Плавящий элемент для испарения металла в вакууме

Номер патента: 98578

Опубликовано: 01.01.1954

Автор: Лозинский

МПК: G01N 27/02, G01N 33/20

Метки: вакууме, интенсивности, испарения, металлов, нагреве

...Нр)д-к(1 ленгдтори (), и ц(церкнш"гц к,)торого прои(колит (: дклецие и( цярнечо ) четиЙ.)лсктричсгкно гонрогн)5,ения и )Оеркностикрана-конленгд Гора Об)а)г( иней к Оорд;(цу) в иро)ик)")кс м(жау )515 ргннь- ми в него ко,)нами (1 и 1. ИзготовГенн(ми, ндпримср, из н,)нн,. )к;и)к - Лние;крана-коня(нг(тора нОококимо;,(я )ОО, чтння игк)О)(ть влияниг )с)нгрзГурь( нри гнре,г,ин(и крдкгсрн)к нени)ени к(гглки) и 11 нщсте Оньпд.1)онРО:( ,51 ГО;(иниии (к;(дк г)ОГО нд новеркногтикр нд-кон:сзгзп Орди игиар)пощгг(н я 3 сил,и 3 ро;5(5 и ггя и - ( ротсом )(3)сри(г.( НОЙ;, кпич( кой скемы 18).Ъиор (.9). здкр(ч);п)ный и ИО:)Н 5)и (20). Нреяотцщст;гцяри(ция Обиинд в ироцессе онькгд, Одциос нияжение в камере нол ко,(иком (21) Оз;3)ст, я ОГ- качи)1 нигм...

Номер патента: 149224

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Белозерский, Кричевская

МПК: C01G 1/04, C22B 34/30

Метки: вольфрама, карбонилов, металлов, молибдена, порошков, производство, хрома, этих

...и вольфрама осуществляется путем воздействия на полученные хлориды окисью углерода притемпературах 100 - 300 и давлении 250 ати и выше в присутствии восстановителя. В качестве восстановителей используются железо, медь,сплав ДОара, ал 1 оминии, маГНИЙ, цинк и дп. В Виде мелки оилокили стружки, ПередзаГрузкОЙ В реактор для достижения более ГОлногоконтакта и равномерного распределения хлориды тщательно перемешиваются с восстановителем или брикетируются.Б ходе синтеза осуществляется принудительная циркуляция реакционного газа (окиси углерода) до 7 обменов в час, Образующийсякарбонил кондеРСируется В Охла 5 кдаеых сборниках, Прямое извлечение хрома, молибдена нли вольфрама из хлорида в карбонил составляет 10 - 80%. Остатки после синтеза...

Номер патента: 165338

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Силонов

МПК: G01N 33/20, G01N 5/04

Метки: вакууме, испарения, металлов, скоростей, сплавов

...взвешивается в одинаковых условиях, без касания образца или весов посторонними предметами.На чертеже представлен общий вид установки.В полости вакуумной камеры 1, выполненной из стекла, установлены кварцевые крутильные микровесы 2, на одном конце коромысла которых на кварцевой нити 3 н трех вольфрамовых нитях 1 свободно подвешен исследуемый образец 5, скрепленный с диском из магнитного материала 6; на другом конце коромысла подвешен противовес 7. Образец нагревается непосредственно ТВЧ с помощью индуктора 8 из ленты типа литцендрат, помещенного вне вакуумной камеры под образцом так, что плоскость его витков параллелна плоскости образца.В центре индуктора расположенный магнит 9, с помощью которогоудерживают в момент нагрева на...

Номер патента: 641890

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: "пьер, Даниель, Жак, Клод

МПК: H01J 1/312, H01J 9/02

Метки: металл-диэлектрик-металл, типа, эмиттера

...эмиттеров, содержащих диэлектрический слой,расположенный между двумя металлическими слоями 11). Диэлектрический слойобычно изготавливается из окисных пленок, например А 8 еО ипи Ве О, Такиеэмиттеры получают путем электропитичеокого осаждения на металлическую подложку слоя диэлектрика 21,Указанный способ трудно реализоватьпри формировании слоев диэлектрика набольшой площади подложки,Цель изобретения - упрощение технологии получения слоя диэлектрика,Поставленная цель достигается тем,что готовят раствор из органическогорастворителя (гексаметилфосфоротриамидаи тетрагидрофурана) и электролита-перхлората щелочного металле, погружаютв этот раствор металлическую подложку,подают нв нее отрицательное напряжи проводят осаждение...

Номер патента: 87671

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Лозинский

МПК: G01N 27/22

Метки: вакууме, интенсивности, испарения, металлов, нагреве, способа

...ис Описаны На фиг. конденсатора то а.определять только среднее значение интенгда является недостаточным,и устройство свободны от этого недостатка,ариант устройства с плоской поверхностьюс цилиндрической поверхностью конденса87671которой закреплены металлические накладки И и 14, соединенные с измерительной схемой 15, служащей для определения величины электрического,сопротивления пластины 12.Схема 15 может быть выполнена в виде измерительного моста или омметра того или другого типа, показывающего или самопишущего. При отсутствии испарения сопротивление пластины близко к бесконечности и стрелка измерительного, прибора устройства 15 устанавливается на нулевой отметке шкалы. При нагреве образца до определенной температуры на пластине 12...