Устройство для регенерации информации в блоках памяти

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АОТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоеетсннхСоциалистическихРеспублик 924751(23) ПриоритетОпубликовано 30, 04. 82, Бюллетень РЙ 16 ио делан изобретений и открытийДата опубликования описания 30. 04. 82(72) Авторы изобретения Э. Р, Караханян и Б. А. Копыткин РМосковский институт электронного м щиностроения(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГЕНЕРАЦИИ ИНФОРМАЦИИ В БЛОКАХ ПАМЯТИ Изобретение относится к вычис" лительной технике и может быть использовано для создания запоминающих устройств на МДП-транзисторах.Наметилась тенденция перехода ЗУПВ динамического типа на один 5 В источник питания. При этом недопусти ма потеря уровня логической "1", возникающая при работе усилителя считывания . Устранить этот недостаток позволяют устройства для регенерации информации О 1.Наиболее близким к предлагаемому является устройство для регенерации в блоках памяти, которое предназначено для полного восстановления уровня логической 1" на информационных шинах запоминающего устройства, выполненного на однотранзисторных запоминающих элементах. Устройство для регенерации информации информации в блоках памяти, использующееся для проектирования ЗУ емкостью 64-к с одним источником питания (5 В), содержит транзистор связи, затвор которого подключен к генератору тактовых сигналов,сток - к информационному узлу, исток - к затвору транзистора регенера 5ции, исток которого подключен к чис"ловой шине, сток - к источнику питания, и МДП-конденсатор, один электрод которого подключен к генератору тактовых импульсов другой - к1затвору транзистора регенерации 12,Однако такое устройство . занимает большую площадь в строке ЗУ изза наличия МДП-транзистора, которыйнеобходим для подброса напряженияна затворе транзистора регенерации.Цель изобретения - повышение сте"пени интеграции устройства.Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство для регенерации информации в блоках памяти, содержащее транзистор связи, затворкоторого подключен к тактовой шине, сток - к входной шине, исток924751 сбиу У1 ИИПИ з 2826/69 Тираж 62 Йписное Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,иал к затвору транзистора регенерации, исток которого подключен к числовой шине, сток транзистора регенерации подключен к тактовой шине.На фиг. 1 представлено устройст во, принципиальная схема; на фиг. 2- временная диаграмма его работы.Устройство для регенерации информации в блоках памяти состоит из транзистора 1 связи, сток которого 1 В подключен к входной шине 2 истокк затвору транзистора 3, затвор - к тактовой шине 4, исток транзистора регенерации подключен к числовой ши, не 5, сток - к тактовой шине 6, 15. Устройство для регенерации информации работает следующим образом.В исходном состоянии до моментана входной шине 2 Формируется напряжение . В момент времени йв фор о мируется напряжение на затворе транзистора регенерации (фиг. 2 ). Если числовая шина 5 предварительно заряжена , то с момента 1 О она разряжается, что увеличивает время восста-, 23 новления уровня логической "1". Однако время регенерации не являетсякритичным параметром ЗУ и во время выборки не входит. С моментаосуществляется восстановление уровня зв логической "1" на числовой шине 5 и растет напряжение на входной шине 2, что обусловлено внутренней емкостью связи транзистора регенерации.Использование предлагаемого устройства для регенерации информации тактируемого генератора обеспечивает плавающий режим работы транзистора регенерации и позволяет уменьшить площадь, занимаемую устройством на кристалле, на 06 за счет исключения ИДП-конденсатора что обеспечивает годовую экономию 16 тыс. руб. формула изобретения Устройство для регенерации информации в блоках памяти, содержащеетранзистор связи, затвор которогоподклкчен к одной тактовой шинесток - к входной шине, исток - к затвору транзистора регенерации, истоккоторого подключен к числовой шине, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что,с целью повышения степени интеграции, сток транзистора регенерацииподключен к другой тактовой шине.1Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, "Электроника", 1978, М 20,с. 25-35.2, Е 1 есйгопсз" 1980, Ч 50,В 12, р. 119-129 (прототип).