Полупроводниковый ключ

Номер патента: 940089

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Бородянский, Цопкало

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, полупроводниках

...третьего ключа, управляющий вход которого 15через дополнительный элемент задержкисоединен с управляющим входом второго ключа и выходом генератораодиночных импульсов, выход элементазадержки соединен с управляющим входом первого ключа, выход третьего ключа подключен к первому входу элементасравнения и к первому выводу резистора,второй вывод которого соединен с второйобкладкой конденсатора, подключеннойк второму выходу датчика, выход блокауставки соединен с вторым входомэлемента сравнения, выход которогосоединен с управляющим входом четвертого ключа, соединенного через счетчик с блоком регистрации, к входу четвертого ключа подсоединен генераторимпульсов.На чертеже представлена структурная схема поедлагаемого устройства.Устройство содержит...

Номер патента: 1525780

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Житнюк, Мелков, Соловьев

МПК: H01P 5/08

Метки: волновода, диэлектрический, металлического, переход

...комитет 13035, Москва,зводственио-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул, Гагарина,101 Изобретение относится к техникеКВЧ и может быть использовано в уст ,ройствах на диэлектрических волноводах,5Цель изобретения - уменьшение потерь., фиг,2; на фиг,2 - сечение Б-Б нафиг,1,0Переход металлического волноводана диэлектрический содержит отрезокметаллического волновода 1, металлический рупор 2 и отрезок диэлектрического волновода, состоящего изметаллической подложки 3, диэлектрического слоя 4 и диэлектрическогостержня 5, заостренного с одного конца, На диэлектрическом слое 4 рас. положен металлический слой б, являющийся продолжением стенки отрезка металлического волновода 1,Устройство работает следующим образом,Электромагнитная волна,...

Номер патента: 968588

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Демьянов, Маслов

МПК: G01B 7/02, G05B 23/02

Метки: длины, жидких, контактах, металлических, мостиков, электрических

...счетчики 17 и 18 импульсов устанавливаются в нулевое состояние.При поступлении с выхода блока 16 управления напряжения на электродвигатель 7 он медленно ввинчивает микрометрический винт 6. При медленном перемещении микрометрического винта 6 напряжение на контактах 2 и 4 постепенно повышается, При достижении напряжения на контактах 2 и 4, 60 ,соответствующего напряжению плавления, между размыкаемыми контактами 2 и 4 образуется жидкий металлический мостик. При достижении на мостике напряжения кипения металл 65 мостика закнпает (" взрывается" ) и мостик обрывается.В блоке 12 опорных напряжений выставлены напряжения, соответствующие напряжению плавления и напряжению кипения контактного материала испытуемых контактов 2 и 4.При...

Номер патента: 1755218

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Воинов, Гущик, Кураченко, Чернуха

МПК: G01R 31/26

Метки: диэлектрик, зарядовой, переходом, приповерхностным, стабильности, структур, —полупроводник

...достаточно длительном процессе эксплуапробоя, воздействие коронными разрядом, тации, Потенциал электрода выбирается таполярность которого соответствует инвер- кой полярности, чтобы в приповерхностной сии приповерхностной области р-и-перехо- области р-п-перехода возникал инверсный да, изменяют величину потенциала слой. Величина потенциала, необходимая коронногоразрядаиодновременноизмеря для возникновения инверсионного слоя, ют электрический ток, протекающий через тем больше, чем меньше величина заряда .р-п-переход, причем потенциал коронирую- структуры диэлектрик-полупроводник, что щего разряда увеличивают до тех пор, пока иллюстрирует фиг.1. О появлении инверсноток начинает немонотонно увеличиваться, а го слоя судят по возрастаию...

Номер патента: 1402201

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Ермакова, Перов, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрика, емкости, заряда, области, полупроводнике, полупроводниковых, пространственного, структур

...где Е, - диэлектрическая проницаемостьМатериала, Я - диэлектрическая пров ицаемость вакуума, Б, - концентрая нескомпенсированных примесей волупроводнике, с 1 - заряд электрона); М, - сопротивление утечки материала б большей шириной запрещенной зоны; Ц - емкость материала с меньшей шииной запрещенной зоны, К, - сопротивение объемных квазинейтральных обастей полупроводников; Бф - фотоЭДС, оявляющаяся при освещении образца;емкостная нагрузка; 7- фотонаряжение (фотоотклик); на фиг,. 4 ременная зависимость фотоотклика 1 (Т) при освещении образца светом,Кривая 1 - при С=С и кривая 2 - 25 4 ри С=С Н, С н (С и, . Чф - значение фотоотклика в точке излома на зависиМости 7 при С=С и, 7 ф - при С= =С 1 где С и С- первое и второе значения...