Мишень для запоминающей электроннолучевой трубки
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 481083
Автор: Шипер
Текст
ц 481 ОВЗ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Сока Советских Социалистических Республик(51) М. Кл. Н 01 29/41 Государственный комитет Совета Министров СССР па делам нсссретеннйн открмтнй(54) МИШЕНЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ТРУБКИПредмет изобретения Изобретение относится к области изготовления мишеней для запоминающих электроннолучевых трубок, в частности, запоминающих ЭЛТ типа сигнал-сигнал с барьерной сеткой, в которых запись и считывание электрического сигнала производится ца сплошной диэлекТРИтССКой МИШЕЦИ.Известная мишень для запоминающей электроннолучевой трубки состоит из металличе- скОЙ пОдлОжки, служаисй сигялы 1 ым элбктродом, и сп,"ОцОго сло стекла боросиликятиой группы,11 Едос 12 ТКОМ Т 2 КОЙ тИСИИ ЯВЛЯСТСЯ уМСЬ- шснис коэффициента вторичной эмиссии прц облучении электронны пучком в процессе эксплуатации прибора, что приводит к уменьшешпо выходного сигнала, а следовательно, и к умецынецию динамического диапазонаприбора.Причиной этого является диффузия к поверхности подвижных катионов щелочных металлов в электрических полях, образованных локальными зарядами, возникающими па поверхности стекла в процессе облучецця мишеш электронным пучком.Целью изобретения является стабилизация динамического диапазона мишени В процессе эксплуатации прибора. Это достигается тем, что в предлагаемоймишени на поверхность стеклянного диэлектрика нанесена со стороны сканирования пленка фторцда, например фторцстого калил, тол 1 цццой 1 - 2 хю.При облучении такой мишени электроннымпучком просходящее уменьшение коэффициента вторичной .эмиссш т в слое фторида из-за Осаждения электронов в ловунках вбли О зи рабочей поверхности коцпсцсцруется уменьшением коэффицисптя вторц 1 цой эмиссии в стекле из-зя диффузии кятиоОв к поверхности, что приводит к стабилизации диямичсского диапазона:1 рибор я.5 21 Мишень для запоминающей электроцнолучсвОЙ трубс 1 с барьерной сетОЙ, содержащая в качестве вторично-эмиссионного вещества стекло па сипяльОм элетродс, Отл и ч я 10- ща я ся тем, что, с целью стаблцзацци ди намического диапазона прибора, ца стекло сост 01 Оцы скяциров 2 пия нанесен слой фтористого соединения, например фторид кальция, толщиной 1 - 2 м д.
СмотретьЗаявка
1949214, 27.07.1973
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4937
ШИПЕР РАИСА ИЗРАИЛЕВНА
МПК / Метки
МПК: H01J 29/41
Метки: запоминающей, мишень, трубки, электроннолучевой
Опубликовано: 15.08.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-481083-mishen-dlya-zapominayushhejj-ehlektronnoluchevojj-trubki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Мишень для запоминающей электроннолучевой трубки</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления катодно-подогревательного узла
Следующий патент: Фотоэлектрическое устройство
Случайный патент: Пневматический прибор для автоматического прекращения подачи топлива в карбюраторных транспортных двигателях