Способ определения удельного сопротивления резистивных пленочных микросхем

Номер патента: 1778118

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Алешин, Суворов

МПК: C08J 7/18

Метки: полиимиде, проводящего, слоя

...глубине проникновенияионов инертного газа. Кроме того, будетпроисходить большое выделение энергии, 1778118которое ведет к термическому разложениюпленки полиимида.Следующим необходимым признакомявляется величина плотности ионного тока,которая должна ограничиваться интервалом 5 - 7 мкА.Превышение верхней границы интервала плотности тока приводит к локальномуперегреву пленки и к процессу ее термического разложения,При более низких, чем 5 мкА/см плотностях тока, выделяемая при облучениимощность является недостаточной для карбонизации.Также необходимым признаком является доза облучения ионами тяжелых металлов (например, ба ), она Бдолжнаограничиваться интервалом 3 10 - 10см .При дозах меньших 3 10 см г не на. блюдается...

Номер патента: 111388

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Вейглер, Гольдштейн, Изюмов, Пивоваров

МПК: H01J 29/88, H01J 5/10

Метки: коллоидно-графитовое, покрытие, проводящего, слоя, создания

...и перемешивают смесь в течение 3 - 5 минут.удельный вес приготовленной суспензии должен быть 1,13 - 1,14. В случае завышенного удельного веса, смесь разбавляют дистиллированной водой.Полученной суспензией с помощью пульверизатора покрывают наружные поьерхностн электрошюлучевых трубок. Нанесенная на трубку суспензия сушится 10 - 15 мин. на воздухе, а затем в сушильном шкафу при температуре 100 - 20 в течение 30 мин. После сушки слой на поверхности трубки должен быть ровным, плотным (без просветов), непрозрачным.Электрическое сопротивление между двумя точками, расположенными друг от друга на расстоянии 10 с,и, должно быть равньгм 10000 - 30000 ол.Пример о коллопдно-грВ-О (ГОСТ ) т111388 11 р едиот изобретения Отв. редактор Л. П, Ситников...

Номер патента: 356314

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Батюн, Горлин

МПК: C23C 20/06, C25D 5/56

Метки: нанесения, пластмассовых, поверхность, проводящего, слоя

...Способверхносттролитичпокрытияспензиейрителе,пластмаспанесениполикарб Изобретение относится к области нанесения металлических покрытий на поверхность пластмассовых изделий, в частности к области нанесения на них проводящего слоя перед осаждением гальванических покрытий,Известен способ нанесения проводящего слоя на поверхность пластмассовых изделий, заключающийся в обработке их суспензией, содержащей наполнитель и органический растворитель, растворяющий металлизируемую пластмассу.Предложенный способ отличается от известного тем, что обработку осуществляют в суспензии карбонильного железа в дихлорэтане, что позволяет наносить проводящую пленку на поверхность изделий из поликарбоната,Согласно предложенному способу нанесение проводящей...

Номер патента: 1805788

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Базыленко, Гулевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/306

Метки: двухкамерных, поверхности, проводящим, слоем, структур, сухого, травления, установках

...между реакционными обьемами приводит к, невоспроизводимости в определении момента окончания травления. Во избежание этого возмОжны два варианта распределения времени между реакционными объемами: а) тй 11+гй 21 и б) тй 12+тй 22 где тй 1 и тй 2 - время обработки соответственно в первом и втором реакционном обьемах. При этом учтено время стабилизации разряда, в течение которого контроль невозможен. В варианте а) момент окончания травления определяют в первом реакционном обьеме, а в варианте б) - во втором, Максимальной производительности соответствует тот из двух названных вариантов, для которого разница времени обработки в обоих реакционных объемах меньше, т.е, для которого меньше (тй 1 - тй 2). исходя из этого. условие реализации варианта...

Номер патента: 1549386

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Жуков, Смолин

МПК: H01C 17/22

Метки: величины, гибридных, интегральных, микросхем, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

СПОСОБ ПОДГОНКИ ВЕЛИЧИНЫ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий формирование в резистивном элементе пленочного резистора областей повышенной проводимости с заданной величиной удельного поверхностного сопротивления путем термообработки резистивного элемента лучом лазера с одновременным контролем величины сопротивления, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности рассеивания резистора, области повышенной проводимости формируют вдоль боковых кромок резистивного элемента, причем ширину области повышенной проводимости формируют не превышающей 0,25 ширины резистивного элемента, а заданную величину удельного поверхностного сопротивления области повышенной проводимости определяют следующим...