Устройство для измерения заряда и длительности сгустков заряженных частиц
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 09) (И) 05 Н ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ а Трудовогонерно-Физический Пищули СССРГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(71) Московский орденКрасного Знамени инжеинститут(54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕЗАРЯДА И ДЛИТЕЛЬНОСТИ СГУСТКЖЕННЫХ ЧАСТИЦ по авт.св. У 1о т л и ч а ю щ е е с я темцелью повышения чувствительн точности измерения, дополнительновнутрь электронопровода соосно егопродольной оси введено эллиптическоетонкостенное металлическое кольцо,установленное на электрооптическомкристалле и изоляционной пластине,прикрепленных к противоположным стенкам электронопровода таким образом,что в радиальном сечении кольца егонаибольшие радиусы соответствуют точкам крепления кольца к кристаллу ипластине, а кольцо выступает в обестороны за кристалл на расстояние,не меньшее толщины кристалла, при эк пластине через разъем подключен дполнительно введенный источник эталонного напряжения.1120910Изобретение относится к ускорительной технике, в частности к устройствам для измерения заряда и длительности электронных сгустков.По основному авт,св. Р 1056869 известно устройство для измерения заряда и длительности сгустков заряженных частиц, содержащее преобразователь, чувствительный к электромагнитному излучению сгустка, реализованный 10 на электрооптическом кристалле и соединенный через элементы ввода-вывода со скрещенными поляризаторами, источник, регистратор и средства транспортировки оптического излучения от ис точника к входному поляризатору и от выходного поляризатора к регистратору, а преобразователь совместно с элементами ввода-вывода оптического излучения реализован на электрооптичес ком кристалле в виде тонкопленочного волновода и прикреплен одной плоскостью к внутренней стенке канала транспортировки так, что направление распространения оптического излучения 25 в кристалле параллельно предполагаемой траектории движения сгустков.Повьппение чувствительности первичного преобразователя достигается за счет увеличения оптической длины Ю кристалла, что приводит к снижениюширокополосности, Кроме того, из-за температурной нестабильности электрооптического кристалла необходимо осуществлять периодическую калибровку 35 преобразователя, что в описанном устройстве,практиески не реализуема,Целью изобретения является повьппение чувствительности и точности измерения, 40Цель достигается тем, что в устройство внутрь электронопровода соосно его продольной оси введено эллиптическое тонкостенное металлическое кольцо, установленное на электро оптическом кристалле и изоляционной пластине, прикрепленных к противоположным стенкам электронопровода так, что в радиальном сечении кольца его наибольшие радиусы соответствуют точ О кам крепления кольца к кристаллу и пластине, а кольцо выступает в обе стороны за кристалл на расстояние, не меньшее толщины кристалла, причем к пластине через разъем подключен до полнительно введенный источник эталонного напряжения.На чертеже представлено предложенное устройство.10 Корректор Л, Патай Редактор О. Филиппова Техред И,Нопович Заказ 1648/3 Тираж 802ВИИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Подписное.Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 3 11209 При диаметре электронопровода 3 10- м, длине кристалла ЕпБе 10- м и его толщине 10- м и таких же размерах изоляционной пластины введение допол. нительного кольца увеличивает чувствительность преобразователя в 10 раз. При эллиптической форме кольца с соотношением минимального и максимального диаметров 1:2 широкополосность устройства уменьшится в два раза Введение дополнительного кольца, изоляционной пластины и разъема не приводит к существенному усложнению конструкции, обеспечивая повышение чувствительности преобразователя и точности измерения при упрощении методикиэксперимента для определения параметров сгустков заряженных частиц.
СмотретьЗаявка
3595302, 23.05.1983
МОСКОВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ГАРМАШ А. Г, ПИЩУЛИН И. В, СОЛОВЬЕВ Н. Г
МПК / Метки
МПК: H05H 7/00
Метки: длительности, заряда, заряженных, сгустков, частиц
Опубликовано: 30.04.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1120910-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-zaryada-i-dlitelnosti-sgustkov-zaryazhennykh-chastic.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения заряда и длительности сгустков заряженных частиц</a>
Преобразователь пульсовой длительности в пульсовую частоту
Номер патента: 741853
Опубликовано: 25.06.1980
Авторы: Глушенко, Кораблин, Крюков, Улогов
МПК: A61B 5/02
Метки: длительности, пульсовой, пульсовую, частоту
...реле 2 времени выход реле 2 времени соединен совходом генератора 3 импульсов, выходкоторого соединен со счетным входом де-.лителя 4, а выход делителя 4 соединенсо входом счетной схемы 5.Преобразователь пульсовой длительности в пульсовую частоту работаетследующим образом. Пульсовая длительностьс датчика 1 пульса, в виде пачки импульсов ( 1= 1 кЫ поступает на установочный вход делителя 4, где запоминается, По окончании пачки запускается, Горьк аз 3342/2 Тираж 673 ЦНИИПИ Государственного по делам изобретений 113035, Москва, ЖПодписнокомитета СССРоткрытийаушская наб. д,лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 3реле 2 времени, управляющее генератором 3 импульсов, частота которого= 6 мГп длительность импульса ,ци= 0,01 с....
Полуавтомат для обработки пластин из водорастворимых кристаллов
Номер патента: 114575
Опубликовано: 01.01.1958
МПК: B24B 21/04, B24B 7/26
Метки: водорастворимых, кристаллов, пластин, полуавтомат
...На главном валу 36 этого устройства находятся эксцентрики сс столом, а также сттотттирована свободно перемещающаяся на валу 36 качатотцаяся паттелт 36, имеютцая куласк и клинообразный выступ (на фигуре не показаны), осеспечивающие ка ание панели 36.На нижнем листе 2 станины уста новлены: элетлтродвтлгатс,.тт, 37, рсдуктор 38 привода, две катушки 39 для тканевой ленты 4. Кроме тсгс, полуавтомат снабжен транспортером 40, лента которого является одновременно и протирочтюй лсттт" т. Вращение транспортера 40 осуцест. вляется двуттт Ьрикцттонттт тмт дт - сками (на фиг. не показаныт.Работа погтчавтомата пропсходиг следуюним образом.Пластинки 13, подготовлснныс для равлени, укладыватот в ттагазин 12, котопый монтируется па кондукторе 9,...
Способ разделения проскрайбированных полупроводниковых пластин на кристаллы
Номер патента: 298015
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Чигринский, Шуваев
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, проскрайбированных, разделения
...получить замкнутый объем. После этого из. под мембраны откачивается воздух, под действием атмосферного давления мембрана прогибается, и пластина раскалывается на кристаллы.Известный способ разделения имеет следук 1- щие недостатки; необходимость ориентации кристаллов относительно отверстий в мембране, что усложняет устройство для осуществления способа и снижает производительность, а также ограниченность использования мембраны, определяемой размерами пластин и кристаллов,Предложенный способ позволяет использовать пластины и кристаллы различных размеров. Сущность способа состоит в том, что пластиу помещают без ориентации на мелкоячеечную сетку, изолируют ее от атмосферногления с помощью эластичной воздухонецаемой пленки, из-под...
Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы
Номер патента: 587533
Опубликовано: 05.01.1978
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания
...прокатывают по поверхности разламывающего валика, повернув предварительно на 900 .Недостатком описанного устройстваявляется его сложность,так как для надежности работы устройства необходимо применение дополнительных механиз"мов прижима пластины к разламывающему валику и регулировки натяжениятранспортирующей и прижимной лент.Кроме того, . не исключено проскальзывание бесконечной транспортирующей ленты относительно разламывающего валика, что приводит к поврежде.нию рабочей поверхности кристалла впроцессе разламывания.пластины.Цель изобретения . - упрощение конструкции устройства и улучшениек ачества,разделяемых кристаллов .Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для. разламыванияполупроводниковых пластин на кристаллы, содержащем...
Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы
Номер патента: 777756
Опубликовано: 07.11.1980
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания
...5Устройство содержит пневмокамеру 1,образованную основанием 2 и упругой диафрагмой 8, выполненной, например, из резины, на которой расположена полупроводниковая пластина 4, На крышке б устройства закреплен упругий элемент б, выполненный, например, из термостойкой резины, Во внутренней части крышки б расположены нагревательный элемент 7 и сферическая опора 8, выполненная из легкоплавкого материала с температурой плавления 50 - 100 С, например из сплава Вуда. Пространство между крышкой б и сферической опорой 8 образует пневмокамеру9, соединенную, как и пневмокамера 1, спневмомагистралью (на чертеже не показана).Устройство работает следующим образом.Полупроводниковую пластину 4 после 25операции скрайбирования укладывают наупругую...
Предыдущий патент: Фотогальваномагнитный датчик
Следующий патент: Вибротрамбовка
Случайный патент: Устройство для контроля уровней восприимчивости радиоприемников по побочным каналам приема