Усилитель-формирователь

Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик Оп ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ)М,К присоединением заяв3) Приоритет -3 К 5 ударатненнае квинтет вата Мнннетраа СССР аа делам нэабретвннйи аткрмтнй 43) Опубликовано 05.45) Дата опубликова 7.78 бюллетень З) УДК 62 1.3 73 (088.8 описания 09,06,7 одовский и В. В. Моисее(72) Авторы изобретения В 1) Заявитель 54) УСИЛИТЕЛ Ь-ФОРМИРОВАТЕЛ 2го по схеме эмиттерного повторитейя, вкпючен транзисторный кшоч, напряжение на коп,- лекторе которого может превышать предеттьро.допустимое значение напряжения питанияе,микросхем (2),Недостаток указанного усипитепяформи;роватепя 1 заключаетсяв том что в режимемолчания транзисторный кпюч открыт и потребпяет допопнитепьную мощность. Крометоро, эмиттерный повторитепь имеет низкий коэффициент передачи напряжения, чтоприводит к уменьшению выходного напряжения усипитепя.. Цепь изобретения уменьшение по пйемой мощности.Поставленная цель достигается тем, чтов предпагаемом усипитепе-формироватепе,состоящем из погической схемы, двух трапзисторов, источника питающего напряжениялогической схемы и одного транзистора, источника повышенного напряжения, к выходулогической схемы подключен эмнттер у.-р-тътранзистора, база которого через резисторсоединена с источником питающего напряж: ния погической схемы, а коппектор - с баИз обретехнике и11 и.При посвозникае т ие относ тройства я к вычиспитепьнойискретной автомати. троении устройств на мробпема формированиян осхемах абельний,допус е треб ением й схемой построен ных пиниях связи импупьсны яже ве- личина которых превышает итимые значения напряжения микр схем.Известна схема формирования бопьших пф 1 Е амплитуде импупьсов. В ней испопьзуется наложение входного импупьса на уровень ню пряжения допопнитепьного источника питаний, что осуществпяется с помощью перекпючатефпя, построенного на транзисторе, диоде и 1 а развязывающей емкости 11 .Однако такие схемы непригодны дпя уств ройств, работающих в динамическом режиме с переменной скважностью и дпитепьностьюимпульсов иэ-за наличия реактивности (кой в денсатор) во входной цепи.Наиболее близким техническим решк изобретению является усипитепь-формирователь, в котором между логическои оконечным каскадом усипитепя, но6 1 45,33 ова , Корректо оставигель М.Техред 3. Фант бола едактор И, Гох 1 олписн Тираж 1086сударственного комитетао делам изобретений и о5, Москва, Ж, Раунд аэ 3709/4 ЦНИИПИ Совета Министрокры тийкая наб., д. 4/5 3 зой выходного р-я-р транзистора, элп 1 ттеркоторого подключен к источнику повышенного напряжения, а коллектор соединен с нагрузкой,На чертеже представлена схема усилите 5ля-формирователя.К выходу логической схемы 1 (например,зистора 2, а его фаза соединена через ограничительный резистор 3 с источниками питания 4.База р-ф 1-р транзистора 5 соединена с коллектором транзистора 2, его эмигтер - с источником 6 повышенного напряже:ния, а коллектор - с нагрузкой, предсгавля 4 ьщей собой согласованную коаксиальную линию.8 режиме молчания на выходе схемы 1формируется.ффлогщческая единицами. Транэисторы 2.и 5 закрыты. Потреблейие мощноститрвнэйсторами ог.исгйчника Ги 6 отсугсЬвует.Во время формирования сигнала на ви 4ходе схемы 1 возникает логический ноль",эмиттер транзистора 2 становится болееотрицательным, чем его база, и он открывается, Транзистор 5 также открывается,так как коллекгорный ток транзистора2 является включающим базовым токомтранзистора 5. На нагрузку передаегсянапряжения от источников 4 и 6 эа искпюченн:.м напряжения насыщения колпектор-эмиттер транзистора, 5. Ивнду того, лтонапряжение насыщения перехода коллектор-эмнттер ниже, чем 1 падение напряжения на переходе база-эмиттер, коэффициент передачи выходного транзистора 5 выше, чем в схемах эмиттерных повторителей, применяемых в качестве выходных усилителей-Формирователей.формула иэ обретения Усилитель-формирователь, состоящий иэ логической схемы, двух транзисторов, источника питающего напряжения логической схе мы и одного транзистора, источника повышдчного напряжения, о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью уменьшения потребляемо мощности, к выходу логической схемы подкнючен эмиттер Ъ-р-а- транзистора, база которого через резистор соединена с источч ником питающего напряжения логической схемы, а коллектор - с базой выходного р -р транзистора,эмигтер которого подключен к источнику повышенного напряжения, а коллектор соединен с нагрузкой.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Патент США % 3638044, кл. 307- 264, 1973.2. Информационно-справочный листок022298, 1971.