Гославский

Номер патента: 865959

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Гославский, Кузьмичев, Лупаков, Чермашенцев

МПК: C22C 38/42

Метки: сталь

...загибом до подковообразного вида и изменяют от 0 до величины, несколько большей 26предела текучести нагартованного металла.Полученные результаты приведены в .табл. Время испытания образцов до растре скивания,ч Механические свойства Удар ОтносительТвердость,НВС,кгсм(см ОтносительПределпрочносностибд,Предел текучее.фо,акг/мм Сталь ное суже.нне ное удлине- ние вяз. костьКС,кгсмсм Ф,% 5,% Извес длагаемая 57 1-й состав 12 2-й состав 88 32 85 й состав 9 ненты в следующем нию, она содержит компсоотношенни, вес.%:УглеродМа танец 0,03 - 0,08Э р 0,10 - 0,30Кремний 0,10 - 0,30Хром 11,0 - 14,5Никель 5,0-8,0Медь 1,0-2,5Железо ОстальноеИсточники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР У 272766,кл, С 22 С 38/50,...

Номер патента: 773914

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Гославский, Журова, Иванов, Шустин

МПК: H03K 3/284

Метки: одновибратор

...времязадающий конденсатор 18, время- задающий резистор 19, входной транзистор 20, выходной транзистор 21, резисторы 22 и 23, источник питания Е 1, =+ЗВ, источник литания Е =+5 В.Все транзисторы включены по схеме с общим эмиттером.Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии транзисторы 4,1 и 20 нормально закрыты, а транзисторы 2,3 и 21 открыты и находятся в насыщении. Времязадающий конденса тор 18 .заряжен до напряжения( , кэ, дэ 3фгде Г - основной источник питания;О, - напряжение "база-эмиттер"насыщенного транзистора 3О- напряжение "коллекторэмиттер" насыщенноготранзистора 2. 15При подаче на вход одновибратора положительного запускающего импульса открывается транзистор 20, потенциал на его коллекторе уменьшается, что...

Номер патента: 601806

Опубликовано: 05.04.1978

Авторы: Гославский, Журова, Иванов

МПК: H03K 3/284

Метки: одновибратор

...второго основного транзистора и через конденсаторь передается по цепи обратной связи в базы основного и дополнительного транзисторов, влияя на формирование фронтов и раоотоспособность схемы.Цель изобретения - повышение нагрузочной способности одновибратора.Поставленная цель достигается тем, что в одновибратор, содержащий два,каскада, гкажый из которых состоит из основного и дсполтавлена принципиальная одновибратора.ержнт первый каскад на тельном 2 транзисторах, овном 3 и дополнительрезистор б, диод 6, рези- КС-цепочки, из резистооров 11 - 13, диод 14, ре анзистор 16, времязадаю. времязадающий резистор а транзисторе 19, резитор 22. отает следующим обраод одновибратора поло601806 дб 1 УОР 1 Г 1 8 ы Составитель И. Радько Редактор Т....

Номер патента: 437197

Опубликовано: 25.07.1974

Авторы: Былов, Гославский, Яковлев

МПК: H03K 3/284

Метки: одновибратор

...5, 2, в этот момент происходитразряд времязадающего конденсатора черезколлекторно-эмиттерный переход дополнительного транзистора 5. Открывание транзистора основного 2 приводит к открыванию снебольшой задержкой транзисторов 1 и 4, что0 ведет к закрыванию транзистора 5. После чегоначинается заряд времязадающего конденсатора 6 по цепи резистор 7, параллельно включенный ему переход Э - Б транзистора 2, резистор 8 и переход К - Э транзистора 1. Этот15 процесс продолжается до достижения напряжения на конденсаторе 6 величины (Е - Уаэ).После чего закрывается транзистор 2 и схема опрокидывается в исходное состояние, авремязадающий конденсатор 6 начинает раз 20 ряжаться через резисторы 7, 8 и 9,При отсутствии дополнительного...

Номер патента: 345598

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Былов, Гославский, Яковлев

МПК: H03K 3/284

Метки: одновибратор

...состоянии потрсбляется по базовым цепям транзисторов 2 и 3.При подаче на вход одцовибратора положительного запускающего импульса закрывается транзистор 2 и открывается транзистор 4, что вызывает закрывание транзистора 3 и открывание транзистора 1. После этого начинается разряд конденсатора 6 по цепи: источник коллекторного напряжения - резистор 7 - транзистор 1 (временцо устойчивое сосостояние). Прп этом мощность во время псКорректор С. Сатагулова Редактор Б. Федотов Заказ 2587(12 Изд.1146 Тираж 406 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Мшшстров СССРМосква, )К, Раушская наб., д. 475 Типография, пр. Сапунова, 2 реброса схемы потребляется по коллекторным цепям очень короткое время, а во временно...