Способ получения карбида кремния
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 729125
Авторы: Городиский, Гурвич, Захаренков, Кукса, Понимако, Реутова, Самсонов
Текст
Ы О ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(51)М. Кл. С 01 В 31/36 Гооударстовнньа комитет до делам нэобретеккк к открытий(72) Авторы изобретения Волжский филиал Всесоюзного научно-исследовательского институтаабразивов и шлифования и Всесоюзный государственный институт научноисследовательских и проектных работ огнеупорной промышленности(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ Изобретение относится к способу получейиякарбида кремния и может быль использованодля изготовления электронагревателей и других электросопротивлений различного назначения;Известен способ получения карбида кремния5синтезом из кварцевых и углеродистых материалов, древесных опилок и поваренной соли. привысоких температурах 111,Недостатком способа является низкая электропроводность карбида кремния.Цель изобретения - повышение электропроводности продукта.Это достигается за счет того, что в предлагаемом способе получения карбида кремнияиз кварцевых и углеродистых материалов, дре.1 Звесных опилок и поваренной соли при высокихтемпературах, синтез карбида кремния осу.шествляют одновременно с его обработкой всреде газообразного азота. Преимущественно,газообразный азот вводят в количестве 0,20,5 л на один килограмм исходных материалов,Отличительным- прнзеком способа являет.ся то, что синтез карбида кремния осуществля. ют одновременно с его обработкой в среде газообразного азота. Газообразный азот вводят 0,2-0,5 л на один килограмм исходных материалов.П р и м е р. В электролизер загружают исходные компоненты шихты - кварцевые и углеродистые материалы, древесные опилки и поваренную соль. При загрузке печи шихтой в нескольких местах по длине и сечению лечи закладывают трубки иэ термостойкого и гаэоплотного материала, так., чтобы их выходные отверстия нахо. дились в непосредственной близости от поверх ности керна - нагревателя, а входные снаружи электропечи. Перед включением электропечи вводные трубки подсоединяют к системе по. дачи газообразного азота, давление которого на вводе не менее 700 мм волн. ст. Прн нагреваний шихты до 1200-1400 С и до эавер. щения процесса синтеза в печь подают азот 0,2-0,5 л на один килограмм исходных ком. понентов. После, окончания синтеза трубки отсоединяют от системы подачи азота.Составитель В. ПополнтовТехред Э.Чужик Корректор М. Внгула Редактор Р, Антонова Заказ 1897/19 Тираж 565ЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открьггий113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 3Электропроводность полученного карбидакремния составляет 0,58 10" омсм , вто время, как по известному способу0,33 10"4 омсм .Таким образом, разработанный способпозволяет получать карбид кремния с новы.щенной злектроп 1 зоводностью по сравнениюс известным, что необходимо для серийногоизготовления злектросопротивленнй различногоназначения,Формула изобретения1. Способ получения карбида кремнии нзкваревых и углеродистых материалов, древес 729125иых ощщок и поваренной соли при температуре1200 1400 С, ол и ч а ю щ н й с я тем,что, с целью павьипения злектропроводностипродукта, синтез карбида кремния осуществля.ют одновременно с его обработкой в средегазообразного азота.2. Способ по п.1, о т л н ч а ю щ и й с ятем, что газообразный азот вводят 0,2 05 лна один килограмм исходах материалов,1 О Источник информации,принятые во внимание прн зкспертюе1, Производство абразивных материалов,Л. "Мащиностроенне", 1968,
СмотретьЗаявка
1998369, 15.02.1974
ВОЛЖСКИЙ ФИЛИАЛ ВСЕСОЮЗНОГО НАУЧНОИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ИНСТИТУТА АБРАЗИВОВ И ШЛИФОВАНИЯ, ВСЕСОЮЗНЫЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ НАУЧНО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИХ И ПРОЕКТНЫХ РАБОТ ОГНЕУПОРНОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
ПОНИМАКО АЛЕКСАНДР МИХАЙЛОВИЧ, РЕУТОВА ВАЛЕНТИНА МИХАЙЛОВНА, ГОРОДИСКИЙ ИЛЬЯ АНАНЬЕВИЧ, КУКСА НИКОЛАЙ ГАВРИЛОВИЧ, САМСОНОВ ГРИГОРИЙ ВАЛЕНТИНОВИЧ, ЗАХАРЕНКОВ ВИЛОРИЙ КОНСТАНТИНОВИЧ, ГУРВИЧ ЛЕВ ГРИГОРЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C01B 31/36
Опубликовано: 25.04.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-729125-sposob-polucheniya-karbida-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения карбида кремния</a>
Способ получения карбида кремния
Номер патента: 118812
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Карлин
МПК: C01B 31/36
...обработки, места хранения и специального устройства для транспортирования. Возвратные материалы накапливают вредные примеси, вследствие чего они идут частично на переработку, а частично в отход,С целью устранения получения возвратных материалов и чрезвычайно трудной для обслуживающего персонала операции послойной разборки полученного продукта и его сортировки, предлагается при загрузке печи укладывать вокруг керна слой реакционной шихты и крупку карбида кремния, которая выполняет роль темплоизолятора, имеющего очень хорошую газопроводность. Образующийся однородный продукт не требует дополнительной сортировки, его разгрузку можно осуществлять механизмами.Предлагаемый способ дает возможность использовать также реакционную шихту,...
Способ защиты поверхности карбида кремния при высокотемпературном травлении
Номер патента: 270080
Опубликовано: 15.10.1975
Автор: Водаков
МПК: H01L 21/306
Метки: высокотемпературном, защиты, карбида, кремния, поверхности, травлении
...Метод вакуумного напыления позволяет получать слои любой толщи 15 ны и на большом числе монокристаллов заодин технологический цикл. Кроме того, используя маски, можно непосредственно принапылении получать слои нужной конфигурации.20 Если необходимо получить очень точный рисунок с резкоочерченными краями (с микронной точностью), его вытравляют фотолитографическим способом. Наиболее прочно скрепленные с поверхностью и плотные слои алю 25 миния (толщиной 1 р и выше) получают привакууме не уже 10 - 4 тор и температуре кристаллов карбида кремния 5700 - 6100 С, причем алюминий в виде гусариков подвешиваютна вольфрамовой спирали, нагреваемой при270080 Предмет изобретения 15 Составитель М, Сорокина текоед Т. Мп;:онова Редактор Б, федотов...
Способ получения легированного карбида кремния
Номер патента: 1546421
Опубликовано: 28.02.1990
Авторы: Иванова, Плетюшкин, Прохоров
МПК: C01B 31/36
Метки: карбида, кремния, легированного
...в реактор. Разложение смеси происходит на поверхности графитового стержня ф 6 мм и длиной 120 мм, нагреваемого 21 4до Т = 1430 + 10 С; процесс продолжается 3 ч да образования легированного азотом слоя карбида кремния толщиной 1,25 - 1,30 мм, Удельное сопротивление его составляет 0,10 Ом-сми такое же при 1000 С,П р и м е р 4 (сравнительный), Впервый испаритель заливают 50 мл чистого метилтрихлорсилана и устанавлиовают температуру в нем равную 30 С,Во второй испаритель заливают 1 О млпропионитрила и охлаждают до темпеоратуры -40 С. Пропускают чистый водород над поверхностью метилтрихлорсилана со скоростью 12 л/ч, над поверхностью пропионитрила 2 л/ч.Образовавшаяся парогазовая смесь,в которой концентрация пропионитрила0,4 мг/л, а...
Способ получения -карбида кремния
Номер патента: 1706963
Опубликовано: 23.01.1992
Авторы: Боровинская, Махонин, Мержанов, Попов
МПК: C01B 31/36
...реакции локальным воспламенением смеси, подавая кратковременный импульс тока, например, через спираль, которая находится в контакте со смесью, В смеси начинается самораспространяющийся высокотемпературный синтез (СВС), который заканчивается через 3 - 30 мин, при этом температура синтеза достигает 2100 С и скорость горения от 0,1 мм/с до 2 мм/с, Воспламенение исходной смеси может быть осуществлено также с помощью электрической дуги, электрической искры, световым или лазерным лучом,После охлаждения реактора извлекают продукт и удаляют оболочку, Выделенный продукт анализируют на содержание азота, углерода и свободного кислорода.Укаэанные интервалы плотности, давлений, соотношения компонентов газовой смеси являются оптимальными,...
Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4h
Номер патента: 913762
Опубликовано: 20.11.1996
МПК: C30B 23/02, C30B 29/36
Метки: выращивания, карбида, кремния, политипа, эпитаксиального
1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 1000oС/мин.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда:...
Предыдущий патент: Способ агломерации фосфоритовой мелочи
Следующий патент: Способ получения карбоната кальция
Случайный патент: Порошковый питатель