Запоминающее устройство

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ) Заявлено 120577 (21) 2485266/18-2 11 С 11/14 присоеди м заявки Мо Госуда рственный комиСССР лам из и откр(23) Приорите Опублико обретенийытий 81.327.66 088 8) ано 15.0879. Бюллетень Йо 3 Дата опубликования описания 18087.Г. Шмелев 1) Заявитель 54 ) 3 АПОМИ УСТРОЙСТВО ализ а енные егист оры и зря- прав- омяезсла, днищегоенная ла с ЦМД верхи ости ляющих пр аппликацн ,ний, экра,ционный и нисмещине Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации.Известны запоминающие устройства ЗУ), содержащие пластину магнитоодноосного материала с цилиндрическими магнитными доменами ЦМД) и расположенные на ее поверхности управляющие проводники 1 и 2.Одно из известных ЗУ содержит пластину магнитоодноосного материала с ЦМД, координатную сетку управляющих проводников, расположенную на поверхности пластины, поляризационный излучатель и фотоприемник 1, Недостатком этого ЗУ является ограниченная область применения.Наиболее близким по техническому решению к предложенному изобретению является ЗУ, которое содержиткак и предложенное, в каждом разряде пластину магнитоодноосного материаи расположенную на ее покоординатную сетку управоводников с пермаллаевымиями в местах нх пересечен с отверстиями и поляризаэлучатель, расположенные с одной стороны пластины, антор и фотоприемник, расположс другой стороны пластины, рчисла, координатные дешифратформирователь тока 2 .Недостатком известного ЗУ явлся его относительная сложность ибольшая потребляемая мощность,Целью изобретения является упрщение известного ЗУ и снижение птребляемой мощности .Поставленная цель достигаетсятем, что ЗУ содержит в каждом раде источник магнитного поля, на5 ленного параллельно плоскости упнутой пластины, подключенный черформирователь тока к регистру. чиа одноименные управляющие провоки всех разрядов соединены послевательно и подключены к координаным дешифраторам.На фиг. 1 дана принципиальнаясхема и-разрядного запоминаюустройства, на фиг. 2 - времдиаграмма его работы,Предложенное ЗУ фиг. 1) содежит в каждом разряде пластину матоодноосного материала 1 с ЦМД 2сформированными внешним полемния 3, расположенную на пласткоординатную сетку управляющих проводников 4, 5 с пермаллоевыми аппликациями 6 в их перекрестиях, экран 7 с отверстиями, поляриэационный излучатель 8, анализатор 9, фотоприемник 10, состояший из двух независимых половин, соединенных с дифференциальным усилителем 11, источник магнитного поля 12, создающий магнитное поле, параллельное плоскости упомянутой пластины и выполненный в виде катушек, формирователь тока 13, регистр числа 14, координатные дешифраторы 15 и 16.Работа предложенного ЗУ, заключающаяся в записи и-разрядного слова иэ регистра числа 14 и его считывании, протекает следующим образомм.Пусть в ЗУ необходимо записать такое число, у которого в первом разряде стоит 1 Запись 1 ф в выбранную ячейку означает перевод ЦМД 2 мз позиции, условно принятой за информационный 0 ф в другую позицию, принятую за информационную 11 ф. Обозначим один из концов аппликации 6 индексом А (фОф 1), угол- Б, другой конец - В (,1) . Для перевода ЦМД 2 в состояние ф 1 ф в систему управляющих проводников 4, 5, выбранных дешнфраторами 15, 16, подается последовательность импульсов, соответствующих временной диаграмме, показанной на фиг. 2, а. Сначала в проводник 4 подается импульс тока 3 такой полярности, который создает локальйый градиент поля смещения 3, перемещающий домен 2 в направлении А-Б аппликации 6. Затем подается импульс тока Э в проводник 5, создающий градиент поля смещения, перемещающий домен 2 в направлении Б В, Проводники 4, 5 выбираются дешифраторами 15, 16,Если в Зу нужно записать такое число, которое в первом разряде содержит Офф (временная диаграмма записи 10 показана на фиг, 2,б), то при записи ф 0 одновременно с подачей импульса тока в проводник 4, переводящего ЦМД 2 в направлении А Б пермаллоевой аппликации 6, в катушки 12 от формирователя тока 13, управляемого регистром числа 14, по-. дается иютульс тока Э з тахого направ линия, который создает локальный гра диент поля смещения, препятствующий движению ЦМД 2 в направлении А-Б пермаллоевой аппликации 6.При считывании единичной информации ЦМД 2 переводится в положение0 " . Для этого по проводнику 5, выбранному дешифратором 16, подается импульс тока такой полярности, который создает локальный градиент поля смещения, перемещающий домен из положения В Б пермаллоевой аппликации 6, Затем подается импульс тока в проводник 4, смещающий домен 2 по направлению Б-А. В момент прохождения ЦМД 2 под отверстием в экране 7 включается поляриэационный излучатель 8 и производится индикация информации. Использование магнитооптического эффекта фарадея позволяет анализатору 9 пропускать излучение, проходящее через домен 2, которое воздействует иа одну из половин фотоприемника 10 и возбуждает усилитель 11Использование предложенного технического решения обеспечивает более простую и экономическую органиэацию многоразрядной памяти с произвольной выборкой, использующю ЦМД в качестве носителей двоичной информации . формула изобретения Запоминающее устройство, содержащее в каждом разряде пластину магнитоодноосного материала с цилиндрическими магнитными доменами и расположенную на ее поверхности координатную сетку управляющих,проводников с пермаллоевыми аппликациями в местах их пересечений, экран с отверстиями и поляриэационный излучатель, расположенные с одной стороны пластины, анализатор и фотоприемник, расположенные с другой стороны пластины, регистр числа, координатные дешифраторы и формирователь тока, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения и снижения потребляемой мощности, оно содержит в каждом разряде источник магнитного поля, направленного параллельно плоскости пластины, подключенный черезформирователь тока к регистру числа,а одноименные управляющие проводники всех разрядов соединены последовательно и подключены к координатным дешифраторам.Источники информации, прин ятыево внимание при экспертизе1. Патент США М 3878542,кл. 340-174, 12.08.73.2. Авторское свидетельство СССРпо заявке 9 2118571/18-24,кл. С 11 С 11/14, 31.03,75(прототип).6 80050 анись 1 3 алисьО цг,2 Составитель Ю. Розентальор И. Беловскан Техред О,Андрейко Корректор Г. Решетн каз 4802 сноР атент, г. ужгород, ул. Проектная, 4 ли ал Тираж 681 ЦНИИПИ Государственного по делам изобретений и 113035, Москва, Ж, Раушс