Элемент памяти

Союз Советских Социалистииеских РеспубликОЛ ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДИИЛЬСТВУ(22) 3 24.11.75 (21) 21926нем заявки-леио 61) М. Кл,в 11 С 1 рисое Гааударстввниьб иаиитвт Саавтв Миниатрав СССР аа двлаи иэаарвтвний и аткрытий, Завадский, А. В, Иваще и И. В. Потыкевич В. К, Максимов аявнтел 4) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ 1зобретение относится к вычислигелытой техможет быть использовано при создании баритных эапоминаюпех устройств ЭВМ.естны элементы памяти, способные нахов одном из двух устойчивых состояний,пластину из сегиетоэлектрического мас нанесенным иа нее слоем полупровод. никемалог Изв,дитьсясодержащиетериала Один из известных элементов памяпт содержит пластину из сегнетоэлектрического ь:атериала, на 1 одной стороне которой расположен слой полупро-. водника с нанесенным на него электродом унравле. ния, подключенным ко входу элемента Ц,Недостатком элемента является его низкая надежность.Наиболее близким техническим решением к предложенному изобретению является элемент ла. мяти, который содержит,как и предложенный,последовательно расположенные электрод ноляриза. ции, пластину из сегнетоэлектрического материала 2 и слой полупроводника с нанесенным на него электродом управления, подключенным ко входуэлемента т 21.Недостатком известного элемляется низкая надежность вслед 25 тся подключе. пряжения. При ормацни произвм 2 и 5 источнн ента памяти явствие нестабиль. 2) Авторы изобретения И. В. Завали ности н плохой воспроизводимости выходных характеристик слоя полупроводника, имеющего значительную протяженность и подвергающегося влиянию воздействий внетнией среды,Целью изобретения является повьппение падеж.юсти известного элемента памяти.Поставленная цель трстигается тем, что элементпамяти, содержащий последовательно распоножен.ные электрод поляризации и пластину из сегнето.электрического материала, и слой полуроводиикас нанесенным на него электродом управления, под.ключенньтм ко входу элемента, содержит слойметалла, расположенный между слоем полупроводника н пластиной нз сегнетозлектрнческого материала,На чертеже изображен элемент памяти, содержащий пластнну 1 из сегнетоэлектрического мам.риала, На одной стороне пластины 1 расположенэлектрод поляризации 2. На ррутой стороне расположен слой полупроводника 3, отделенный от плас.тины 1 слоем металла 4, Слой полупроводника 3снабжен электродом управления 5, подключаемымко входу элемента,Запись инф однкием к электрода ка на557417 Составитель 1 О. Розвнтап Техред Н, Бабурка Корректор Л. Весеповск тор И, Ыарховская ТиРаж, 728Подо И Государственного комитета Совета Министр по делам изобретений в огкрытвй 113035, Москва, Ж, Раупгская наб., д. 415аз 854/61 ни ПП "Патент", г, Уагород, уа Пров 4 этом происходит поляризация сегнетоэлектрическо. го материала пластины 1, заключенного между вы. аеуказанными электродами, В результате поляри.эации на поверхности пластины 1 появляется поля ризационный заряд и, в зависимости т 1 т знака заряда; происходит обогащение или обеднение но ситслями слоя полупроводника 3, расположенного в зоне электрода 2. Регистрация состояния полупроводника 3 (неразрушающее считывание) производиХ- ся подключением регистрирующего прибора между 1 ф электродами 2 и 5,Ограничение поверхности слоя полупроводника площадью электродов 2 и 5, зависимость парамет.ров этого слоя только от его тоацины, позволяет получить более стабильные характеристики элеме.га памяти, свободные от влияния внешних воздействий, что приведет к повышению надежности элемента. Следует отметить, что такая конструкция 4элемента не требует применения дополнительных,нассивирующих покрытий.Формула изобретения Элемент памяти, содержЬций последовательно расположенные электрод поляризации и нластину 1 иэ сегнетозлектрического материала, и глай полу-, проводника с нанесенным иа нвго электродом, управления, подюпочвнным ко входу. элемента, отличающийся тем, что, с целью повытпения надежности элемента, между.слоем ионупроводннка и пластиной из сегнетоэажтричежого материала расположен слой мвтааа.Источники информации, принятые во внимание, цри экспертизе:1. Пвгевт СВА Ифббб 7 бб, кл,340-174 т 18.04.71.2. ТИИЭР, т. 54, У б, 19 бб, с, 30-38.