Масспектрограф

Номер патента: 1075331

Опубликовано: 23.02.1984

Автор: Коляда

МПК: H01J 49/26

Метки: вторичной, ионно-ионной, компонент, коэффициентов, образца, полупроводникового, эмиссии

...измерения коэффициентов ВИИЭ компонент образца из полу. проводникового материала.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения коэффициентов вторичной ионно-ионной эмиссии компонент образца из полупроводникового материала, в котором производят ионную и температурную очистку поверхности образца в условиях высокого вакуума, напускают активный по отношению к поверхности образца газ и измеряют токи первичных и вторичных ионов, проводимость поверхности образца поддерживают заданной путем изменения температуры в диапазоне, в пределах которого происходит адсорбция активного газа.Активность поверхности полупроводников по отношению к газовой среде тесным образом связана с электронной структурой его поверхности и с ее...

Номер патента: 1078502

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Коляда, Нагорная, Черепин

МПК: H01J 49/26

Метки: вторичной, значения, ионно-ионной, компонент-поверхности, коэффициентов, относительного, твердых, тел, эмиссии

...при постоянном значении тока ионов первичного пучка ионное легирование производят тем же пучком первичных ионов с энергией, превышающей энергию ионов первичного пучка при распылении, при этом длительность масс-анализа устанавливают больше времени прекращения спада тока вторичных ионов с массой, соответствующей массе ионов первичного пучка.На фиг. 1 - 4 представлены варианты масс-спектров и временные зависимости токов (в.и.и.э.).При проведении масс-анализа происходит распыление ионнолегированного слоя, поэтому в спектре в.и.и.э., снятом в момент времени 0 ТсТ, наблюдаются вторичные токи компонент А (пики А, А, Аз, А 4) и вторичный ток 1-, который складывается из двух составляющих - вторичного тока 1 от ионов первичного пучка, легирующих...

Номер патента: 23261

Опубликовано: 30.09.1931

Автор: Ситников

МПК: H01J 17/04

Метки: ионная, разрядная, трубка

...электронов в" газе данного давления, и состоит в том, что один из ее электродов, вьшолненньхх в Виде Трубки, Имеет наружную Поверхность,снабженную винтовой частью Т-образнаго сечения.На чертеже изображен общий вид рабочей части электродов с частичным разрезом.Наружная часть г (Т-образного сечения) внутреннего электрода Имеет винто вую щель а для вьххода ионов, образование которых происходит в пространствес, с. Оба электрода могут охлаждаться электрод-ци линдр может являться в то же время и наружной оболочкой (стенкой) трубки.Очевидно, что наружная часть а, винтовая поверхность и весь электрод могут быть сделаны из отделньтх частей, а не из сплошного материала, как это показано на чертеже. -Ионная разрядная трубка, у которой...

Номер патента: 281683

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Асгоо, Евтюнин

МПК: H01S 3/032

Метки: газоразрядная, генератора, действия, ионного, квантового, непрерывного, оптического, трубка

...термоэмиссией при рабочей температуре. Так как5 эмиттируемые спиралью электроны будут чейтрализовать объемный заряд ионов у стеноккапилляра, то это приведет к уменьшению падиальных и аксиальных градиентов потенциала, а, следовательно, к счижению скорости10 распыления капилляра и увеличению срокаслубжы, а также к увеличению эффективности и предельной мощности прибора,Используя в качестве материала спиралиэффективные эмиттеры, например торирован 15 ный карбидированный вольфрам, можно значительно снизить нагрузку на катод, так какв прикатодной части такая спираль сама будет служить эмиттером электронов,Изобретение поясняется чертежом.20 Газоразрядная трубка для ионного ОКГ непрерывного действия состоит из катода 1,разрядного капилляра...

Номер патента: 1017997

Опубликовано: 15.05.1983

Автор: Андреев

МПК: G01N 27/50

Метки: активности, ионной, первичных, поверки, преобразователей, растворах

...устройства; на фиг. 2 эквивалентная схема прототипа; на фиг. 3 - эквивалентная схема предлагаемого устройства (где б- внутреннее сопротивление электрода;. Р - сопротивление между контактами реле на разрыв, Рэ- входное сопротивление ВС; Р- нагрузка ВС; Е и Е 2 - электрохимические потенциалы); на фиг. 4 и 5 - эквивалентные схемы устройств при измерении сопротивления изоляции для прототипа предлагаемого устройства соответств нно.Устройство (фиг. 1) содержит электрохимическую ячейку 1 с буферным раствором, электрод сравнения 2, поверяемые индикаторные электроды 3, 32,3, контактный электрод 4, вспомогательное реле 5, вспомогательное реле 6, коммутатор 7, служащий для калибровки устройства, коммутатор 8, состоящий из попеременно...