Катушечный высевающий аппарат

Номер патента: 433570

Опубликовано: 25.06.1974

Авторы: Митрофанов, Смирнов, Чеховской

МПК: H01L 21/304

Метки: выступающих, дефектов, поверхности, слоев, удаления, эпитаксиальных

...удаляя выступающие дефекты, могутповредить эпптаксиальный слой.Цель изоорстения - создание способа, позволяющего повысить качество поверхностиэпитаксиальных слоев, т. е. удалить острые10 выступающие дефекты без влияния на остальную поверхность эпитаксиального слоя,Это достигается тем, что предварительновсю поверхность эпитаксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с по 15 мощью плоского полировальника с канавкаНа чертеже схематически представлена полупроводниковая пластина с эпитаксиальнымслоем на операции обработки с помощью20 плоского полировальника,По предлагаемому способу после эпитаксиального выращивания слоя 1 на полупроводниковой пластине 2 всю поверхность эпитаксиального слоя 1 окисляют. Окисел выполня 25 ет функцию...

Номер патента: 1557486

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Календерьян, Теслюк

МПК: G01N 13/00

Метки: массопереноса, неподвижном, параметров, поверхностями, погруженными, примеси, продуваемом, слое

...которые, в свою очередь, измеряются с помощью термопар 12, соединенных также через переключатель с вольтметром. Для контроля равномерности распределения:газа по сечению на выходе из слоя установлена трубка Пито 15, связанная с жидкостным манометром 16. В процессе эксперимента применяется система автоматического регулирования температур массообменных поверхностей, Полученные данные используют для расчета искомых параметров массопереноса по Формулам со сстИф хС = С + Р, + У 7 - е - )е р, р,д.(1-Ь),при Х е 20фСпособ осуществляют следующим образом.Пространство между газораспределительной решеткой верхней образующей последнего ряда труб трубного пучка 3 заполняют частицами. По мере заполнения в корпус вставляют отборники 6 проб. Затем...

Номер патента: 74179

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Белогорцев

МПК: E01B 27/02

Метки: балластного, железнодорожного, поверхности, профилирования, пути, слоя

...выполнено в виде щита 1, сц дышлами 2 и располагасмого поперек пути под поднятой рец 1 еткой наклонно к горизонту,При протаскивании тягой Т щита 1 по балластному слою, щнт, благодаря наклонному положению, своими дышлами 2 прижимается к нижним поверхностям шпал, а нижнейкромкой 3 профилирует балластныйслой соответственно толщине и ширине шпал.Для выравнивания сил, действующих на шпалу по ее длине, при прохождении подвижного состава, нижняя кромка щита 1 выполнена криволинейной, причем такой, при которой обеспечивается образование впадины в балласте под средней частью шпал и валика под их кон- цами Предмет изобретения 1. Устройство для профилирования поверхности балластного слоя железнодорожного пути, протаскиваемое под поднятой...

Номер патента: 103995

Опубликовано: 01.01.1956

Автор: Ремесис

МПК: B63B 3/68

Метки: изоляционного, крошеной, металлическую, нанесения, поверхность, пробки, слоя

...пробки прп наброске ее па масляную грунтовку просыпается на пол и попадает в отходы.Олисываемый способ ликвндирует все этп недостатки тем, что из крошеной пробки в смеси с нокоторымн вяжущим 1 недеФнцитными материалами образуется мастика, которая, подооно штукатурке, наносится на загрунтованную поверхность слоем нужной толщины в олин и только в некоторых случаях в два приема.Способ нанесения слоя крошеной пробки на изоляционную металлическую поверхность заключается в следуюдем.На загрутнтованную и высушенную поверхность наносится шпателем тонкий с (1 - 1,5 мм ) мастики, составленнойсдеФдцитпых матснилов (нпример, з,5 вес. части натуральной олиФы и 1 вес. части савелнта),На этот слой после его высыхания наносится, подобно штукатурке,...

Номер патента: 513575

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Марончук, Пухов, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: кремнием, легированных, поверхности, слоев, эпитаксиальных

...легированнь ченных методом жидкос личаюшийс яте ворения избыточного кр шают в,раствор-расплав 3-10 вес. % алюминия галлия при 800-850 С рхностих кремнитной эпи итаксиальм, полуксии о т м, что,емния,, содери 90-9 елью р омеес, % в течение Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сильно легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоевО арсенида галлия дентритов кремния.Целью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия...