Способ изготовления мембран интегральных преобразователей давления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(и) 450978 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(32) Приоритет Совета Министров ИЖРпо делам изобретенийи открытий тень43. М, Пономаре сковский ордена Трудового Красного Знамени инженерно-физический институт(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕМБРАН ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕИ ДАВЛЕНИЯуменьшение габаритов ьшение разброса их существление группобразователей на одной Цель изобретения -преобразователей, уме параметров, а также вого изготовления преоластине кремния Изобретение относится к приборостроению, в частности к технологии изготовления датчиков давления, чувствительными элементами которых являются интегральные преобразователи давления на основе кремниевых мембран с диффузионными тензометрами.Известные способы изготовления мембран интегральных преобразователей давления путем электрохимического вытравливания участков поверхности кремниевой пластины, на противоположнои стороне которой предварительно срормироианы диффузионные тензометры, не дают возможности получить малые размеры мембран, повторяемость параметров преооразователей и исключают возможность группового изготовления мембран на одной пластине кремния. Поставленная цель достигается тем, что поверхность пластины, подвергаемую травлению, предварительно окисляют и на ее участки, не подлежащие травлению, наносят слой хрома так, что отдельные области этого слоя изолированы одна от другой,Предмет изобретенияСпособ изготовления мембран интегральных преобразователей давления путем электрохимического вытравливания участков поверхности кремниевой пластины, на противоположной стороне которой предварительно сформированы диффузионные тензометры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов преобразователей, уменьшения разброса их параметров, а также группового изготовления преобразователей на одной пластине, поверхность пластины, подвергаемую травлению, предварительно окисляют и на ее участки, не подлежащие травлению, наносят слой хрома так, что отдельные области этого слоя изолированы одна от другои,
СмотретьЗаявка
1845564, 13.11.1972
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНЖЕНЕРНО ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ВАГАНОВ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ, ПОНОМАРЕВ КОНСТАНТИН МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01L 7/02
Метки: давления, интегральных, мембран, преобразователей
Опубликовано: 25.11.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-450978-sposob-izgotovleniya-membran-integralnykh-preobrazovatelejj-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления мембран интегральных преобразователей давления</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения момента трения в цилиндрической паре
Следующий патент: Прибор для битермальных изопиестических измерений
Случайный патент: Стенд для правки лонжеронов и рам автомобилей