Полупроводниковый аттенюатор

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИ ЕТИЛЬСТВУ Союз Советскнх Соцнаектнческнх Республнк(22) Заявлено 170180 (21) 2871758/18-09 Н 01 Р 1/22 с присоединением заявки М 9 ГосударствениыЯ комитет СССР яо дедам нзобретеннЯ и открытий,(53) УДК б 21.372. .852.3(088.8) Дата опубликования описания 070981(72) Автор 4) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ АТТЕНЮАТОР аттелновода металли- араллельет и ь вн ниесимоговысоко пооканыееталнаяь и даче макс диоды 4 стенки с лизируют мощи ального крывают пенек бсверх е проход ается в управляя, верпластиысокоит впоглоти 0 ость ассе ежим соответс ия аттенюатор сутствии упра ткрываются, в упенек б плас вуе ляющего токартикальныеины 2 станоИзобретение относится к свсокочастотной радиотехнике,. Известен полупроводниковыйнюатор, содержащий отрезок вос установленной внутри негоческой пластиной со щелями, пными широкой стенке волноводакаждой из которых включен полниковый диод Ц ,Однако этот аттенюатор имекую температурную стабильностсимого затухания.Цель изобретения - уменьшетемпературной зависимости внозатухания от поглощения сверхчастотной мощности в диодах. Для этого в полупроводниковом аттенюаторе металлическая пластина изогнута в виде трапеции, основани которой параллельно продольной оси волновода и совмещено с широкой стенкой, а в полости между металли ческой пластиной и широкой стенкой волновода расположен поглотитель в виде диэлектрической призмы, при мыкающей основанием к широкой стен волновода. Боковые грани металлической пластины выполнены в виде ступенек, в вертикальных стенках к торых находятся продольные щели с полупроводниковыми диодами.На фиг. 1 приведена конструкция полупроводникового аттенюатора на фиг. 2 - то же, вариант выполнения.Внутри отрезка волновода 1 устансвлена металлическая пластина 2 со щелями 3, в каждой из которых включен полупроводниковый диод 4.Иежду пластиной 2 и широкой стен кой волновода расположен поглотитель 5, боковые грани пластины выполнены в виде ступенек б, в вертикальных стенках которых находятся продольные щели 3 с диодами 4.Принцип действия пслу роводникового аттенюатора заключается в слещего т тикаль иыам часот полост теле 5.Этот р пропускавПри от диоды 4 о ,стенки ст862276 Формула изобретения Ф Жм 8НИИПИ Заказ бб 27/50 Тираж б 34 Подпнсно ефилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 вятся эквивалентными щелевым резонансным коммутирующим модулям в открытом состоянии, сверхвысокочастот" ная мощность приходит в полость и рассеивается в поглотителе 5.Этот режим соответствует режиму максимального затухания аттенюатора.Температурная стабильность затухания предлагаемого аттенюатора оп- ределяется температурной стабильностью материала. поглотителя 5, При уменьшении управляющего тока от максимума до нуля затухание монотонно увеличивается в основнбм за счет увеличения доли сверхвысокочастотной энергии, рассеиваемой в поглотителе.Максимальное затухание предлагаемого аттенюатора в отличие от прототипа определяется материалом и геометрическими размерами поглотителя и практически не зависит от количества диодов. Это дает возможность получить в предлагаемом аттенюаторе большое затухание при малом количестве диодов.технико-экономическая. эффективность предлагаемого аттенватора заключается в существенном повышении эксплуатационных характеристик по сравнению:с прототипом.Температурная стабильность предлагаемого аттенюатора определяется в основном термостабильностью материала поглотителяИзменения затухания поглотителей из ферроэпокснда не превышает десятых долей дБ в диапазоне температур от -70 до + 150 С, что исключает необходимость в термостабилизации8 нли термокомпенсации предлагаемогоаттенюатора. 1. Полупроводниковый аттеиюатор,содержащий отрезок волновода сустановленной внутре него металлической пластиной ао щелями, параллельными широкой стенке волновода,ф в каждой из которых включен полупроводниковый диод, о т л и ч а ющ и й а я тем, что, с целью уменьшения теьщературной зависимости вно- "симого затухания от поглощения35 сзарнвысокочастотной мощности в полупроводниковых диодах, металлическаяпластина изогнута в виде трапеции,основание которой параллельно нродольной оси валцовода н совмещено20 с широкой стенкой,а а ползета образованной между металлической плаа"тиной и вщрокой стенной волновода,расположен поглотитель, выполненныйв виде диэлектрической призмы, прй 5 мыкающей своим основанием к широкойстенке волновода,2. Аттенюатор по и. 1, о т л ич а ю щ и й.с я тем, что боковыеграни металлической пластины выпол-нены в виде ступенек, в вертикальныхфО стенках которых расположены продоль-ные щели с полупроводниковыми диодами,Источники информации,принятые во внимание при экспертизеЭф 1. Авторское свидетельство СССРпо заявке 9 2391585,кл,Н 01 Р 1/0,1976 прототип).Ф 3 Ф Х