Мдп-варикап

Союз Советских Социалистических Республик(51)м клз Н 0129/93 с присоединением заявки Йо(23) Приоритет Государственный комитет СССР но дедам изобретений и открытийДата опубликования описания 070881(71) Заявитель нститут электроники АН Белорусской СС(5 П-ВАРИК ро ится к п на основ ти приме обладающ управл ие отнорибораожет никапов,азвязкоепей. нение при их гальяющей и та нической яется МДПлупроводэлектродамиивоположрых являазуюльныйР 3 Изобретен с ОЛУП ВОДНИКОВЫМ П м е МДП- структур и м айсоздании варванической р йуправляемой цИзвестны МДП-варикапы, имеющие двухэлектродную структуру металл - диэлектрик - полупроводник 11. Они просты в исполнении, хорошо совместимы с планарной технологией, имеют высокие входное сопротивление и добротность и низкие шумы.Недостаток таких приборов - электрическая связь между управляющей и управляемой цепями.Наиболее близким по техсущности к изобретению явлварикап Г 2, содержащий поник р-типа проводимости срасположенными на его протных сторонах, один из котоется полевым.Недостатком такого варикапа является сложность конструкции и технологического процесса при создании диэлектрического слоя, содержащего электрический заряд определенной величины, а также двух дополнительных электродов на этом окисле. Целью изобретения является упрощение конструкции при обеспечении гальванической развязки управляющей и управляемой цепей.Поставленная цель достигается тем, что в МДП-варикапе, содержащем полупроводник р-типа проводимости с электроаами, расположенными на го противоположных сторонах, один з которых является полевым, непосредственно на полупроводнике рядом с полевым электродом образован допол нительный электрод на основе редкоземельных металлов, образующий с полупроводником выпрямляющий кон кт с инверсным слоем.На чертеже показан предложенный МДП-варикап.,Он содержит полупроводник 1 р-типа проводимости, электрод 2, диэлектрический слой (например Е г 0) 3 и металлический электрод 4, обр щие полевой электрод, дополните электрод 5, выполненный,наприме из эрбия сульфида европия.Дополнительный электрод 5 выполняют на основе редкоземельных металлов (чистых редкоземельных металлов или сплава редкоземельных металлов или соединения редкоземельных метал853708 Составитель Т. ВороженцеваРедактор Л. Утехина Техред С, Мигунова Корректор М. Демчик Заказ 5684/28 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 лов, обладающего металлической проводимостью, электрод 5 образует вконтакте с полупроводником выпрямляющий контакт с инверсным слоем). Управляющее напряжение подается на электроды 2 и 5. Емкость измеря,ется между электродами 4 и 5. Потенциал электрода 5 относительно электро да 2 является запирающим для потенциального барьера контакта редкоземельный металл - полупроводник. Управляющее напряжение изменяет величину инверсной области, образующуюся под электродом 5, тем самым изменяя емкость между электродами 4 и 5. МДП-варикап по сравнению с известным прост в изготовлении, обеспечивает электрическую развязку управляющей и управляемой цепей, Большая высота потенциального барьера в контакте редкоземельный металл - полупроводник обеспечивает малые токи утечки и высокое входное сопротивление варикапа,Формула изобретенияМДП-варикап, содержащий полупроводник р-типа проводимости с электродами, расположенными на его противоположных сторонах, один из которых является полевым, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью упрощения конструкции при обеспечениигальванической развязки управляющейи управляемой цепей, непосредственно на,полупроводнике рядом с полевым электродом образован дополнительный электрод на основе редкоземельных металлов, образующий с полупроводником выпрямляющий контакт с инверсным слоем.15 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. 5 спгодег 5.К. СпеОп 9 1.1 пйегргейаоп оГ ьцгГасе апО Ьцс еТессв цьп 9 ййе рц 1 ьед И 05 Сарассог2 О 5 о 1 с 3 5 саее 61 есйгопсь, 1971, 14,12, 1285-97.2. Авторское свидетельство СССРР 372586,кл. Н 01 6 7/00, 1973