Режущий инструмент

Номер патента: 1679184

Опубликовано: 23.09.1991

Автор: Козловский

МПК: G01B 13/22

Метки: неплоскостности, пластин, пневматическое, поверхностей, прямоугольных

...На плиту 2 устанавливают эталоннуюпластину, которая под действием истекающего их жиклера 5 сжатого воздуха удерживается от вертикального перемещения иобразует с рабочей поверхностью 3 плиты 2воздушную подушку с зазором, не превышающим 0,1 мм,Благодаря укаэанному зазору ме.кдуэталонной пластиной и рабочей поверхностью 3 плиты 2 вращающаяся плита 2 неоказывает силового воздействия на эталонную пластину, удерживаемую от горизонтальных перемещений и поворота прямымипружинами 7. Затем опорные платики 6 перемещают так, чтобы они выступали на рабочей плоской поверхностью 3 плиты 2 навеличину, равную величине воздушного за зора между эталонной пластиной и плитой 2, за вычетом величины допустимого предельного отклонения величины...

Номер патента: 322756

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Бабич

МПК: G03G 21/00

Метки: барабанов, гная, пластин, поверхности, селеновых

...аета ик 10 ру- ого шаетсслоя. является повышение 15 го слоя пластин и бар афических устройств лости селенового слоя руктуры. Эта цель дое промывки спиртом 20 н и просушки на него вазелиновового масла. м восстанавливается поверхность слоя за ной окисной пленки и 25 селена маслом.овое масло является Целью изобретения долговечности селеново рабанов для электрог путем уменьшения уста и восстановления его ст стигается тем, что посл селенового слоя пласти наносится микропленкаВазелиновым масло глянцевая скользящая счет удаления усталост заполнения пористостиКроме того, вазелин жидким состоянием веществ группы парафинов, и поэтому оно инертно к окислителям,Селеновый слой пластин пли барабанов перед началом работы промывается...

Номер патента: 459818

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Блинов, Козырь, Яловега

МПК: H01L 7/68

Метки: пластин, поверхности, полупроводниковых

...самоуравновешивания подвешены к станине 13 на двойномшарнире Гука 14.Работает устройство следующим образом.1 О В гнезда ротора 2 закладывают полупроводниковые пластины и поджимают их сверху с помощью пневмопривода 5 крышкой 4 с усилием, гарантирующим давление на поверхность ротора 4 - 15 кг/см, Затем в полость 15 между ротором 2 и крышкой 4 из резервуара6 под давлением подают нагретую до температуры 80 - 90 С смесь особо чистой воды с растворенным в ней кислородом. Когда в магистрали подачи воды давление возрастает до 20 появления тонкого слоя жидкости, истекающей по кольцевому зазору, включают центрифугу 1. По окончании процесса очистки выключают центрифугу, прекращают подачу смеси, поднимают крышку и освобождают ротор 25 от очищенных...

Номер патента: 668510

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Косенко

МПК: H01L 21/311

Метки: вскрытия, локальных, окисленной, пластины, поверхности, полупроводниковой, участков

...выращенным на ней слоем окисла 2 и нанесенным дополнительным защитным покрытием 3. На поверхность защитного покрытия нанесена пленка фоторезиста 4, в которой после совмещения и проявления открыты окна 5 и дефекты б.На фиг, 2 показана пластина 1 после травления защитного покрытия 3, нанесения второго слоя фотореэиста 7, второго совмещения и проявления фоторезиста 7 с проявлением дефектов 8 во втором слое фоторезиста, которые не совпадают с дефектами б, протравленными в защитном по 5 10 15 крытии 3.На фиг, 3 показана пластина 1 после удаления фоторезиста 7 и дополнительного защитного покрытия 3 по вскрытыми окна 20 45 После проявления на пластинах травят пленку молибдена 3 в смеси азотной и ортофосфорной кислоты в течение 40 с. Этот...

Номер патента: 693491

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Ковчавцев, Пчеляков, Соколов, Стенин, Французов

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевых, пластин, поверхности

...во время первого прогрева с поверхности кремния удаляются летучие компоненты, которые остались после стандартной химической обработки, в том числе и естественный окисел, Низкие парциальные давления кислорода и паров воды обеспечивают сохранение гладкой исходной поверхности при прогреве, Углеродсодержащие компоненты после испарения естественного окисла связываются в Кристаллы карбида кремния, Время прогрева 4 - 15 мин,Последующее окисление, производимое при 850 - ИООС, в течение 2 - 8 мин после запуска в камеру сухого кислорода до давления 0,1 - 10,0 торр обеспечивает как окис. ление карбида кремния, так и образование сплошной пленки двуокиси кремния толщиной 25 - 40 А. Пленки тоньше 25 А не обеспечивают полного окисления частиц карбида...