Способ контроля износа деталей
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 953522
Автор: Скуратов
Текст
Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРМу 497505, кл, 01 Й 3/56 1976( прототип),Ти раж 887 Подписное Филиал ППП Патент", г. Ужгород, улПроектная, 4 ч З 9585 нии, В изнашиваемой детали выполняют паз, размещают в нем заподлипо биме таллическую пластину, (например стальсетово), верхний слой которой выполнен из того же металла, что и истираемая 5 " деталь (сталь). Изнашивают деталь с биметаллической пластиной, затем облучают ее от внешнего источника ионизирующего излучения (например, бето источник таллийактивность 20 МКИ) 10 и измеряют вторичное характеристическое рентгеновское излучение, возбужденных облучением атомов, с помощью рентгенорадиометрической аппаратуры, а износ оценивают по эталонной зависимости.Интенсивность характеристического рентгеновского излучения зависит от толщины. При использовании биметаллической пластины, установленной заподлИ- цо с поверхностью тоения,. уменьшение топшины верхнегс 1 иарщцого слоя, вследствие износа привщит к снижению инФ е.тенсивности характеристйческого излучения этого слоя и возрастанию интенсивности характеристического изпучения от внутреннего слоя - подложки.При толщине верхнего слоя, равного или большего чем глубина насыщения данного вещества при определенном спектре бета-излучения первичного из- ЗО лучателя, характеристическое излучение от материала-подложки минимально и близко к нулюПо мере износа верхнего слоя последний уже не может задержать всех бета- частиц, и нажнается возбуждение атомов материала-подложки, Интенсивность характеристического излучения, возбуждаемогов нем, все больше и больше и при верхнем полностью изношенном слое достига- щ ет максимального значения. Топшина слояматериала-подложки допкна быть больше глубины насыщения бета-часмщ для данного источника бета-излучения.Измерения производят в относительных 45 единицах, т.е. замеряют интенсивностьхарактеристического излучения от поверхностного слоя и сравнивают с интенсивностью от эталонной пластины из тогоже самого материала, а интенсивность излучения от материала-подложки - с интенсивностью от подобного эталонного материала.В качестве эталонных поверхностей и пользуют пластинь из Ст 45 и.олова 55 обработаиные по 8 классу чистоты.ВНИИЛИ Заказ 6267/71 22 фНа основании измерений строят тарировочную зависимость толщина слоя - интенсивность характер истического излучения, по которой получают величину износа в конкретном месте, ограниченном диаметром возбуждающего пучка бетаизлучеяия в пределах плошади биметаллической пластины. 1Строя тарировочные кривые зависимости толщина слоя - интенсивность рентгеновского характеристического излучения, возбуждаемого от внешнего или внутреннего слоев металлов, можно в любой момент в пределах поверхности биметаллической пластины определить искомую величину износа.Предлагаемый способ позволяет исключить использование радиоактивных изотопов непосредственно в зоне трения, максимально приблизить по своим физико- механическим свойствам к исследуемому материалу. формула изобретения Способ контроля износа деталей, заипочающийся в том, что исследуемую поверхность изнашиваемой детали и эталона облучают, строят график завистн-. мости излучения от толщины опоя эталона, измеряют интенсивность излучения детали после изнашивания и оценивают износ по эталонной зависимости, о тличающийся тем,что,с целью устранения радиоактивности в зоне трения, упрощения процесса исследования и расширения области применения, в изнашиваемой детали выполняют паз, размещают в нем заюдлицо биметаллическую пластину, верхний слой которой выполнен из того же метаала, что и изнашиваемая деталь, после изнашивания деталь подвергают облучению от внешне. го источника иокизирукяцего излучения и измеряют интенсивность вторичного рентгеновского характеристического излучения наружного и внутреннего слоев биметаллической пластины.
СмотретьЗаявка
2932583, 20.05.1980
РОСТОВСКИЙ-НА-ДОНУ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ТЕХНОЛОГИИ МАШИНОСТРОЕНИЯ
СКУРАТОВ НИКОЛАЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 3/56
Метки: износа
Опубликовано: 23.08.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-953522-sposob-kontrolya-iznosa-detalejj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля износа деталей</a>
Установка для нанесения светочувствительного слоя на формные пластины
Номер патента: 328415
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Гершберг, Качур, Лозовский, Одесское
Метки: нанесения, пластины, светочувствительного, слоя, формные
...слоя и камеры 3 сушки светочувствительного слоя.В камере предварительной сушки установлен транспортер 4 для подачи формных пластин. Над транспортером расположены нагревательные элементы 5.В камере нанесения слоя находится электромагнптпый цйлпндр 6, ванна 7 для светО- чувствительной эмульсии и набрасывающий валик 8.Электромагнитный цилиндр может быть вы полнен в виде обечайки 9, вратцающейся вокруг намагничивающего сектора 10 и размагничивающего сектора 11. Намагничивающий сектор обеспечивает плотное прижатие формной пластины 12 к электромагнитному ци0 липдруВ камере сушки светочувствительного слоянаходятся транспортер 13 и нагревательные элементы 14, расположенные пад нпм,Установка работает следующим образом.Влажные формные пластины...
Центрифуга для нанесения светочувствительного слоя на формные пластины
Номер патента: 1081618
Опубликовано: 23.03.1984
Авторы: Аргунов, Баршаба, Брейтман, Раков, Хасин
МПК: G03F 7/16
Метки: нанесения, пластины, светочувствительного, слоя, формные, центрифуга
...2для крепления формной пластины 3 с помощью зажимов 4. Ротор 2 соединен с приводом 5.На внутренней поверхности двери 6 установлены устройство 7 сушки и рычаг 8, шарнирно соединенный с регулятором 9 скорости, имеющим регулируемый дроссель 10.Шток 11 регулятора 9 скорости шарнирно соединен с дверью 6.На конце рычага 8 установлено сопло 12 с запирающим плунжером 13.На рычаге 8 неподвижно установлен механизм перемещения запирающего плунжера 13, состоящий из переключателя 14 с пружиной 15 и тяги 16.На внутренней поверхности двери 6 закреплен неподвижный упор 17 и подвижный упор 18, на котором установлен датчик 19 включения цепи питания(не показан) устройства 7 сушки.В цепь питания устройства 7 сушки кроме датчика 19, которым может слу108161...
Устройство для измерения толщины снимаемого слоя и скорости травления в процессе обработки деталей методом размерного химического травления
Номер патента: 1824461
Опубликовано: 30.06.1993
Авторы: Бабушкин, Гудинов, Иванов
Метки: методом, процессе, размерного, скорости, слоя, снимаемого, толщины, травления, химического
...и индикатор являются типовыми,Устройство работает следующим обраВыделяющийся в поверхности травления гаэ попадает в газособирвющий сосуд и постепенно заполняет его. При заполнении сосуда газом до определенного уровня сосуд перевОрачивается и выпускает газ, При этом магнит приближается к магнитоуправляемому контакту и замыкает его на короткое время. Поскольку магнитоуправляемый контакт подключает при этом источник питания ко входу генератора тактовых импульсов, то это является началом такта, Длительность тактового импульсв определяется времяэвдвющвй цепью, входящвй в задатчикдлительности такта, Значениадлительности тактового импульса в зависимости от твмп ературы раствора устанавливается либо вручную по шкале, нанесенной на панели...
Способ определения глубины нарушенного слоя полупроводниковой пластины
Номер патента: 599662
Опубликовано: 25.10.1978
Авторы: Веревкина, Кулешов, Суровцев, Сыноров
МПК: H01L 21/263
Метки: глубины, нарушенного, пластины, полупроводниковой, слоя
...в высокоЧастотном поле допоявления скин эффекта и выдерживаютв течение 2-5 с, после чего по среднеймаксимальной протяженности следов ориентированных каналов проплавления и ихформе определяют глубину нарушенногослоя и ориентацию монокристаллнческойпластины.На чертеже приведена зависимостьсредней максимальной плошади следовориентироваееееых каналов проплавленияна поверхности кремния ориентации(100) фот глубины нарушенного слояПри индукционном нагреве полупроводниковой пластины (с одновременной инициацией собственной проводимости в полупроводнике) на периферии последнего возникает скин-эффект Обнаруживаемый по появлению ярко светящегося ободка на пластине, Прн выдерживанпи пластины в указанных услоьиях в течение 2-5 с...
Способ определения контура рисунка металлизированного слоя на диэлектрической или полупроводниковой подложке
Номер патента: 792271
Опубликовано: 30.12.1980
Автор: Данилов
МПК: G06K 9/00
Метки: диэлектрической, контура, металлизированного, подложке, полупроводниковой, рисунка, слоя
...подложке,заключающемся в формирова. нии сигнала зондирования при сканировании рисунка и регистрации отраженного светового потока, его сканирование осуществляют пучком линейно-поляризованного света, вектор электрического ноля которого параллелен плоскости подложки, а угол падения соответствует утлу Брюстера.Сущность изобретения состоит в использова. иии явления поляризации при отражении света от полупроводниковых и диэлектрических материалов. Известно, что свет представляет собой электромагнитные волны. Векторы напряженностей Е и Й электрического и магнитных полей этих волн колеблются перпенди 30 кулярно друг к другу и вектору скорости распространения волны 7, т,е. электромагнитные волны являются поперечными.Если вектор Е в...
Предыдущий патент: Устройство для исследования механических свойств почв выработок
Следующий патент: Установка для испытания материалов на абразивный износ
Случайный патент: Способ выращивания высших грибов и устройство для его осуществления