-диэлектрик, полупроводников, слоев, структур, термической

1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения...