Одновибратор

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик) Дополнительное к авт. свид-ву3455 22) Заявлено 11.11.76 (21) 2420757/1 нением заявки-с прис Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений аритет(45) Дата опублико ния описания 16.(54) ОДНОВИБРАТО нптельного транзисторов разного типа 1 проводиыости, выключенных по схеме с общим эмиттером, резисторы, диоды, параллельные ЕС- цепочки, введен выходной каскад на транзисторе п-р-п-тпа, включенном,по схеме с общим эмиттером, два резистора и коденсатор. При этом коллектор указанного транзистора через один резистор соединен с коллектором второго дополнительного транзистора, а база через другой резистор.подключена к,коллектору первого основного транзистора и через,конденсатор - к коллектору первого дополнительного транзистора. На чертеже предсэлвктрическая схемаОдновибратор содосновном 1 и дополнивторой каокад на оснном 4 транзисторах,стор 7, параллельныеров 8 - 10 и;конденсатзистор 15, входной трщий конденсатор 17,18, выходной каскадстары 20, 21, конденса Одновибратор рабм. При,подаче на вх А. В, Гославский, А. Л. Изобретение относится к импульсной технике, к устройствам,:которые могут быть использованы в электронной аппаратуре в качестве формирователей задержки и длительности импульсов.По основнаму авт. св. 345598 известен одновибратор, содержащий,два каскада, каждый из которьх состоит из основного и дополнительного транзисторов разного типа прова. димости, входной транзистор, параллельные КС.цепочки, резисторы, диоды.Этот одновибратор лотребляет небольшую мощность, имеет повышенную стабильность выходных импульсов и малое время восстановления.Недостапкоз одновибратора является невысокая нагрузочная способность, особенно при работе на емкостную нагрузку, так как нагрузочная емкость заваливает передний фронт положительного импульса, который формируется ,коллекторам второго основного транзистора и через конденсаторь передается по цепи обратной связи в базы основного и дополнительного транзисторов, влияя на формирование фронтов и раоотоспособность схемы.Цель изобретения - повышение нагрузочной способности одновибратора.Поставленная цель достигается тем, что в одновибратор, содержащий два,каскада, гкажый из которых состоит из основного и дсполтавлена принципиальная одновибратора.ержнт первый каскад на тельном 2 транзисторах, овном 3 и дополнительрезистор б, диод 6, рези- КС-цепочки, из резистооров 11 - 13, диод 14, ре анзистор 16, времязадаю. времязадающий резистор а транзисторе 19, резитор 22. отает следующим обраод одновибратора поло601806 дб 1 УОР 1 Г 1 8 ы Составитель И. Радько Редактор Т. Орловская Текред И, Рыбкина Корректор В. Гутман Заказ 180/341 Изд. Лъ 135 Тираж 1087 Подписное НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 7 К, Раушская наб., д, 4/5Тип. Харьк. фил. пред. Патент жительного запускающего импульса закрывается транзистор 3 и опкрывается транзистор 4, что вызывает закрывание транзистора 2 и открывание транзистора 1, отрицательный переход напряжения на коллекторе приводит, в свою очередь, к закрыванию транзистора 19, Процесс заканчивается,переходом схемы во временно-:устойчивое состояние. При этом на коллекторе транзистора 19 выходного каскада одновибратора формируется рабочий импульс, Длительность этого импульса определяется разрядом времязадающегоконденсатора 17 по цепи: источник, питания Е, времязадающий резистор 18, диод 14, транзистор 1, источник питания. После того как напряжение на времязадающем 1 конденсаторе 17 достигает напряжения открывания, транзистор 3 открывается, вызывая открывание транзистора 2 и,закрывание транзистора 1, что, в свою очередь, приводит к закрыванию транзистора 4 и открывание транзистора 19, Процесс заканчивается пере.ходом схемы в устойчивое исходное состояние, после чего, происходит восстановление одновибратора - заряд вромязадающего конден сатора 17,по цепи: источник питания, транзистор 2, резистор 15, транзистор 3, источник питания. Формула изобретения 10 ,Одновибратор по авт. св. Юо 345598, отл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения нагрузочной способности, в него введен выход.ной каскад на транзисторе п-р-п-типа, включен ный по схеме с общим эмиттером, два резистора и конденсатор, при этом коллектор указанного транзистора через один резистор соединен с коллектором второго дополнительно.то транзистора, а база через другой рези стор подключена к коллектору первого основного транзистора и через конденсатор - к кол лектору первого дополнительного транзистора.