Одновибратор

, 1091314 в НО 3 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 21) 3286732/18-2122) 13.05,814 Ъ тером,тора -зистора ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ(71) Московский институт радиотехники, электроники и автоматики и Объединенный институт ядерных исследований(56) 1, Справочник по импупьсной технике, Под ред, З.Н.Яковлева, "Техника", 1972, с.238, рис.6,7 (прототип).(54)(57) ОЛНОВИБРАТОР, содержащийпервый транзистор, коллектор которогосоединен с первым выводом первогорезистора, а эмиттер через второй резистор - с ниной первого источникапитания, второй транзистор противоположного типа проводимости, база которого соединена с коллектором первого транзистора, а эмиттер через третий резистор - с шиной второго источника питания и через конденсатор - с эмиттером первого транзистора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности и быстродействия, в него введены третий транзистор, база которого соединена с общей шиной, а эмиттер и коллектор через четвертый и пятый резисторы - с шинами первого и второго источников питания соответственно, и шестой резистор, включенный между коллектором второго транзистора и общей шиной, причем база первого транзистора соединена с эмит -а второй вывод первого резисс коллектором третьего тран25 30 40 45 50 55 Изобретение относится к импульсной технике и может найти применениев формирователях импульсов с детектором ядерного излучения и другихустройствах для формирования импульсов короткой длительности,Известен одновибратор, содержащий первый транзистор, коллектор которого через первый резистор соединенс шиной второго источника питания,эмиттер через второй резистор - сшиной первого источника питания, абаза - с общей шиной, второй транзистор противоположного типа проводимости, база которого соединенас коллектором первого транзистора,эмиттер через третий резистор - сшиной второго источника питания ичерез конденсатор с эмиттером пер вого транзистора, а коллектор - собщей шиной 1 3. Основными недостатками данного устройства являются относительно малая чувствительность и низкое быстродействие, Малая чувстви Рель - ность связана с ограниченной возможностью известного устрбйства по усилению запускающих сигналовОтноси 1 ельно низкое быстродействие обусловлено необходимостью заряда емкостей коллекторно-ба.зовьк переходов обоих транзисторов как в момент запуска, так и в регенеративном процес се, Прн этом под увеличением быстродействия одновибраторов подразумевается минимизация времени задержки достижения выходного импульса одновибратора определенной амплитуды, способной запустить последующее регистрирующее устройство.Цель изобретения - одновременное повышение чувствительности и быстродействия одновибратора.Поставленная цель достигается тем, что в одновибратор, содержащий первый транзистор, коллектор которого соединен с первым выводом первого резистора а эмиттер через второй резистор - с ниной первого источника питания, второй транзистор противоположного тина проводимости, база которого соединена с коллектором первого транзистора, а эмиттер через третий резистор - с шиной второго источника питания и через конденса - тор - с эмиттером первого транзисто- ра,введены третий транзистор, база которого соединена с общей шиной,а эмиттер и коллектор через четвертый и пятый резисторы - с шинами первого и второго источников питания соответственно, и щестой резистор, соединяющий коллектор второго транзистора с общей шиной, причем база первого транзистора соединена с эмиттером, а второй вывод первого резистора - с коллектором третьего транзистора.На чертеже приведена схема одновибратора. Одновибратор содержит первый, второй и третий транзисторы 1-3;,первый и второй источники питания 4 и 5; резисторы 6-11 и конденсатор 12.При этом коллектор первого транзистора 1 соединен с первым выводом первого резистора б, а змиттер через второй резистор- с шиной первого источника 4 питания. Второй транзистор 2 базой соединен с коллектором первого транзистора, а эмиттеромчерез третий резистор 6 - с щиной второго источника питания 5 и че -рез конденсатор 12 - с эмиттеромчерво 1 о транзистора 1, Третий транзистор 3 базой соединен с общейшиной, а змиттером и коллектором через четвертый 9 и пятый 19 резисторы - с шинами первого 4 и второго5 источников питания соответственно. 1 Честой резистор 11 подключен междуколлектором второго транзистора 2и общей шиной, база первого транзистора 1 соединена с эмиттером, авторой вывод гервого резистора 6 с коллектором третьего транзистора 3. Одновибратор работает следующимобразом,В исходном состоянии транзисторыи 3 находятся в активном режиме,а транзистор 2 - в режиме микротоков, что достигается соответствующим выбором номиналов резисторов6-10. Запускающий импульс поступаетна эмиттер транзистора 3 и, усиливаясь, воздействует на базу транзистора 2 переводя его в активныйрежим, Цепь положительной обратнойсвязи через конденсатор 12 замыкается и начинается релаксационныйпроцесс опрокидывания одновибратора, Важно подчеркнуть, что в ходеэтого процесса транзисторы 1 и 3оказываются включенными по схеме составного транзистора, а в цепях заСоставитель С,Агеевактор А,Фролова Техред В.Далекорей Корректор Л.Пилипенко аз 3098/53 ВНИИПИ п 113035, Тираж 862сударственного комитета делам изобретений и отк осква, Ж, Раушская н одписноСССР ытииб., д, 4/5 Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 3 10913 ряда коллекторно-базовых емкостей транзисторов 1, 3 и 2 оказываются последовательно включенными сопротивлениями %в транзистора 3,резисторов 6 и 11Все зто способствует 5 ускорению процесса переключения одновибратора во временное устойчивое состояние, При зтом за счетрезистора 11 транзистор 2 входит в насыщение раньше транзистора 1, кото- О рый, как и транзистор 3, остается в активном режиме, По окончании разряда конденсатора 12 заканчивается формирование длительности импульса и происходит обратный релаксационный процесс, скорость которого по те же причинам оказывается более высокой, чем у известного устройства,Таким образом, введение дополнительных элементов позволит обеспечить одновременное повышение чувствительностн и быстродействия одновибратора.