Способ неразрушающего считавания информации в запоминающем устройстве с произвольной выборкой на цилиндрических магнитных доменах

Номер патента: 942145

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Потапов, Раев, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающего, информации, магнитных, накопитель, устройства, цилиндрических

...Другой переклточатель ЦМД (для переключения в обратную сторону) образован за счет магнитных связей дополнительного канала продвижения ЦМД с каналом ввода информации, а также указанного расположения токопроводящей шины.Для последнего переключателя ЦМД также требуется одна полоска токопроводяшей шины.За счет выполнения канала ввода информации из (К )-образных ферроматнитных аппликаций удается уменьшить расстояния между регистрами хранения (т.е. период элементов продвижения в каналах ввода или вывода информации).В свою очередь это дает возможность или повысить плотность записи, или уменьшить плошадь кристалла, или увеличить степень резервирования регистров хранения и исправления ошибок, или скомпенсировать влияние промежутков между...

Номер патента: 877615

Опубликовано: 30.10.1981

Автор: Клейменов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающее, магнитных, цилиндрических

...тока продвижения(фиг. 2) содержит ключи втекающего13 и вытекающего 14 тока, включенные последовательно. Параллельно каждому ключу включены диоды 15 и 16для рекуперации энергии. Входы формирователей 17 и 18 связаны со входами ключей 13 и 14, а выход 9 сосредней точкой 20 соединения ключей 13 и 14,Сигнал с блока 12 шин управлейияпоступает по шинам управления 21-32одновременно на входы формирователейб и 7, 4 и 5, 8 и 9. Сигналы управле"ния на вторых входах источников 3магнитного поля накопителей смещены по фазе относительно сигналовуправления на первых входах источников 2 магнитного поля накопителейна угол 90 . Для уменьшения потребляоемой мощности фазовые сигналы управления подаются со скважностью 114.Эо позволяет в одну четверть периода...

Номер патента: 1515943

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Бабенко, Бех, Ткач, Чернецкий

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, информации, накопителя, памяти, считывания

...транзисторов. По истечеции времени;сействия сигнала первого стробд и( рвдя дифференциальная цдра отключается. При этом, если ца базе трднэигторд 4 напряжение больце, чем на базе транзистора 5, то конденсатор 13 разрядит(.я больше,чем конденсатор 14. Разноссь напряжений междувыводами конденсаторов 13 и 14 пропорциональна величине сигнала с выхода ддтчка 28. В следующем периодеупрдвляющего поля, когда несущий инфорлс(ю домен переместится из датчика 28 в датчик 29, возникает повторный считанный сигнал противоположцой полярности. Это сигнал поступаетс базы транзисторов первой и второйпар, но во втором периоде импульсомвторого строба по входу 23 замыкаетсяцд,время с, ключ 11, включающий дифференциальную пару на транзисторах 6, 7с источником...

Номер патента: 602994

Опубликовано: 15.04.1978

Авторы: Ломов, Паринов, Чиркин, Юдичев

МПК: G11C 11/00, G11C 11/14, G11C 11/155

Метки: доменов, магнитных, регистрации, цилиндрических

...разделенных слоем 4 из нел 1 агнитного материала, и подключенный одной стороной к общей шипе 5. К этой жо шине подключен магниторезистивный датчик 6 расположенный ио втором (нижнем ) ферромагнитном слое 7 у других копцов тех же полушевропов.Полушеироны 2 верхнего слоя расположены таким образом, что входят с зазором между полушевронами 8 нижнего слоя,Датчики 1 и 6 подключены по мостовой 20 схеме с помощью резисторов 9 и 10 к балансному усилителю 11 шинами 12 и 13. Ферромагнитные аппликации расширения и продвижения ЦМД расположены на разделительном немагнитпом слое 14, нанесенном 25 па магнитоодноосную пленку 15 с 0 МД 16, например эпитвксивльную феррит-гранатовую пленку, выращенную на нел 1 агнитном гранате 17. Источник питания 18...

Номер патента: 720506

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Новиков, Чиркин

МПК: G11C 7/00, G11C 7/14

Метки: генератор, доменов, магнитных, цилиндрических

...аппликация 2, гальванически связанная с доменопродвигающей пермаллоевой аппликацией 3, расположенной в канаде продвижения ЦМД, пермаллоевая токовая шина 4, гальванически связанная с основной и доменопродвигающей аппликациями 2 и 3, и дополнительные пермаллоевые аппликации 5,Генератор ЦМД функционирует следующим образом. В соответствии с фазовой диаграммой по токовой шине 3 пропускается растягивающий импульс тока, с помощью которого вдоль шины вытягивается конец зародышевого домена вплоть до его за. крепления на притягивающих полюсах доменопродвигающей аппликации 3, пересекае. 5 15 29 И 36 35 46 мой токовой шиной. Закрепление конца зародышевого домена происходит при направлении вращающегося магнитНого поля, близком к направлению ОА...