Сверхвысокочастотный переключатель

Номер патента: 1200778

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Бротиковский, Зайцев, Курцин, Рыбак

МПК: H01L 21/308

Метки: защищены, которых, кремниевых, никелирования, поверхности, полупроводниковых, свинцово-силикатными, стеклами, структур, участки

Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами, включающий селективное травление поверхности структур через защитную маску, промывку в деионизированной воде, активацию поверхности в золотосодержащем растворе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, после селективного травления структуру подвергают дополнительной ультразвуковой отмывке в 10 - 30%-ном водном растворе уксусной кислоты и все процессы отмывки и активации структуры проводят при сохранении на ее поверхности защитной маски.

Номер патента: 145914

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Рабинович, Фомин

МПК: H01P 1/22, H03L 5/02

Метки: диодах, мощности, полупроводниковых, свч, стабилизатор

...которого определяется. В другом плече тройника находится согласованная конечная нагрузка 3, позволяющая раздельно изменять фазу и модуль коэффициента отражения для компенсации ассиметрии волноводного тройника 1,Ввиду отсутствия взаимной связи между плечами силовых линий Е и Н и отсутствия отражения от конечной нагрузки 3 на индикаторе 4 можно наблюдать коэффициент отражения испытуемого элемента, Для измерения малых отражений необходимо, чтобы линии связи имели минимальные потери в тракте, в связи с чем в стабилизаторе СВЧ мощности применены в качестве регулирующих элементов четыре низкочастотных германиевых диода. Диоды включены в линию парами с разной полярностью в ларе и последовательно по постоянному току. В схеме примене СВЧ...

Номер патента: 278800

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Кантор

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатора, диодах, полупроводниковых, свч, схема

...желательная взаимозависимость проводимостей диодов. Предлагаемая схема управления дподамп создает в СВЧ-устройствах определенную характеристику КСВН путем образования взаимозависимости проводимости диодов 5 от входного напряжения (общего тока).На фиг. 1 представлена предлагаемая схемас независимым управлением диодов; на фпг. 2 - предлагаемая принципиальная схема; па фпг. 3 - схема, использующая аттенюа тор, в котором могут быть применены диоды.Как показано па фиг, 1, диоды управляютсянезависимо друг от друга, ток г, - , через диоды определяется входным напряжением С/ и величинами постоянных сопротивлений 15 Л, - Я,. Пунктиром условно показана высокочастотная линия передачи, в которой располагаются полупроводниковые диоды.Как показано на...

Номер патента: 455406

Опубликовано: 30.12.1974

Авторы: Горячев, Сестрорецкий, Якубень

МПК: H01P 1/10

Метки: переключатель, свч

...коммутирую щими диодами.Однако известные устройства имеют большие габариты.Цель изобретения - создание малогабаритной конструкции волноводного переключателя 10 СВЧ.Цель достигается тем, что резонансные щели расположены на одной диафрагме, перекрывающей входной канал, а выходные каналы подключены к указанной диафрагме 15 симметрично относительно ее центра,На чертеже изображена конструкция переключателя СВЧ.Переключатель содержит металлическую диафрагму 1 с прорезанными резонансными 20 щелями 2 гантельной формы, в которые помещены трехэлектродные ра-диоды 3. С одной стороны к диафрагме подключается волновод общего канала 4, а с другой - волноводы выходных каналов 5 того же сечения, 25 что и волновод общего канала. Причем,...

Номер патента: 1109829

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Коломойцев, Лукаш, Самойлов, Соколовский

МПК: H01P 1/00

Метки: диода, крепления, полупроводникового, свч, узел

...металлического основания, и гайку, направляющая трубка выполнена составной из первой и второй втулок, при этом в первой втулке выполнены сквозной продольный паз и два торцовых конусообразных углубления, а один из торцов второй втулки выполнен в виде конусообразного выступа, угол образующей которого равен углу образующей 40 одного торцового конусообразного углубления первой втулки, угол образующей другого торцового конусообразного углубления которой равен углу образующей конусообразного цангового наконечника.45На фиг. 1 изображен СВЧ узел крепления полупроводникового диода, продольный разрез; на фиг. 2 - то же, поперечный разрез.СВЧ узел крепления полупроводникового диода содержит металлическое основание 1, 50 металлический штырь...