Электронный эмиттер с пониженным электронным сродством

Номер патента: 575711

Автор: Стригущенко

ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистических РеспубликОП КСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕПДЬСТВУ/3 присое ниетт заяв Государственный квинтет Саввтв Инннатрав СССР аа девам нэабретеннй н аткрытнй.77. Бюллетень 3 621,389,2988.8) описания 02.11,7 72) Автор изобретении тригущенк о Ордена Трудового Красного Знамени институт.и алектроники АН СССР ехникичто Приовуюз смесого тклетча Изв тер с ит 15 содер на ос испол дится и тем-40 ка, пол пендику ом ами Еч 1поверхнижаю плотно менение до 1000 откос сионны 1Изобретение относится к эмиссионнойкатодной электронике и микроалектронике,Известен электронный эмиттер на основеполупроводникового материала, в которомзначительное понижение электронного сродства, вплоть до отрицательного, достигается за счет большого поверхностного изгиба зон в полупроводнике р-типа и создания на поверхности активирующего покрытия, сильно понижающего электронноесродство. Однако атот амиттер обладаетмалым сроком службы и недостаточной термостабильностью,естен также другой алектронный эмиониженным электронным сродством.ащий подложку и эмиттирукнций слойве сегнетоэлектрика 1 11, В немуется монокристалл сегнетоэлектриярная ось которого направлена перлярно к плоскос 1 и алектродов, аость обработана а или Св 0поим потенциальный барьер,остатком этого эмиттера являетсяельно низкая эффективность эмиссии, низкая термостабильность и малысрок службы,Целью изобретения является повышение 5 аффективности эмиссии, увеличение термостабильности и срока службы амиттера. Указанная цель достигается теамиттирующий слой выполнен из н О лития в смеси с 10-20 вес.Ъ тит изготовлении эмиттера на молибдеодложку наносится слой, состоящий н ниобата лития и порошкообраз тана,с биндером (раствор нитроки в амилацетате). Затем произво т ермообработка в вакууме 10 ммрт пературе 600-1000 К в течение мин. Приготовленный таким спосоттер при напряженностях полоя 0 в/см и температуре 5 300 К дае3ть тока эмиссии10 а/см. этемпературы эмиттера от 300 КоК практически не влияет на эмисток а течение лф 200 ч работы.575711 титана. Составитель В. БелоконьРедактор С. Иваном Техред А. Демьянова, Корректор В, Сердюк Заказ 4044/37 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород ул, Проектная, 4 формула изобретения Электронный эмиттер с пониженным электронным соодством, содержащий подложку и эмиттирующий слой на основе сегнетоэлектрика, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности эмиссии, увеличения термостабильности и срока службы, эмиттируюший слой выполнен из ниобата лития в смеси с 10-20 вес,% 5 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1, Авторское свидетельство Ъ 404142,кл. Н 01.1 1/30, 1973.

Смотреть

Заявка

2339854, 30.03.1976

ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ АН СССР

СТРИГУЩЕНКО ИГОРЬ ВАЛЕНТИНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01J 1/30

Метки: пониженным, сродством, электронный, электронным, эмиттер

Опубликовано: 05.10.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-575711-ehlektronnyjj-ehmitter-s-ponizhennym-ehlektronnym-srodstvom.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Электронный эмиттер с пониженным электронным сродством</a>

Похожие патенты