Детектор тяжелых заряженных частиц

Номер патента: 1122123

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Дмитриев, Шигаев

МПК: G01T 5/10

Метки: детекторе, поликарбонатном, проявления, треков, трековом, химического

...возможность использовать полимерные пленки на основе поликарбонатов в качестве детектора с изменяемым порогом регистрации, Облацая более низким порогом регистрации (Е - 2-8) по сравнению с кристаллами, поликарбонатные детекторы позволяют расширить область исследований, в которой возможна дискриминация заряженных частиц разной массы и энергии до Е - 2-50,П р и м е р 1. Отработка методики проводилась на образцах МаЕгоЕо 1-Е, облученных ионами неона, аргонаксенона, под углом к поверхностио30 . Облучение детекторов под углом к поверхности дает возможноать после химического травления измерять пробеги ионов и следить за .изменением этих характеристик в процессе обработки, Ионы. неона и аргона.в экспериментах по изучению деления: ядер часто...

Номер патента: 1226209

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Афанасьев, Имамов, Пашаев, Половинкина

МПК: G01N 23/20

Метки: выявления, дефектов, кристаллов, рентгенографический, структуры

...1). Падающий пучок от острофокусного источника коллимируется горизонтальной Я и вертикальной Я-гщелями. Вследствие конечного размера вертикальной щели 5, и малогоугла падения 9 на кристалле засвечивается полоска дВ , длина которойопрецеляется размером щели Е. ивеличиной угла падения , , а ширина полоски АВ определяется размеромгоризонтальной щели Е , Дифрагиро 1 О ванный пучок выходит с ВходнОЙ поверхности кристалла и фиксируетсяна фотопленке в виде штриха АВ( фиг. 2), Таким образом, по предлагаемому способу рентгеновской типографии реализуется брэгговская дифракция от лауэвских плоскостей,отклоненных на малый угол от нормалик поверхности кристалла.При дифракционном отражении рентщ геновских лучей в стандартной брэгговской дифракции...

Номер патента: 1728737

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Демьянец, Кузьмина, Никитенко, Стоюхин, Терещенко

МПК: G01N 21/64

Метки: ассоциатов, дефектов, кристаллах, присутствия, точечных

...жидкого азота исследуется красная люминесценция кристаллов.Предлагаемый способ осуществляют следующим образом.По стандартной методике снимают спектр фотолюминесценции кристаллов ЕпО в области длин волн 650-800 нм. Оптимальные условия сьемки соответствуют температуре жидкого азота, что отвечает максимуму в зависимости красной люминесценции от температуры. Возбуждение образца проводится линией ртутной лампы (например, ДРТ) с длиной волны 405 нм, так как максимум в спектре возбуждения красного излучения приходится на диапазон 400 - 410 нм, и другие линии излучения пампы менее эффективны. В используемой установке излучение ртутной лампы ДРТмонохроматизируется с помощью входного монохроматора МДР-З, спектр люминесценции исследовался на...

Номер патента: 390422

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Амазасп, Афанасьева, Григор

МПК: G01N 21/95, H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, кристалла, поверхности, полупроводниковых, приборов

...изображения с усиленным или ослабленным контрастом.20 Длч получения видимого изображения используется световой сигнал, отраженный от поверхности объекта при сканировании светового зонда и регистрируемый фотоэлектронным умножителем.25 На чертеже изображена блок-схема устройства, где обозначены: 1 - телевизионная проекционная трубка; 2 в объектив; 3 - полупро водниковый прибор; 4 - видеоусилитель фотоответа; 5 в световод; б - фотоэлектронный 30 умнояитель (ФЭУ); 7 - видеоусилитель ФЭУ;390422 Составитель В. Громоедактор Б. Нанкина Техред Е. Борисова ейзерман Царькова рректоры: Ми аказ 30686ЦНИИПИ Изд.1734 Тираж 755 осударственного комитета Совета Минист по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5одписное Типография,...

Номер патента: 661310

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Гречушников, Чудаков

МПК: G01N 21/40

Метки: дефектов, кристаллах, малоконтрастных, наблюдения, фотоэлектрический

...луча наблюдается приРЕусловии Яс 6= - При этомпаЕ РОЯамана2 пеиоУгол 1 обычно незначителен, ввиду то- ГочтО Ре - и с 1пОэтОму мОжнО считать, чтогЧОкс(3)2 пепРаздваивание лучей на выходе из пластинки на обыкновенный и необыкновенный обуславливает раздваивание действительного иэображенияобъекта. Одно иэображение, формируемое обыкновенными лучами,-проецируется в то место, где оно было бы при условии, если бы пластинка 3 была изотропной, например стеклянной, Другое изображение, построенное необыкновенными лучами, сместится на величину 3 или 1 Мо в направлении наклона оптической оси двупреломляющей пластинки, Смещение необыкновенного иэображения на величину 1 достигается при установке пластинки Между объективом и полевой...