Магнитно-полупроводниковый элемент

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(71) Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно-физический институт (72) О. Н. Голотюк,Ю, А. Попов, А. В, Орлов и М. С. Елисеев(54) (57) МАГНИТНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ по авт. св,1064433ЯО 1190425 Аш 4 Н 03 К 3 286 отличающийся тем,что, с целью снижения потребляемой мощности в режиме хранения информации, магнитная запоминающая ячейка содержит две дополнительные выходные обмотки, включенные встречно выходным обмоткам триггеров без разрушения информации и подключенные к базам и эмиттерам соответствующих двух дополнительных транзисторов, причем коллектор первого дополнительного транзистора соединен с шиной питания, а его эмиттер соединен с коллектором второго дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, и подключен к эмиттерному повторителю.Изобретение относится к импульсной технике и может найти применение в устройствах хранения информации.Цель изобретения - снижение потребляемой мощности в режиме хранения информации путем обеспечения возможности уменьшения частоты подачи импульсов тока в обмотки подготовки опроса и опроса состояния. На фиг. 1 показана принципиальная схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 - схема прошивки обмоток магнитного триггера без разрешения информации (ТБРИ), используемого для организации магнитной запоминаюшей ячейки.Магнитно-полупроводниковый элемент содержит магнитную запоминающую ячейку 1, выполненную на двух ТБРИ 2 и содержашую обмотку 3 записи логической 1, обмотку 4 записи логического О, представляюшие собой последовательно включенные обмотки 5 записи логической 1 с обмотками 6 считывания логического О соответствуюших ТБРИ 2, а также обмотки 7 и 8 подготовки опроса и опроса состояния, представляющие собой последовательно включенные обмотки 9 и О подготовки С 1 и опроса С 2 соответствующих ТБРИ 2.Кроме того, магнитная запоминаюшая ячейка 1 содержит две выходные обмотки 11, подключенные к базам и эмиттерам выходных транзисторов 12 и 13, и две дополнительные выходные обмотки 14, включенные встречно с выходными обмотками 11 и подключенные к базам и эмиттерам дополнительных транзисторов 15 и 16, причем коллекторы выходного 12 и дополнительного 15 транзисторов соединены с шиной питания, а их эмиттеры объединены между собой и соединены с коллекторами выходного 3 и дополнительного 16 транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером, нагруженных на емкость 17 и подключенных к эмиттерному повторителю, выполненному на транзисторе 18. При этом каждый ТБРИ 2 занимает три отверстия 19 - 21 многоотверстной ферритовой пластины 22 и содержит обмотку 5 записи логической 1, проходящую через отверстия 19 и 21, обмотку 6 считывания логического О, проходящую через отверстие 20, обмотку 9 подготовки С 1, проходящую через отверстия 20 и 21, обмотку 10 опроса С 2, проходящую через отверстие 21, выходную обмотку 11, проходящую через отверстия 20 и 21, а также дополнительную выходную обмотку 14, проходящую через отверстия 20 и 21 (начал а всех указанных обмоток помечены знаком - , а концы - х).Работа магнитно-полупроводникового элемента основана на принципах работы ТБРИ 2, из которых один используется для 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 хранения 1 информации, а второй - для хранения логического 0. При этом каждый ТБРИ 2 работает следующим образом.Импульс тока, подаваемый в обмотку 5 записи ТБРИ 2 переводит магнитный материал перемычек между отверстиями многоотверстной ферритовой пластины 22, через которые проходит указанная обмотка, в насыщенное состояние, либо подтверждает это состояние, если магнитный материал до этого момента времени в нем находится. Подачей в последующие моменты времени последовательности сдвинутых во времени импульсов тока в обмотку 9 подготовки С и в обмотку 10 опроса С 2 производится смена состояний намагниченности перемычки между отверстиями 20 и 21 многоотверстной ферритовой пластины 22. При этом на выходной обмотке 14 ТБРИ 2 возникают импульсы ЭДС отрицательной полярности в момент подачи импульса тока в обмотку 9 подготовки С 1 и импульсы ЭДС положительной полярности в момент подачи импульса тока в обмотку 1 О опроса С 2. Подачу последовательности сдвинутых во времени импульсов тока в обмотки 9 и 10 можно производить многократно. В случае подачи импульса тока в обмотку 6 считывания логического 0. ТБРИ 2 происходит блокировка переключения перемычки между отверстиями 20 и 21 многоотверстной ферритовой пластины 22, и поэтому при последуюшей подаче последовательности сдвинутых во времени импульсов тока в обмотки 9 и 10 на выходной обмотке 11 и дополнительной выходной обмотке 14 импульсов ЭДС не возникает.Запись логической 1 информации в магнито-полупроводниковый элемент осуществляется подачей импульса тока в обмотку 3 записи логической 1 магнитной запоминающей ячейки 1. При подаче в следующие моменты времени последовательности сдвинутых импульсов тока в обмотку 7 подготовки опроса и в обмотку 8 опроса состояния ячейки 1, возникаюшие в выходной обмотке 11 и в дополнительной выходной обмотке 14 одного из ТБРИ 2 импульсы ЭДС поочередно открывают дополнительный 15 и выходной 12 транзисторы до состояния насыщения. При этом происходит заряд емкости 17 и на выходе эмиттерного повторителя, выполненного на транзисторе 18, устанавливается уровень логической 1, соответствующий напряжению на шине питания. Последующая подача импульсов тока в обмотки 7 и 8 подзеряжает емкость 17, обеспечивая тем самым на выходе схемы постоянный уровень логической .Запись логического 0 в схему осуществляется аналогично подачей импульса тока в обмотку 4 записи магнитной запоминающей ячейки 1. При последующей1190475 Составитель А. Янов Редактор О. Головач Техред И. Верес Корректор М. Максимишинец Заказ 7000/56 Тираж 871 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патентэ, г, Ужгород, ул. Проектная, 4подаче тока в обмотки 7 и 8 возникающие в выходной 11 и дополнительной выходной 14 обмотках импульсы ЭДС открывают поочередно дополнительный транзистор 16 и выходной транзистор 13 до состояния насыщения, за счет чего происходит разряд емкости 17 и на входе схемы устанавливается уровень логического О Для обеспечения стабильного логического уровня на выходе магнитно-полупроводникового элемента необходима непрерывная подзарядка либо разрядка емкости 17 за счет подачи последовательности сдвинутых во времени импульсов тока в обмотки 7 и 8 магнитной запоминающей ячейки 1. Поскольку потребляемая мощность данной схемы при поддержании на выходе стабильного уровня прямо пропорциональна частоте подачи указанных импульсов, то использование двух дополнительных выходных обмоток 14, включенных встречно выходным обмоткам 11 с подсоединенными к ним двумя дополнительными транзисторами 15 и 16, работающими в такте подготовки опроса состояния ячейки 1, позволяет снизить вдвое частоту подачи импульсов тока в обмотки 7 и 8, тем самымобеспечивая снижение потребляемой мощности в два раза.