Способ получения тугоплавких пленок из нефтяных битумов при помощи керосинового контакта

Номер патента: 1813842

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Бронштейн, Гумеров, Ихсанов, Карамышев, Сорокина

МПК: E02B 15/04

Метки: воды, нефтяной, пленки, поверхности, сбора

...щих 8 установлены лопастные устройства 11 с режущими кромками 14 и неподвижными ножами 15, Жесткие направляющие 8 соединены между собойрастяжкой 9 для сбор нефти с измениощейсяповбрхностью воды сужение, расширение). Привод лопастного устройства 11 осуществляется с помощью электродвигателя 10 и червячного редуктора 13, Отделившаяся не 4 ть в емкости 1 откачивается насосом 12.Установка работает. следующим образом Плывущая по поверхности воды нефтяная пленка жесткими направляющими 8 направляется в заборное устройство Р проходит через фильтр 4,расположенные на.поплавках З,и вакуум-насосом 6 закачи.вается в емкость 1, которые расположены на площадке 15. Благодаря шарниру 7 обеспечивается подвижность жестких напрааляющих, которые с помощью...

Номер патента: 646578

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Быковский, Дудоладов, Козленков

МПК: C23C 14/28

Метки: генератора, квантового, оптического, пленок, помощи, тонких

...ос"етаточного газа, от рабочего вакуумаЗ 0 в камере и степени взаимодействияподложки с молекулами остаточногосгаза) испаряют мишень 13 излучениемлазера 2, работающего в режиме упорядоченных пульсаций, который приводятв действие с помощью блока синхронизации 23. Пленки легируют во время,напыления при помощи лазера 3, излучением которого воздействуют на мишень 14. Конденсируемое на подложку15 вещество подогревают излучениемлазера 4, работающего в этом же режиме. Осажденную пленку через 1 м.секпосле окончания напыления отжигаютизлучением лазера 5, работающего врежиме модулированной добротности.Полученная тонкая эпитаксиальнаяпленка может служить затравкой длянаращивания толстых монокристаллических пленок; С этой целью описан 50 ный процесс...

Номер патента: 1836487

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Витторио, Джанфранко, Джованни

МПК: C23C 14/00

Метки: вакууме, гидрида, металла, металла,полученной, нанесения, пленки, пленкой, пленок, полученной, применение, способом, субстрата

...образец4 +с энергией 2,2 МеЧ и под углом 750. Как известно, эти два метода позволяют 50 определить концентрацию атомов в см, в результате чего можно сразу подсчитать стехиометрию гидрида, В данном случае получили величину соотношения Н/Т в интервале от 1,7 до 2. 55Анализ пленки при помощи малоуглового рентгеновского излучения подтвердил присутствие одной фазы гидрида титана, тогда как негидрированный титан имеет гексагонал ьную кристаллическую решетку. Анализ с помощью Оже-спектроскопиипоказал, что кислород содержится только ввиде примеси с концентрацией менее 1 ф,П р и м е р 2. На субстрат, представляющий собой стеклянную пластину размерами 5 х 5 см, была осаждена пленка гидрида титана при помощи того же оборудования и тем же...

Номер патента: 1187707

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Герд, Герхард, Хартмут

МПК: B29C 47/90, B29C 47/92

Метки: выдувания, методом, пленки, толщины, установке, экструдером

...измерительной линии 17 (последняяимеет петлю 17 , которая позволяетвыполнять реверсивное движение) вприборный шкаф 18 для вывода показаний профиля толщин и регистрации ихна диаграмме 19.Электрический измерительный сигнал по линии 20 может вводиться вмикропроцессор 21, который соответ.ствующим образом преобразует этотсигнали по соединительным линиям22 22" 22 Хф направляет командуна перемещение испольнительных органов 23, , 23"и в секторах охлаждения ХПосле того, (фиг. 3) как измерительная головка 14 сделает один оборот, образуются в соответствии счислом секторов охлаждения Х пленочКные,секторы Х, и для каждого пленочного сектора определяется среднее значение толщины 5 " . Эти средХние значения. толщиныи определяют3 1187 параметры...

Номер патента: 1705700

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Александров, Кацнельсон

МПК: G01B 11/06

Метки: вакуумной, камере, многослойного, напыления, оптического, осаждением, пленок, покрытия, процессе, толщины

...дорожкой 3 модулятора 2, а излучение, прошедшее оптический канал сравнения - кодирующей дорожкой 4,Выделяемый блоком 32 монохроматизации поток излучения с длиной волны Ао подается в фотоприемную систему 33, которая содержит фотоприемник, например фотоэлектронный умножитель либо фоторезистор, усилитель, АЦП и временной селектор каналов (ВСК), Фотоэлектрический сигнал усиливается и после АЦП в цифровом виде поступает в ВСК, расположенный на выходе фотоприемной системы 33, Кроме того, на два управляющих входа ВСК подаются опорные сигналы с ГОН 5 и 6. Сигналы с ГОН 5 совпадают по фазе с сигналами, снимаемыми с фотоприемника при попадании на него лучистого потока. пропущенного образцом 22 с контролируемой пленкой. Сигналы с ГОН 6 фазированы...