Жидкокристаллическая мишень для электронно-лучевой трубки

Номер патента: 543911

Авторы: Ваксман, Михайлик, Шошин

ZIP архив

Текст

(11) 5439 Социалистицескихи Республик ЗОБРЕтеНИЯВТОР СКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ) Дополнительное к авт. свид-ву2) Заявлено 24,12.75 (21) 2317570/25присоединением заявки3) Приоритет -Кл02 Р 1/13Н 01 У 29/10 Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий45) Дата опубликования описания 23,04.7 В, М, Ваксман, В, Г. Михайлик и В. М. Шошин(71) Заявитель 4) ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ МИШЕНЬ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОИ ТРУБКИ мя диэлектри бшняя поверхучом на сится п улируетжидким такои конструкции явля- сложность записи и счи тся, во-перв Изобретение относится к устроиствам отображения информации, в частности к устройствам с жидкокристаллическими веществами, может быть использовано для преобразования электрических сигналов в двумерные опти вские изобретения, формируемые в когерентном и некогерентном свете, например в устройствах отображения информации на большой экран; для непосредственного наблюдения изображения на экране прибора в условиях сильной внеш ней засветки.Известны жидкокристаллические мишени для ЭЛП, содержащие жидкий кристалл (ЖК), помещенный между двуческими пленками, причем вненость нижней пленки покрыта черным проводящим слоем 11 . Сканирующим электроннымповерхность верхней пленки нантенциальный рельеф, который мцветовую картину, создаваемуюкристаллом,Недостатками тывания, так как для смены кадра изображения требуется двукратное сканирование всего растра, а во-вторых, то, что запись и считывание производятся с одной и той же стороны мишени.Наиболее близким по техническому решению к предлагаемому является ЖК мишень для ЭЛТ, содержащая прозрачный проводящий слой, нанесенный с внутренней стороны на прозрачную изолирующую подложку, слой жидкокристаллического вещества и перегородку, отделяющую ЖК вещества от остальной части ЭЛТ, причем перегородка представляет собой пластину, состоящую из дискретных, изолированных друг от друга проводников 2.Управление ведется с помощью тока электронного луча. Недостатками такого устройства являются низкая разрешающая О способность прибора и сложность изготовления пластины с большой плотностью элементов,Цель изобретения - повышение разрешающей способности и упрощение техноло 2 б гии изготовления мишени..543,911,3 Составитель Н. ГригорьеваТехред О. Луговая Кэрректэр Б, Югас Редактор Т, Иванова Заказ 1 034/6 3 Тираж 628 ПэдписнэеЦНИИПИ Государственного комитета Сэвета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Мэсква, Ж, Раушская набд, 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Для достижения этой цели перегородка выпэлнена из диэлектрической пленки, кэторая с внешней стороны покрыта проводящим слоем, причем для повышения контрастности изображения и использования прибора как зеркала с модулируемым отражением проводящее покрытие на пленке может быть выпэлнено зеркальным. В качестве диэлектрической пленки может быть использован полиэтилентерефталат,Толщину пленки выбирают в зависимостти от величины ускоряющегэ напряжения в ЭЛТ так, чтобы в ней электронным пучкэм вэзбуждалась объемная проводимость.На чертеже изображена конструкция ЖК 15 мишени.Мишень состоит из прозрачной изолирующей поцлэжки 1, покрытой прозрачным проводящим слоем 2, ЖК слоя 3, наприер нечатпка, и диэлектрической пленки 4, 20 покрытой проводящим слоем 5, которыйэжот быть выполнен зеркальным.Электронный пучок 6 прэникает сквозь прэвэцящей слой 5 и возбуждает объемную пр юэцимэсть в диэлектрической пленке, с 5 Образующийся прэвэдящий канал служит для прэхэждения тэка через ЖК и вэзбуждения динамического рассеяния. Считывающий светэвой пучок 7, отражаясь от проводящего слэя 5, дважды проходит через зо ь. улирующий слой ЖК, Остаточные заря- ,: стекают по проводящему слою 5.Замена пластины с дискретными изоли;этапными провэдниками диэлектрической пленкой позволяет повысить разрешающуюспособность прибора и тем самым расширить область его использования. формула изобретения 1,Жидкокристаллическая мишень дляэлектроннолучевой трубки, содержащая прозрачный проводящий слой, нанесенный с внутренней стороны на прозрачную изолирующую подложку, слой жщкокристаллического вещества и перегородку, отделяющуюжидкокристаллическое вещество от остальной части электроннолучевой трубки, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения разрешающей способности и упрощения технологии изготовления мишени, перегородка выполнена из диэлектрической плен.ки, которая с внешней стороны покрыта про.водящим слоем,2. Мишеньпоп. 1, отличающ а я с я тем, что проводящий слой напленке выполнен зеркальным.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе;1. Нацвеи, ВиееЬеидеи Ыюд сие 1 а 1 вейаЕог В 1 ес 1 иоп гесоМиф, 1 ЕЕЕ Трапе, ЕРесй.Эеч.,19 б 8, й, Вй,р.6962, С,Н.Ооой аид оСНем АВ 1 оаДе саТЛоде гау 1 и, Ье, Х РВУСЬ, Э,: АррЕ, РЬП, 4975,1973, 6, р. 1664 (прототип),

Смотреть

Заявка

2317570, 24.12.1975

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4937

ВАКСМАН ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ, МИХАЙЛИК ВАСИЛИЙ ГРИГОРЬЕВИЧ, ШОШИН ВАДИМ МИХАЙЛОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллическая, мишень, трубки, электронно-лучевой

Опубликовано: 25.01.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-543911-zhidkokristallicheskaya-mishen-dlya-ehlektronno-luchevojj-trubki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Жидкокристаллическая мишень для электронно-лучевой трубки</a>

Похожие патенты